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发明公开
高强度氮化硅多孔体及其制造方法失效

公开(公告)号：CN1168362A

公开(公告)日：1997-12-24

申请号：CN97102107.4

申请日：1997-01-07

Applicant: 住友电气工业株式会社

Inventor： 河合千寻 , 松浦贵宏 , 山川晃

IPC: C04B35/584

CPC classification number: C04B38/00 , C04B38/06 , C04B35/50 , C04B35/584 , C04B38/0074

Abstract: 本发明提供一种在保持高气孔率的同时还可提高强度、轻量的可作为结构构件使用的氮化硅多孔体。它是一种含有柱状氮化硅粒子和，相对于氮化硅按氧化物换算为2～15重量％的作为氧化物结合相的至少1种稀土元素，SiO2和稀土氧化物的重量比SiO2/(SiO2+稀土类氧化物)为0.012～0.65、平均细孔径为3.5μm以下，高气孔率且高强度的氮化硅多孔体。重量比SiO2/(SiO2+稀土类氧化物)通过控制成型体中的氧量和碳量进行调整。

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