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公开(公告)号：CN117635364A
公开(公告)日：2024-03-01
申请号：CN202311018205.8
申请日：2023-08-14
Applicant: 丰田自动车株式会社
IPC: G06Q50/04 , G06Q50/06 , G06Q10/0631
Abstract: 本公开涉及管理方法和管理装置。用于对由生产第一产品和第二产品的生产线上的产品的生产而排放的CO2排放量进行管理的管理方法包括：获取在规定期间在所述生产线上消耗的电能消耗；以及基于在所述规定期间在所述生产线上生产所述第一产品所需的作业时间的总和与在所述规定期间在所述生产线上生产所述第二产品所需的作业时间的总和的比率，对所述电能消耗进行分配，由此计算各产品的CO2排放量。
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公开(公告)号：CN116703053A
公开(公告)日：2023-09-05
申请号：CN202310108571.6
申请日：2023-02-14
Applicant: 丰田自动车株式会社
IPC: G06Q10/0631 , G06Q50/26
Abstract: 本公开涉及管理装置、管理方法以及管理系统。管理装置包括：存储部，被配置为存储因二次电池的制造而排放出的CO2排放量；以及控制部，被配置为在所述二次电池被对所述二次电池进行再利用的经营者再利用的情况下，在与所述经营者之间根据被再利用时的所述二次电池的劣化度来按比例分配所述CO2排放量。
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公开(公告)号：CN103282559A
公开(公告)日：2013-09-04
申请号：CN201180062930.4
申请日：2011-12-26
CPC classification number: C30B15/20 , C30B15/14 , C30B15/30 , C30B15/305 , C30B17/00 , C30B29/36 , Y10T117/1068
Abstract: 本发明提供一种易于向SiC晶种附近供给碳的SiC单晶体的制造装置。在将感应加热装置使电磁波向坩埚侧壁浸透的浸透深度设为D1（mm），将感应加热装置使电磁波向SiC溶液浸透的浸透深度设为D2（mm），将坩埚侧壁的厚度设为T（mm），将坩埚的内半径设为R（mm）时，控制装置控制感应加热装置，以使得在感应加热装置中流动的交流电流的频率f满足式（1）。（D1－T）×D2／R＞1（1）在此，D1由式（2）定义，D2由式（3）定义。D1＝503292×（1／（f×σc×μc））1/2（2）D2＝503292×（1／（f×σs×μs））1/2（3）在此，σc是侧壁的导电率（S／m），σs是SiC溶液的导电率（S／m）。μc是侧壁的相对磁导率（无量纲量），μs是SiC溶液的相对磁导率（无量纲量）。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN117709611A
公开(公告)日：2024-03-15
申请号：CN202310963652.4
申请日：2023-08-02
Applicant: 丰田自动车株式会社
IPC: G06Q10/0631 , G06Q50/26
Abstract: 本公开涉及管理装置以及管理方法。控制装置从存储装置读出电力消耗量、第一产品组的交货编号和重量的信息、以及第二产品组的交货编号和重量的信息。控制装置基于第一产品组与第二产品组的重量比来按比例分配电力消耗量，分别计算分配给第一产品组的第一电力消耗量和分配给第二产品组的第二电力消耗量。控制装置从存储装置读出第一换算式，将第一电力消耗量和第二电力消耗量输入至第一换算式来分别计算由于从A站到B站的第一产品组的运输而排放的CO2排放量和由于从A站到B站的第二产品组的运输而排放的CO2排放量。
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公开(公告)号：CN117649041A
公开(公告)日：2024-03-05
申请号：CN202311023742.1
申请日：2023-08-15
Applicant: 丰田自动车株式会社
IPC: G06Q10/063 , G06Q50/04 , G06Q50/26
Abstract: 本发明涉及管理装置和管理方法，用于对因产品的生产而排出的CO2排出量进行管理，管理方法包括：读出作为第一原材料的每单位重量的CO2排出量的第一CO2排出量、和作为第二原材料的每单位重量的CO2排出量的第二CO2排出量；和基于根据上述第一CO2排出量和在上述产品的生产中使用的上述第一原材料的重量计算的CO2排出量、以及根据上述第二CO2排出量和在上述产品的生产中使用的上述第二原材料的重量计算的CO2排出量来计算上述产品的CO2排出量。
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公开(公告)号：CN117649040A
公开(公告)日：2024-03-05
申请号：CN202310967519.6
申请日：2023-08-02
Applicant: 丰田自动车株式会社
Abstract: 本公开涉及管理装置、管理方法以及管理系统。设于上游侧的第一企业的第一管理装置具备通信部，该通信部获取产品被输送车输送至下游侧的第二企业时的输送车的位置信息。此外，第一管理装置具备处理器，该处理器进行以下控制：在基于获取到的上述位置信息感测到输送车进入了第二企业的场地内的情况下，将包含因产品的制造而排放出的二氧化碳量的信息通知给第二企业。
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公开(公告)号：CN117541424A
公开(公告)日：2024-02-09
申请号：CN202310943779.X
申请日：2023-07-28
Applicant: 丰田自动车株式会社
Abstract: 本公开涉及管理装置、管理方法以及管理系统。被配置为对从上游侧的第一企业(201)向下游侧的第二企业(101)交货的至少一个产品(202)进行管理的所述第二企业(101)的管理装置(100)包括：第一控制器(130)，被配置为将所述产品(202)的识别信息发送至所述第一企业(201)；以及第二控制器(120)，被配置为对所述产品(202)进行管理。所述第一企业(201)的第一管理装置(200)被配置为基于从所述第一控制器(130)接收到所述识别信息来将第一信息发送至所述第一控制器(130)。所述第一信息是基于由所述产品(202)的制造而排放出的第一二氧化碳量的信息。所述第二控制器(120)被配置为将所述产品(202)与所述第一二氧化碳量相互建立关联地进行管理。
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公开(公告)号：CN103282559B
公开(公告)日：2016-03-02
申请号：CN201180062930.4
申请日：2011-12-26
CPC classification number: C30B15/20 , C30B15/14 , C30B15/30 , C30B15/305 , C30B17/00 , C30B29/36 , Y10T117/1068
Abstract: 本发明提供一种易于向SiC晶种附近供给碳的SiC单晶体的制造装置。在将感应加热装置使电磁波向坩埚侧壁浸透的浸透深度设为D1（mm），将感应加热装置使电磁波向SiC溶液浸透的浸透深度设为D2（mm），将坩埚侧壁的厚度设为T（mm），将坩埚的内半径设为R（mm）时，控制装置控制感应加热装置，以使得在感应加热装置中流动的交流电流的频率f满足式（1）。（D1－T）×D2／R＞1（1）在此，D1由式（2）定义，D2由式（3）定义。D1＝503292×（1／（f×σc×μc））1/2（2）D2＝503292×（1／（f×σs×μs））1/2（3）在此，σc是侧壁的导电率（S／m），σs是SiC溶液的导电率（S／m）。μc是侧壁的相对磁导率（无量纲量），μs是SiC溶液的相对磁导率（无量纲量）。
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