天线元件、阵列天线、通信单元、移动体以及基站

    公开(公告)号:CN112352352A

    公开(公告)日:2021-02-09

    申请号:CN201980042778.X

    申请日:2019-06-21

    Abstract: 提供一种得以改善的天线元件、阵列天线、通信单元、移动体以及基站。天线元件构成为包含第1导体及第2导体、第3导体、第4导体、与第3导体电连接的供电线以及与供电线连接的滤波器。第1导体及第2导体沿第2平面扩展,在与第2平面相交的第1方向上分离地配置。第3导体沿包含第1方向的第1平面扩展,位于第1导体以及第2导体之间。第4导体沿第1平面扩展,与第1导体以及第2导体电连接,且与第3导体分离地配置。滤波器与第4导体重叠地配置。

    复合天线
    15.
    发明公开
    复合天线 审中-实审

    公开(公告)号:CN118369823A

    公开(公告)日:2024-07-19

    申请号:CN202280081176.7

    申请日:2022-12-05

    Abstract: 复合天线包括:多个单位构造,沿第一面方向排列;成为多个单位构造的基准电位的基准导体;以及天线元件,设置在所排列的单位构造的周围,与基准导体电磁连接。单位构造包括:第一谐振器,在第一面方向上扩展;第二谐振器,在第一方向上与第一谐振器分离,在第一面方向上扩展;以及连接部,在第一方向上将第一谐振器及第二谐振器磁连接或者电容连接。

    复合谐振器以及电波折射板
    16.
    发明公开

    公开(公告)号:CN118355563A

    公开(公告)日:2024-07-16

    申请号:CN202280080225.5

    申请日:2022-12-02

    Abstract: 复合谐振器包含:在第1面方向扩展的第1导电体;与第1导电体在第1方向分离且在第1面方向扩展的第2导电体;与第2导电体在所述第1方向分离且在所述第1面方向扩展的第3导电体;和与第3导电体在第1方向分离且在第1面方向扩展的第4导电体;和沿着第1导电体、第2导电体、第3导电体和第4导电体的周围设置多个的与第1方向平行的连接导体。多个连接导体构成为将第1导电体、第2导电体、第3导电体和第4导电体电磁连接。

    天线元件、阵列天线、通信单元、移动体以及基站

    公开(公告)号:CN112352352B

    公开(公告)日:2024-02-23

    申请号:CN201980042778.X

    申请日:2019-06-21

    Abstract: 提供一种得以改善的天线元件、阵列天线、通信单元、移动体以及基站。天线元件构成为包含第1导体及第2导体、第3导体、第4导体、与第3导体电连接的供电线以及与供电线连接的滤波器。第1导体及第2导体沿第2平面扩展,在与第2平面相交的第1方向上分离地配置。第3导体沿包含第1方向的第1平面扩展,位于第1导体以及第2导体之间。第4导体沿第1平面扩展,与第1导体以及第2导体电连接,且与第3导体分离地配置。滤波器与第4导体重叠地配置。

    构造体、天线、无线通信模块以及无线通信设备

    公开(公告)号:CN112640214B

    公开(公告)日:2023-07-21

    申请号:CN201980054734.9

    申请日:2019-08-21

    Abstract: 构造体具备第1导体、第2导体、第3导体以及第4导体。第1导体,沿包含第2方向以及与第2方向相交的第3方向的第2平面延伸。第2导体,在与第2平面相交的第1方向上与第1导体对置,沿第2平面延伸。第3导体,构成为将第1导体以及第2导体进行电容性连接。第4导体,与第1导体以及第2导体电连接,沿包含第1方向以及第3方向的第1平面延伸。第3导体包含第1导体层和第2导体层,第2导体层构成为与第1导体层电容性连接。第2导体层在第2方向上位于第1导体层与第4导体层之间。第1导体层在第2方向上比第2导体层厚。

    构造体、天线、无线通信模块以及无线通信设备

    公开(公告)号:CN112640214A

    公开(公告)日:2021-04-09

    申请号:CN201980054734.9

    申请日:2019-08-21

    Abstract: 构造体具备第1导体、第2导体、第3导体以及第4导体。第1导体,沿包含第2方向以及与第2方向相交的第3方向的第2平面延伸。第2导体,在与第2平面相交的第1方向上与第1导体对置,沿第2平面延伸。第3导体,构成为将第1导体以及第2导体进行电容性连接。第4导体,与第1导体以及第2导体电连接,沿包含第1方向以及第3方向的第1平面延伸。第3导体包含第1导体层和第2导体层,第2导体层构成为与第1导体层电容性连接。第2导体层在第2方向上位于第1导体层与第4导体层之间。第1导体层在第2方向上比第2导体层厚。

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