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公开(公告)号：CN115728866B
公开(公告)日：2023-07-18
申请号：CN202211398682.7
申请日：2022-11-09
Applicant: 之江实验室
IPC: G02B6/122
Abstract: 本发明公开一种硅光子芯片多层光学重布线制备方法，包括获得基片，在基片上固定硅光子芯片，在基片和硅光子芯片上匀胶衬底层，在衬底层上沉积下包层；硅光子芯片上的光学端口为芯片端耦合器阵列，在下包层上沉积芯层材料；在芯层材料上刻写布线层，在布线层上沉积上包层，在上包层上沉积芯层材料；布线层包括扇出层间转换器阵列、扇出波导阵列和扇出端面耦合器阵列；重复制作布线层直到将芯片光学端口的光信号通过多层布线层输出到对应的扇出端面耦合器阵列。该方法能够将硅光子芯片的光学端口扇出，多层排布实现对数量较多，密度较高的硅光子芯片上光学端口的扇出。
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公开(公告)号：CN115955620B
公开(公告)日：2023-06-23
申请号：CN202310238219.4
申请日：2023-03-07
Applicant: 之江实验室
IPC: H04Q11/00
Abstract: 本发明公开了一种基于Banyan网络硅基光交换芯片中开关单元的校准方法，包括将外部光信号输入开关单元，基于Banyan网络结构分别获得当开关单元为BAR状态或CROSS状态时的最终输出端口，并探测得到当开关单元为BAR状态或CROSS状态下最终输出端口的总功率，对开关单元加载扫描电压，将总功率的差值最大时对应的扫描电压作为开关单元的BAR状态电压，将总功率的差值最小时对应的扫描电压作为开关单元的CROSS状态电压，以完成开关单元的校准。该方法降低了整个硅基光交换芯片的校准难度以及芯片设计的复杂度。
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公开(公告)号：CN115629445B
公开(公告)日：2023-05-26
申请号：CN202211478745.X
申请日：2022-11-24
Applicant: 之江实验室
Abstract: 本发明公开了一种用于大规模硅基光子芯片设计的写场拼接结构与工艺，将相邻最大曝光区域中的子系统进行光信号连通，包括与所述子系统的输出波导连接的锥形波导、设置于子系统所在最大曝光区域的对准标记、连接波导，所述连接波导用于连接相邻最大曝光区域的锥形波导，所述子系统经过波导输出的光信号经过锥形波导耦合到连接波导，然后从连接波导耦合到相邻曝光区域中的锥形波导，最后光信号传输到另一子系统中。本发明突破最大曝光面积的限制，制备出超大规模的硅基光子芯片，降低了硅基光子芯片的光电封装难度，具有高的光传输效率，对工艺的线宽要求低，具有高的工艺容差。
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公开(公告)号：CN115877505B
公开(公告)日：2023-05-16
申请号：CN202310017831.9
申请日：2023-01-06
Applicant: 之江实验室
IPC: G02B6/12
Abstract: 本说明书公开了一种硅基光电子芯片及电子设备。针对任意两个相邻的光子系统，将其中一个光子系统作为第一光子系统，将另一个光子系统作为第二光子系统，第一光子系统与第一光子系统对应的光波导的一端相连接，第一光子系统对应的光波导的另一端连接空间折射结构的一端，空间折射结构的另一端连接第二光子系统对应的光波导的一端，第二光子系统对应的光波导的另一端与第二光子系统相连接，以使第一光子系统输出的光束，经过第一光子系统对应的光波导，通过空间折射结构，进入第二光子系统对应的光波导，输入到第二光子系统中，以连通第一光子系统与第二光子系统。本方法可以制造出更大规模的硅基光电子芯片。
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公开(公告)号：CN115795846A
公开(公告)日：2023-03-14
申请号：CN202211469559.X
申请日：2022-11-22
Applicant: 之江实验室
IPC: G06F30/20
Abstract: 本说明书公开了一种光频梳的仿真方法、装置、设备及存储介质，可以根据用户输入的各器件的初始参数，在仿真环境中，构建出对应的虚拟器件，并通过虚拟器件进行仿真，以获取到由这些虚拟器件产生的光频梳谱线图，进而可以根据光频梳谱线图的图像信息，确定各初始参数对应的参数值域，并可以根据确定出的各初始参数的参数值域，对生成光频梳的实验器件进行配置，以降低生成光频梳实验器件损坏的可能性，从而降低光频梳的研究实验成本。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN115728866A
公开(公告)日：2023-03-03
申请号：CN202211398682.7
申请日：2022-11-09
Applicant: 之江实验室
IPC: G02B6/122
Abstract: 本发明公开一种硅光子芯片多层光学重布线制备方法，包括获得基片，在基片上固定硅光子芯片，在基片和硅光子芯片上匀胶衬底层，在衬底层上沉积下包层；硅光子芯片上的光学端口为芯片端耦合器阵列，在下包层上沉积芯层材料；在芯层材料上刻写布线层，在布线层上沉积上包层，在上包层上沉积芯层材料；布线层包括扇出层间转换器阵列、扇出波导阵列和扇出端面耦合器阵列；重复制作布线层直到将芯片光学端口的光信号通过多层布线层输出到对应的扇出端面耦合器阵列。该方法能够将硅光子芯片的光学端口扇出，多层排布实现对数量较多，密度较高的硅光子芯片上光学端口的扇出。
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公开(公告)号：CN115629445A
公开(公告)日：2023-01-20
申请号：CN202211478745.X
申请日：2022-11-24
Applicant: 之江实验室
Abstract: 本发明公开了一种用于大规模硅基光子芯片设计的写场拼接结构与工艺，将相邻最大曝光区域中的子系统进行光信号连通，包括与所述子系统的输出波导连接的锥形波导、设置于子系统所在最大曝光区域的对准标记、连接波导，所述连接波导用于连接相邻最大曝光区域的锥形波导，所述子系统经过波导输出的光信号经过锥形波导耦合到连接波导，然后从连接波导耦合到相邻曝光区域中的锥形波导，最后光信号传输到另一子系统中。本发明突破最大曝光面积的限制，制备出超大规模的硅基光子芯片，降低了硅基光子芯片的光电封装难度，具有高的光传输效率，对工艺的线宽要求低，具有高的工艺容差。
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公开(公告)号：CN116224504A
公开(公告)日：2023-06-06
申请号：CN202211570971.0
申请日：2022-12-08
Applicant: 之江实验室
Abstract: 本发明公开了一种用于硅光子芯片的光封装平台和方法，该光封装平台包括基板、龙门架、滑轨、观察镜组、两个电控位移台、用于固定光纤阵列的夹具、曲杆和PCB板，其中，龙门架和两个电控位移台安装在基板上，滑轨安装在龙门架上，观察镜组包括第一光学放大镜头、第二光学放大镜头、第三光学放大镜头和第四光学放大镜头，第一光学放大镜头和第四光学放大镜头安装在滑轨上，第二光学放大镜头和第三光学放大镜头相对设置安装在基板上，曲杆用于连接电控位移台和夹具，PCB板通过支架安装在基板上，PCB板上安装有芯片、陶瓷片和转接板，芯片位于转接板的下方。本发明的操作更加简单，能够使光封装过程更加自动化和稳定，有利于缩短封装时间。
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公开(公告)号：CN116125592A
公开(公告)日：2023-05-16
申请号：CN202211630834.1
申请日：2022-12-19
Applicant: 之江实验室
Abstract: 本申请涉及一种锥形波导及其设计方法、装置以及光纤耦合系统，其中，该锥形波导包括：第一端和第二端，第一端的横截面小于第二端的横截面；锥形波导中设置有多个通孔，通孔用于降低锥形波导的有效折射率；锥形波导的有效折射率由第一端至第二端逐渐降低。本发明通过在锥形波导中设置通孔，可以使得锥形波导的有效折射率由第一端至第二端逐渐降低，或者说使得锥形波导的光斑由第一端至第二端逐渐增大。具有直接将小尺寸光纤与大尺寸光纤进行耦合的效果，解决了现有的耦合器件可以耦合的光纤尺寸不容易放大的问题。
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公开(公告)号：CN115986528A
公开(公告)日：2023-04-18
申请号：CN202211506133.7
申请日：2022-11-28
Applicant: 之江实验室
IPC: H01S1/00
Abstract: 本发明提出一种调谐受激布里渊散射增益谱宽的装置及方法，所述装置包括：光纤卷绕模块，用于卷绕光纤，并对卷绕的光纤进行紧密排列；光纤卷绕控制模块，预设应力分布曲线，通过张力传感器测量光纤在缠绕过程中对所受的张力值的大小，测量得到的张力值与预设的应力分布曲线对应的应力值作差得到偏差量，将偏差量反馈至控制器以动态调节放线的张力，以对光纤施加纵向应变。与其他调谐SBS增益谱线宽的方式相比，本发明可以通过对光纤在不同的位置设置不同的应力曲线来达到调谐SBS增益谱宽的目的，可控变量多且易实现，为后续在微波光子学中应用和发展以及慢光技术研究中打下良好的基础。
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