公开(公告)号：CN116377407A

公开(公告)日：2023-07-04

申请号：CN202310369719.1

申请日：2023-04-03

Applicant: 之江实验室

Inventor： 杨丽慧 ,  张晓航 ,  宋艳汝 ,  段然 ,  赵志峰 ,  李菂 ,  余诗玲 ,  冯毅

IPC: C23C14/35 ,  C23C14/06 ,  C23C14/54 ,  B82Y30/00 ,  B82Y40/00 ,  H01B12/06 ,  B82Y15/00 ,  G01K7/00

Abstract: 本发明公开了一种低应力NbN超导薄膜及其制备方法和应用，包括以下步骤：提供金属Nb靶材和Si基衬底，固定Si基衬底温度为室温，并在室温条件下，调节N2和Ar质量流量比为20％～50％，溅射功率为50W～400W，沉积气压为3.0mTorr～10.0mTorr，在Si基衬底上沉积得到应力范围为‑500MPa～500MPa、厚度为70～150nm的NbN超导薄膜。通过对N2和Ar质量流量比、溅射功率以及沉积气压这三个参数的协同控制，即可以简单高效制备得到低应力NbN超导薄膜，制备得到的NbN超导薄膜应力范围满足超导动态电感探测器的制备需求，可批量工业化生产。