公开(公告)号：CN102474935A

公开(公告)日：2012-05-23

申请号：CN201080033529.3

申请日：2010-07-28

Applicant: 住友化学株式会社

Inventor： 小野善伸

IPC: H05B33/22 ,  H01L51/50 ,  H05B33/12

CPC classification number: H01L27/3246 ,  H01L27/3223 ,  H01L27/3283 ,  H05B33/12 ,  H05B33/22

Abstract: 该发光装置是具有支撑基板、在支撑基板上设置的多个有机EL元件和将多个有机EL元件分隔的隔壁的发光装置，隔壁具有以将设置多个有机EL元件的区域包围的方式配置的外周部和在由外周部包围的区域中配置为条状、长度方向的一端和另一端分别与外周部连接的多根间隔部，将有机EL元件配置在彼此相邻的间隔部间，在外周部的、间隔部的长度方向的延长线上设置有朝向支撑基板的凹陷部。

公开(公告)号：CN101449398A

公开(公告)日：2009-06-03

申请号：CN200780018302.X

申请日：2007-03-27

Applicant: 住友化学株式会社

Inventor： 山中贞则 ,  小野善伸 ,  上田和正

IPC: H01L33/00

Abstract: 本发明提供一种发光元件，其直接测定从发光元件的芯片放出的光时的配光分布I(θ、ф)不依存于ф方向，而是具有大体由I(θ、ф)＝I(θ)表示的配光分布，I(θ、ф)表示(θ、ф)方向的光强度分布，θ表示来自发光元件的光引出面的法线方向的角度(0≤θ≤90°)，ф表示法线的周围的旋转角(0≤ф≤360°)，I(θ)在θ＝90°下表示接近于零的单递减函数。在构成发光元件的芯片的结构体之中，涉及对于从发光层发出的光为透明的结构体部分的大小，横向的大小和厚度方向的大小的比为5以上，并且在发光元件芯片的表面或该透明的结构体部分的内部，具有有着光散射功能的结构。

公开(公告)号：CN101010812A

公开(公告)日：2007-08-01

申请号：CN200580028886.X

申请日：2005-08-30

Applicant: 住友化学株式会社

Inventor： 小野善伸 ,  山中贞则

IPC: H01L33/00

CPC classification number: H01L33/32 ,  H01L33/007

Abstract: 一种化合物半导体发光器件，其特征在于包含：导电衬底；包括GaN层的化合物半导体功能层；电极；粘合性增强层；和粘合层，它们以这个顺序堆叠，其中上述导电衬底包括金属材料，所述的金属材料具有与GaN相差1.5×10－6/℃或更小的热膨胀系数。

公开(公告)号：CN1871699A

公开(公告)日：2006-11-29

申请号：CN200480031316.1

申请日：2004-10-25

Applicant: 住友化学株式会社

Inventor： 秦雅彦 ,  小野善伸 ,  上田和正

IPC: H01L21/331 ,  H01L21/329 ,  H01L21/02

CPC classification number: H01L29/66462 ,  H01L21/2007 ,  H01L29/2003

Abstract: 提供化合物半导体基板的制造方法，包含以下的工序(a)～(e)。(a)在基板(1)上，通过外延生长形成化合物半导体功能层(2)；(b)在化合物半导体功能层(2)上接合支撑基板(3)；(c)通过研磨除去基板(1)、与基板(1)接触一侧的化合物半导体功能层(2)的一部分；(d)在通过工序(c)露出的化合物半导体功能层(2)的表面接合具有比基板(1)大的热传导率的高热传导性基板(4)，取得多层基板；(e)从多层基板分离支撑基板(3)。

公开(公告)号：CN104205396A

公开(公告)日：2014-12-10

申请号：CN201380018347.2

申请日：2013-04-04

Applicant: 住友化学株式会社

Inventor： 山本恭子 ,  小野善伸

IPC: H01L51/50 ,  H05B33/10

CPC classification number: H01L51/504 ,  C09K11/06 ,  C09K2211/14 ,  H01L51/0003 ,  H01L51/0039 ,  H01L51/5036 ,  H01L51/5203 ,  H01L51/56 ,  H05B33/10

Abstract: 本发明提供一种可以简便且准确地设定元件的发光色的有机电致发光元件。本发明的有机电致发光元件具有一对电极和设置于该电极间的发光层、并且在CIE1931色度坐标系中呈现坐标Ao(Xo，Yo)的发光色，上述发光层的同一层中含有在CIE1931色度坐标系中呈现坐标A1(x1，y1)的发光色的发光材料A1和在CIE1931色度坐标系中呈现坐标A2(x2，y2)的发光色的发光材料A2，CIE1931色度坐标系中的坐标Ao(Xo，Yo)与坐标A1(x1，y1)的距离LAo-A1满足LAo-A1≤0.20，CIE1931色度坐标系中的坐标A1(x1，y1)与坐标A2(x2，y2)的距离LA1-A2满足0.13≤LA1-A2≤0.35。

公开(公告)号：CN103155701A

公开(公告)日：2013-06-12

申请号：CN201180048477.1

申请日：2011-10-04

Applicant: 住友化学株式会社

Inventor： 小野善伸

IPC: H05B33/04 ,  G09F9/30 ,  H01L27/32 ,  H01L51/50 ,  H05B33/02 ,  F21Y105/00

CPC classification number: H01L51/5253 ,  F21Y2105/00 ,  F21Y2115/15 ,  H01L2251/303

Abstract: 一种有机EL装置，其具有第1膜、与所述第1膜相对配置的第2膜、介于所述第1膜与所述第2膜之间的有机EL元件。第2膜具有含有硅原子、氧原子及碳原子的阻气层。阻气层的硅分布曲线、氧分布曲线以及碳分布曲线满足下述条件：(i)阻气层的厚度方向的90％以上的区域中，硅原子数的比率为第二大的数值，(ii)所述碳分布曲线具有至少1个极值，以及(iii)碳分布曲线中碳原子数的比率的最大值与最小值之差为5原子％以上。

公开(公告)号：CN101765929B

公开(公告)日：2012-10-24

申请号：CN200880100910.X

申请日：2008-07-24

Applicant: 住友化学株式会社

Inventor： 雨宫聪 ,  松江照行 ,  小野善伸

IPC: H01L51/50

CPC classification number: H01L27/3246 ,  H01L27/3283 ,  H01L51/0005 ,  H01L51/0012 ,  H01L51/50 ,  H01L51/5004 ,  H01L51/56 ,  H01L2251/5392

Abstract: 一种有机电致发光元件，其抑制在上部电极与下部电极之间经由有机层流过的漏电流。有机EL元件(51)具有：有机层(9)，其形成于由堤岸(3)所包围的像素区域(R11)，包含至少一层发光层(6)；夹持着有机层(9)而形成的上部电极(7)及下部电极(2)；漏电流阻挡层(5)，其形成在像素区域(R11)与堤岸区域(R13)之间的边界区域(R12)中的上部电极(7)与下部电极(2)之间；其中，漏电流阻挡层(5)在基板厚度方向上的电阻大于介于漏电流阻挡层(5)与第1电极(2)之间的有机层(9)在基板厚度方向上的电阻。

公开(公告)号：CN102550125A

公开(公告)日：2012-07-04

申请号：CN201080043597.8

申请日：2010-09-27

Applicant: 住友化学株式会社

Inventor： 小野善伸

IPC: H05B33/02 ,  H01L51/50 ,  H05B33/04

CPC classification number: H01L51/529 ,  H01L27/3202 ,  H01L27/3204 ,  H01L51/52 ,  H01L51/524

Abstract: 本发明提供具备能够将装置内滞留的热高效地放散到外部的机构的发光装置。该发光装置包含具备热放射层的第一基板、显示透光性的第二基板、和设置在第一基板及第二基板之间且朝向第二基板而射出光的多个有机EL元件，其中，所述第二基板包含分散配置的线状的导热性金属丝，所述导热性金属丝的直径为0.4μm以下，其导热率高于构成所述第二基板的材料中除所述导热性金属丝以外的其余材料的导热率。

公开(公告)号：CN101449398B

公开(公告)日：2011-02-02

申请号：CN200780018302.X

申请日：2007-03-27

Applicant: 住友化学株式会社

Inventor： 山中贞则 ,  小野善伸 ,  上田和正

IPC: H01L33/00

Abstract: 本发明提供一种发光元件，其直接测定从发光元件的芯片放出的光时的配光分布I(θ、ф)不依存于ф方向，而是具有大体由I(θ、ф)＝I(θ)表示的配光分布，I(θ、ф)表示(θ、ф)方向的光强度分布，θ表示来自发光元件的光引出面的法线方向的角度(0≤θ≤90°)，ф表示法线的周围的旋转角(0≤ф≤360°)，I(θ)在θ＝90°下表示接近于零的单递减函数。在构成发光元件的芯片的结构体之中，涉及对于从发光层发出的光为透明的结构体部分的大小，横向的大小和厚度方向的大小的比为5以上，并且在发光元件芯片的表面或该透明的结构体部分的内部，具有有着光散射功能的结构。

公开(公告)号：CN1759469A

公开(公告)日：2006-04-12

申请号：CN200480006280.1

申请日：2004-03-04

Applicant: 住友化学株式会社

Inventor： 平松和政 ,  三宅秀人 ,  坊山晋也 ,  前田尚良 ,  小野善伸

IPC: H01L21/20 ,  H01L21/205 ,  H01L33/00 ,  H01S5/02

CPC classification number: H01L21/02389 ,  H01L21/0242 ,  H01L21/02458 ,  H01L21/0254 ,  H01L21/0262 ,  H01L21/02642 ,  H01L21/02647

Abstract: 本发明涉及一种具有降低了位错密度的III－V族化合物半导体单晶的外延基板的制造方法，其特征在于，在制造具有作为由通式InxGayAlzN(式中x+y+z＝1，0≤x≤1，0≤y≤1，0≤z≤1)表示的III－V族化合物半导体单晶，降低了位错密度的III－V族化合物半导体单晶的外延基板时，具有第一工序和第二工序，其中所述第一工序，使用具有多个突起状形状的该III－V族化合物半导体单晶，用由与该III－V族化合物半导体异种材料制成的掩模覆盖得仅使该结晶端部附近形成开口部分；所述第二工序，以该开口部分的III－V族化合物半导体单晶作为种晶，使该III－V族化合物半导体单晶沿着横向生长；能够制造位错密度小、弯曲少的氮化物系III－V族化合物半导体单晶的自立基板。