公开(公告)号：CN116429300A

公开(公告)日：2023-07-14

申请号：CN202310685836.9

申请日：2023-06-12

Applicant: 之江实验室

Inventor： 刘冠东 ,  骆瑞琦 ,  李洁 ,  王伟豪 ,  曹荣 ,  王传智

IPC: G01L1/18 ,  B81C1/00 ,  B81C3/00 ,  G01L9/06

Abstract: 本发明公开了一种基于单晶硅和微流道冷却的超高温压力传感芯片及系统，使用底部各向异性腐蚀并氧化和在压阻式的半导体电阻的周围刻蚀电阻分隔结构并填充和覆盖绝缘层相结合的方法，将组成惠斯登电桥的半导体电阻用二氧化硅层绝缘隔离包裹起来，避免了传统单晶硅pn结隔离高温漏电流失效的问题。本发明还提出了使用微流道环绕高温压力传感芯片的微组装方法，隔离了外界高温并降低了芯片周围温度，使得系统可以在高于硅基压力传感芯片最高工作温度的1000℃以上的超高温环境中工作。同时这种微流道环绕芯片进行冷却的方法也适用于其他材质和原理的工作在极端高温环境中的传感器、集成电路、大功率器件等。