公开(公告)号：CN117070892B

公开(公告)日：2024-07-05

申请号：CN202311002593.0

申请日：2023-08-10

Applicant: 之江实验室

Inventor： 杨丽慧 ,  张晓航 ,  宋艳汝 ,  段然 ,  赵志峰 ,  李菂 ,  余诗玲 ,  冯毅 ,  陈志伟 ,  穆堂杰 ,  洪悦 ,  朱洪力

IPC: C23C14/06 ,  C23C14/02 ,  C23C14/34 ,  C23C14/54 ,  H01B12/00

Abstract: 本发明公开了一种两步控制N2分压降低NbN薄膜内应力和提高超导转变温度的方法，包括以下步骤：先使用N2/Ar气体质量流量比40％～65％沉积NbN缓冲薄膜层，溅射时间为1～112s，NbN缓冲薄膜层厚度为0.1～5nm；再使用N2/Ar气体质量流量比15％～35％沉积NbN主要薄膜层，溅射时间为150～450s，NbN主要薄膜层厚度为10～30nm；最终得到低内应力和高超导转变温度的NbN超导薄膜。本发明方法通过两步控制N2分压在衬底上实现两层薄膜层生长，制备工艺简单，改善效果良好，可实现大规模生产。