载波信号抑制方法及载波信号抑制器

    公开(公告)号:CN101001461B

    公开(公告)日:2010-09-15

    申请号:CN200610124396.6

    申请日:2006-12-25

    CPC classification number: Y02D70/122 Y02D70/34

    Abstract: 本发明公开一种载波信号抑制方法,包括如下步骤:首先,产生与存在于本小区的干扰信号同频的干扰抑制信号,向空中发射;其次,移动台开机搜索广播信道,搜索到最高功率的信号,尝试读取其频率校正信道,若读取失败,移动台继而重新搜索与干扰抑制信号不同频率的次功率信号,即可获得本小区内的正常覆盖信号。此外,还公开了一种载波信号抑制器,包括:信号发生器,用于产生与干扰信号同频的干扰抑制信号;功率放大器,用于放大干扰抑制信号;天线单元,用于发射干扰抑制信号。与传统技术相比,本发明能有效地抑制邻近小区信号对本小区信号的干扰,消除误漫游的情况,使边缘小区的通信更加高效,改善网络运营情况。

    分布式天线系统
    15.
    实用新型

    公开(公告)号:CN209767546U

    公开(公告)日:2019-12-10

    申请号:CN201920881775.2

    申请日:2019-06-12

    Abstract: 本申请涉及一种分布式天线系统,包括数模扩展单元和远端级联链。数模扩展单元包括第一基带处理电路,用于连接信源单元的第一光收发电路,以及第一信号转换电路;第一基带处理电路分别连接第一光收发电路和第一信号转换电路;远端级联链包括多个用于与外部终端交互的远端单元,各远端单元通过射频电缆级联连接,且远端级联链的首级远端单元通过射频电缆与第一信号转换电路连接。基于此,数模扩展单元与远端单元采用基于电缆连接的菊花链拓扑结构,可在提高传输带宽的同时,有效降低传输链路的成本;并且,由数模扩展单元执行基带处理,远端单元无需基带处理器件,可有效降低系统的器件成本及运行功耗。

    载波信号抑制器
    16.
    实用新型

    公开(公告)号:CN201018503Y

    公开(公告)日:2008-02-06

    申请号:CN200620155166.1

    申请日:2006-12-25

    Abstract: 本实用新型公开一种载波信号抑制器,包括:信号发生器,用于产生与干扰信号同频的干扰抑制信号;功率放大器,用于放大干扰抑制信号;天线单元,用于发射干扰抑制信号。与传统技术相比,本实用新型能有效地抑制邻近小区信号对本小区信号的干扰,消除误漫游的情况,使边缘小区的通信更加高效,改善网络运营情况。

    一种微波治疗仪
    18.
    实用新型

    公开(公告)号:CN209302034U

    公开(公告)日:2019-08-27

    申请号:CN201822244452.0

    申请日:2018-12-27

    Abstract: 本实用新型涉及微波治疗技术领域,公开了一种微波治疗仪,该微波治疗仪包括:信号源组件,信号源组件包括所产生的微波信号的频段彼此互不相同的多个信号源;功放组件,功放组件包括与信号源一一对应的多个功放单元;控制开关组件,控制开关组件包括与功放单元一一对应的多个控制开关,每一个控制开关包括一个输入端和两个输出端;多频合路器,多频合路器的输入端与每一个控制开关的一个输出端连接;辐射器组件,辐射器组件包括与控制开关一一对应的多个窄带辐射器和一个与多频合路器对应的宽带辐射器。该微波治疗仪可以实现同时对人体的不同部位进行辐射治疗以及对同一部位的不同深度辐射治疗,有效提高治疗效果,且使用灵活、方便。(ESM)同样的发明创造已同日申请发明专利

    基于TDD系统的设备
    20.
    实用新型

    公开(公告)号:CN208820796U

    公开(公告)日:2019-05-03

    申请号:CN201821718091.2

    申请日:2018-10-22

    Abstract: 本申请涉及一种基于TDD系统的设备,包括GaN HEMT以及栅压切换电路;栅压切换电路包括第一开关电路、第二开关电路以及第三开关电路;第一开关电路的第一端接入TDD切换信号,第一开关电路的第二端分别连接第二开关电路的第一端和第三开关电路的第一端;第二开关电路的第二端连接栅极电压源,第二开关电路的第三端连接GaN HEMT的栅极管脚;第三开关电路的第二端连接负电压电源端,第三开关电路的第三端连接GaN HEMT的栅极管脚。TDD切换信号可控制第一开关电路的通断,第一开关电路的通断可控制第二开关电路和第三开关电路的通断,能够切换GaN HEMT的栅极管脚的电压;基于上述结构,设备可利用TDD上下行切换信号,控制GaN HEMT的栅极电压,实现GaN HEMT的快速关断与开启。

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