公开(公告)号：CN114864408A

公开(公告)日：2022-08-05

申请号：CN202210105803.8

申请日：2022-01-28

Applicant: 株式会社电装 ,  丰田自动车株式会社 ,  未来瞻科技株式会社

Inventor： 三宅裕树 ,  永冈达司

IPC: H01L21/44

Abstract: 一种用于制造半导体器件的方法，包括：制备由包含第一元素和与第一元素键合且电负性比第一元素小1.5或更多的第二元素的化合物半导体制成的衬底(12)；使电流在衬底(12)中流动；和在包括使电流流动的电流区域的位置处并沿着衬底(12)的解理面分割衬底(12)。一种用于制造半导体器件的方法，包括：叠置均由化合物半导体制成的第一衬底(52)和第二衬底(54)；和通过使电流在第一衬底(52)与第二衬底(54)之间流动来键合第一衬底(52)和第二衬底(54)。

公开(公告)号：CN110073497A

公开(公告)日：2019-07-30

申请号：CN201780076727.X

申请日：2017-11-28

Applicant: 丰田自动车株式会社 ,  株式会社电装

Inventor： 三宅裕树 ,  浦上泰 ,  山下侑佑

IPC: H01L29/872 ,  H01L21/329 ,  H01L29/06 ,  H01L29/78

Abstract: 一种半导体装置，其具有半导体衬底、设置在半导体衬底的前表面中的第一沟槽、设置在第一沟槽内部的阳极电极、以及设置在半导体衬底的背表面上的阴极电极。所述半导体衬底具有第一p型区域、第二p型区域和与第一p型区域和第二p型区域接触的主n型区域，并且与第一沟槽的侧表面中的阳极电极形成肖特基接触。半导体衬底满足下述关系，即，当在平面图中观察前表面时，第一沟槽的面积小于主n型区域与在第一沟槽的侧表面中的阳极电极相接触的肖特基界面的面积。

公开(公告)号：CN106158602A

公开(公告)日：2016-11-23

申请号：CN201610322028.6

申请日：2016-05-16

Applicant: 丰田自动车株式会社

Inventor： 三宅裕树 ,  永冈达司

IPC: H01L21/04 ,  H01L21/329

CPC classification number: H01L29/6606 ,  H01L29/0619 ,  H01L29/1608 ,  H01L29/872 ,  H01L21/0495 ,  H01L29/66143

Abstract: 本发明提供一种半导体装置的制造方法，在所述半导体装置中，SiC基板的表面被热氧化膜覆盖，在该热氧化膜上形成有开口，在露出于该开口中的SiC基板的表面上形成有肖特基电极，并且漏泄电流较大。在SiC基板内形成半导体结构，在该SiC基板的表面上形成热氧化膜，对该热氧化膜的一部分进行蚀刻从而形成到达SiC基板的表面的开口，向该开口填充成为肖特基电极的材料。在从半导体结构的完成起至热氧化膜的形成为止的期间内，不经过在SiC基板的表面上形成牺牲热氧化膜的过程。

公开(公告)号：CN110086358A

公开(公告)日：2019-08-02

申请号：CN201910065476.6

申请日：2019-01-24

Applicant: 丰田自动车株式会社

Inventor： 三宅裕树

IPC: H02M7/00 ,  H02M7/48 ,  H02M3/10 ,  H02M1/00

Abstract: 一种电力变换装置，包括：通过使用第一半导体材料构成的第一开关元件；以及与第一开关元件并联连接以及通过使用具有比第一半导体材料的带隙窄的带隙的第二半导体材料构成的第二开关元件。电力变换装置还包括控制装置，控制装置被配置为选择性地执行分别根据电流指令值间歇地接通第一开关元件和第二开关元件的第一开关控制和第二开关控制中的任一种。第一开关元件的尺寸小于第二开关元件的尺寸。如果电流指令值小于第一阈值则控制装置选择第一开关控制，以及如果电流指令值大于第二阈值则控制装置选择第二开关控制。

公开(公告)号：CN109586587A

公开(公告)日：2019-04-05

申请号：CN201810908108.9

申请日：2018-08-10

Applicant: 丰田自动车株式会社

Inventor： 三宅裕树

IPC: H02M7/00

Abstract: 一种电力转换器包括一个以上第一转换电路、一个以上第二转换电路和控制器。所述第一转换电路被配置为使用沟槽型的晶体管。所述第二转换电路被配置为使用平面型的晶体管。所有的所述一个以上第一转换电路和所有的所述一个以上第二转换电路彼此并联连接或者彼此串联连接。所述控制器在输出命令值低于预定输出阈值时停止所有的所述一个以上第二转换电路并且操作一个以上所述第一转换电路。所述控制器在所述输出命令值超过所述预定输出阈值的情况下操作所有的所述一个以上第一转换电路并且操作一个以上所述第二转换电路。

公开(公告)号：CN106206755A

公开(公告)日：2016-12-07

申请号：CN201610365315.5

申请日：2016-05-27

Applicant: 丰田自动车株式会社

Inventor： 三宅裕树 ,  永冈达司

IPC: H01L29/872 ,  H01L29/06 ,  H01L29/47

CPC classification number: H01L27/0629 ,  H01L27/0727 ,  H01L29/0619 ,  H01L29/0623 ,  H01L29/0649 ,  H01L29/1608 ,  H01L29/36 ,  H01L29/407 ,  H01L29/42368 ,  H01L29/7806 ,  H01L29/7813 ,  H01L29/872 ,  H01L29/0607 ,  H01L29/47 ,  H01L29/8725

Abstract: 一种肖特基势垒二极管，具备：阳极电极，其与半导体基板的表面肖特基接触；阴极电极，其与半导体基板的背面欧姆接触。形成有从所述半导体基板的表面朝向背面延伸的沟槽，沟槽的内表面由绝缘膜覆盖。在沟槽的深部处堆积有绝缘层，并且在沟槽的浅部处堆积有导电层。在半导体基板内设置有：n型的表面侧区域，其与阳极电极相接；n型的背面侧区域，其与阴极电极相接；n型的中间区域，其对表面侧区域和背面侧区域进行连接；p型的区域，其与沟槽的底面相接；导通路径，其将p型的区域连接于所述阳极电极。