半导体装置的制造方法以及半导体装置

    公开(公告)号:CN105377980A

    公开(公告)日:2016-03-02

    申请号:CN201480039650.5

    申请日:2014-07-07

    Inventor: 田部井纯一

    CPC classification number: C08L63/00 C08G59/621 C08G77/80 C08L83/04

    Abstract: 一种半导体装置的制造方法,包括:准备工序,准备具有由切割区域(112)划分的多个封装区(114)的元件搭载基板(108);安装工序,在元件搭载基板(108)的各封装区(114)分别安装半导体芯片(116);模塑工序,利用密封用环氧树脂组合物将半导体芯片(116)同时模塑;和单片化工序,沿着切割区域(112)进行切割,将经过模塑的各个半导体芯片(116)单片化,上述密封用环氧树脂组合物包含(A)环氧树脂、(B)固化剂、(C)有机硅树脂、(D)无机填充剂、(E)固化促进剂,上述(C)有机硅树脂为甲基苯基型热塑性有机硅树脂,为具有下述通式(a)、(b)、(c)、(d)所示的重复结构单元的支链状结构有机硅树脂。(式中,*表示与其他重复结构单元或同一重复结构单元中的Si原子的结合,R1a、R1b、R1c和R1d为甲基或苯基,它们可以相互相同也可以不同。与Si原子结合的苯基的含量在1分子中为50质量%以上,与Si原子结合的OH基的含量在1分子中低于0.5质量%。)

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