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公开(公告)号：CN115955620A
公开(公告)日：2023-04-11
申请号：CN202310238219.4
申请日：2023-03-07
Applicant: 之江实验室
IPC: H04Q11/00
Abstract: 本发明公开了一种基于Banyan网络硅基光交换芯片中开关单元的校准方法，包括将外部光信号输入开关单元，基于Banyan网络结构分别获得当开关单元为BAR状态或CROSS状态时的最终输出端口，并探测得到当开关单元为BAR状态或CROSS状态下最终输出端口的总功率，对开关单元加载扫描电压，将总功率的差值最大时对应的扫描电压作为开关单元的BAR状态电压，将总功率的差值最小时对应的扫描电压作为开关单元的CROSS状态电压，以完成开关单元的校准。该方法降低了整个硅基光交换芯片的校准难度以及芯片设计的复杂度。
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公开(公告)号：CN115657224A
公开(公告)日：2023-01-31
申请号：CN202211319938.0
申请日：2022-10-26
Applicant: 之江实验室
Abstract: 本发明公开了一种硅光子芯片的光学封装方法，其特征在于，包括将硅光子芯片固定在基片上表面，硅光子芯片的光学端口为端面耦合器阵列；在固定硅光子芯片的基片上表面匀胶一层衬底，在衬底上沉积下包层，在下包层上沉积芯层材料，在芯层材料上分别刻蚀光波波导阵列和扇出端耦合器阵列，其中，光波波导阵列的一端与端面耦合器阵列相连，另一端与扇出端耦合器阵列相连；在硅光子芯片、光波波导阵列和扇出端耦合器阵列的表面上沉积上包层；将至少一个光纤阵列与扇出端耦合器阵列耦合后固定，完成光纤阵列封装。利用该方法能够降低光纤阵列封装的密度和封装难度，提升光纤阵列封装的灵活性。
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公开(公告)号：CN116931172B
公开(公告)日：2024-03-19
申请号：CN202311199267.3
申请日：2023-09-18
Applicant: 之江实验室
Abstract: 本申请涉及一种偏振无关的模斑转换器，该模斑转换器包括：上层波导和下层波导，上层波导设置于下层波导的上方，上层波导和下层波导之间设有绝缘层；在上层波导和下层波导上下重叠的部分处，上层波导设置至少两段波导；下层波导设置至少两段与上层波导对应的波导；其中，一段波导的参数基于第一模式光而设置，另一段波导的参数基于第二模式光而设置。采用上述结构的模斑转换器能够将不同模式的光分别耦合，使模斑转换器具备偏振无关特性，改善模场失配问题。
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公开(公告)号：CN116859522B
公开(公告)日：2024-01-09
申请号：CN202311107122.6
申请日：2023-08-30
Applicant: 之江实验室
Abstract: 本申请涉及一种光栅耦合器、光芯片系统及光栅耦合器的制备方法。其中，光栅耦合器包括：衬底与耦合波导。耦合波导位于衬底上。耦合波导包括光栅波导部与包覆部，光栅波导部位于包覆部内。光栅波导部包括光栅栅齿，光栅栅齿的开口方向背向衬底。衬底包括衬底部、导光部与隔离槽。在衬底所在的平面上，衬底部与隔离槽相邻，隔离槽与导光部相邻，隔离槽位于导光部与衬底部之间，且衬底部围绕隔离槽，隔离槽围绕导光部。导光部用于将入射至导光部的光以无发散的形式引导至光栅栅齿。根据本申请实施例，可以在具备制备工艺简单且制备成本低的优点，及避免对衬底强度造成较大影响的前提下，提升光栅耦合器的耦合效率。
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公开(公告)号：CN116859521A
公开(公告)日：2023-10-10
申请号：CN202311107119.4
申请日：2023-08-30
Applicant: 之江实验室
Abstract: 本申请提供一种光栅耦合器及其制备方法。该光栅耦合器包括硅基衬底、形成于硅基衬底上的第一反射层、形成于第一反射层上的下埋层、形成于下埋层上的波导层、形成于波导层上的上包层、以及形成于上包层上的第二反射层，波导层包括多个二维光栅，多个二维光栅沿着光路传播路径方向设置。其中，沿着光路传播路径方向，从一个二维光栅进入的入射光中的部分光透过该二维光栅后会在第一反射层和第二反射层的反射作用下进入到下一个二维光栅。本申请能够同时兼顾对偏振的不敏感性以及高耦合效率。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN116840973A
公开(公告)日：2023-10-03
申请号：CN202311124527.0
申请日：2023-09-01
Applicant: 之江实验室
IPC: G02B6/12
Abstract: 本申请提供一种硅光子芯片光耦合结构及其设计方法。硅光子芯片光耦合结构包括第一光栅耦合器和第二光栅耦合器。第一光栅耦合器包括在第一方向上依次设置的第一包层、第一波导层、第一埋氧层和第一反射层，第一波导层包括第一光栅。第二光栅耦合器和第一光栅耦合器在第一方向上相对设置，包括在第一方向上依次设置的第二包层、第二波导层、第二埋氧层和第二反射层，第二包层和第一包层连接。本申请提供的硅光子芯片光耦合结构通过设置第一反射层和第二反射层，使光耦合结构中衍射的光被限制在第一反射层和第二反射层之间并沿光栅的长度方向传播，最大程度地减少光泄露，从而实现较高的耦合效率并提升对准容差，且构造简单，易于优化及加工。
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公开(公告)号：CN116819689A
公开(公告)日：2023-09-29
申请号：CN202311107072.1
申请日：2023-08-30
Applicant: 之江实验室
Abstract: 本申请提供一种光栅耦合器、光栅耦合反馈控制系统及其控制方法。该光栅耦合器包括硅基衬底、形成于硅基衬底上的金属反射层、形成于金属反射层上的第一氧化层、形成于第一氧化层上的光栅、形成于光栅上的第二氧化层、以及形成于第二氧化层上的扭转向列液晶透镜，扭转向列液晶透镜包括扭转向列液晶层及位于扭转向列液晶层相对两侧的电极，其中，通过在扭转向列液晶层相对两侧的电极上施加不同的外部电压，使扭转向列液晶层中的液晶分子重新排列，旋光性消逝，进而用于调节通过光纤入射至光栅耦合器的入射光的偏振态。本申请能够方便地调节入射光的偏振态。
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公开(公告)号：CN115728866B
公开(公告)日：2023-07-18
申请号：CN202211398682.7
申请日：2022-11-09
Applicant: 之江实验室
IPC: G02B6/122
Abstract: 本发明公开一种硅光子芯片多层光学重布线制备方法，包括获得基片，在基片上固定硅光子芯片，在基片和硅光子芯片上匀胶衬底层，在衬底层上沉积下包层；硅光子芯片上的光学端口为芯片端耦合器阵列，在下包层上沉积芯层材料；在芯层材料上刻写布线层，在布线层上沉积上包层，在上包层上沉积芯层材料；布线层包括扇出层间转换器阵列、扇出波导阵列和扇出端面耦合器阵列；重复制作布线层直到将芯片光学端口的光信号通过多层布线层输出到对应的扇出端面耦合器阵列。该方法能够将硅光子芯片的光学端口扇出，多层排布实现对数量较多，密度较高的硅光子芯片上光学端口的扇出。
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公开(公告)号：CN115955620B
公开(公告)日：2023-06-23
申请号：CN202310238219.4
申请日：2023-03-07
Applicant: 之江实验室
IPC: H04Q11/00
Abstract: 本发明公开了一种基于Banyan网络硅基光交换芯片中开关单元的校准方法，包括将外部光信号输入开关单元，基于Banyan网络结构分别获得当开关单元为BAR状态或CROSS状态时的最终输出端口，并探测得到当开关单元为BAR状态或CROSS状态下最终输出端口的总功率，对开关单元加载扫描电压，将总功率的差值最大时对应的扫描电压作为开关单元的BAR状态电压，将总功率的差值最小时对应的扫描电压作为开关单元的CROSS状态电压，以完成开关单元的校准。该方法降低了整个硅基光交换芯片的校准难度以及芯片设计的复杂度。
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公开(公告)号：CN115877521A
公开(公告)日：2023-03-31
申请号：CN202211505605.7
申请日：2022-11-28
Applicant: 之江实验室
IPC: G02B6/42
Abstract: 本发明涉及一种光电子芯片、堆叠封装结构和光电子芯片的制作方法。堆叠封装结构包括至少两个光电子芯片，多个光电子芯片沿厚度方向堆叠排列。光电子芯片包括波导和光反射模组，波导用于传导预设光信号；光反射模组包括用于反射光信号的反射面，反射面相对于波导所处的平面倾斜设置，并用于接收和反射光信号。在上述结构中，利用光反射模组不仅可改变自波导中传出的光信号的传导方向，使得沿厚度方向垂直排列的其他光电子芯片可接收对应的光信号。还可将接收到的光信号传导至自身的波导上。通过上述设置，使得堆叠封装结构可满足各种形态的需求，提升其整体结构的灵活性和适应性。
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