公开(公告)号：CN115881806A

公开(公告)日：2023-03-31

申请号：CN202211101974.X

申请日：2022-09-09

Applicant: 住友电工光电子器件创新株式会社

Inventor： 野濑幸则

IPC: H01L29/778 ,  H01L29/423 ,  H01L29/43 ,  H01L29/49 ,  H01L21/335

Abstract: 一种半导体装置及其制造方法，半导体装置具有：基板；半导体层，设于所述基板之上；绝缘层，设于所述半导体层之上，形成有第一开口；栅电极，设于所述绝缘层之上，经由所述第一开口与所述半导体层接触；以及源电极和漏电极，与所述半导体层欧姆接触，所述栅电极具有：结晶性控制膜，设于所述绝缘层之上，并具备第二开口，该第二开口被形成为其内壁在从与所述基板的上表面垂直的方向的俯视观察下朝向所述基板与所述第一开口的内壁相连；第一金属膜，设于所述结晶性控制膜之上，经由所述第二开口和所述第一开口各自的相连的内壁与所述半导体层肖特基接触；以及第二金属膜，设于所述第一金属膜之上，所述第二金属膜的电阻比所述第一金属膜的电阻低。

公开(公告)号：CN110176492A

公开(公告)日：2019-08-27

申请号：CN201910122162.5

申请日：2019-02-19

Applicant: 住友电气工业株式会社 ,  住友电工光电子器件创新株式会社

Inventor： 菅原健太 ,  野濑幸则

IPC: H01L29/20 ,  H01L29/49 ,  H01L21/335 ,  H01L29/778

Abstract: 本发明披露了一种半导体器件以及形成该半导体器件的方法。高电子迁移率晶体管(HEMT)类型的半导体器件具有位于半导体层上的双层SiN膜，其中第一SiN膜通过低压化学气相沉积(LPCVD)技术形成，而第二SiN膜通过等离子体辅助CVD(p-CVD)技术形成。另外，栅极具有双金属布置方式，其中一种金属包含镍(Ni)作为肖特基金属，另一种金属不含Ni且覆盖前一种金属。本发明的特征在于：所述第一金属与半导体层接触，但与第二SiN膜分离。