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公开(公告)号：CN102859713A
公开(公告)日：2013-01-02
申请号：CN201180020804.2
申请日：2011-07-27
Applicant: 京瓷株式会社
IPC: H01L31/04
CPC classification number: H01L31/0322 , H01L31/046 , H01L31/0465 , H01L31/0749 , Y02E10/541
Abstract: 本发明提供一种光吸收层与电极层之间的粘接性高、且光电转换效率高的光电转换装置。本发明的光电转换装置（10）具有包含黄铜矿系化合物半导体和氧的光吸收层（3）。光吸收层（3）的内部具有空洞（3a）。空洞（3a）附近的氧原子浓度高于光吸收层（3）中的平均氧原子浓度。
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