公开(公告)号：CN114639758A

公开(公告)日：2022-06-17

申请号：CN202111407475.9

申请日：2021-11-24

Applicant: 丰田合成株式会社

Inventor： 永田贤吾 ,  斋藤义树 ,  片冈惠太 ,  成田哲生 ,  近藤嘉代

IPC: H01L33/02 ,  H01L33/00

Abstract: 本发明提供一种发光元件及其制造方法，该发光元件具有通过费米能级与导带的简并而有效降低电阻的、以IV族元素的浓度为掺杂剂的由AlGaN形成的n型接触层。作为本发明的一个方式，提供发光元件(1)，其具备：费米能级与导带简并的、由AlGaN形成的n型接触层(12)以及层叠在n型接触层(12)上的、由AlGaN形成的发光层(13)；n型接触层(12)的Al组成x比发光层(13)的Al组成x大0.1以上，n型接触层(12)具有产生上述简并且为4.0×1019cm‑3以下的有效供体浓度。

公开(公告)号：CN113823722A

公开(公告)日：2021-12-21

申请号：CN202110648357.0

申请日：2021-06-10

Applicant: 丰田合成株式会社

Inventor： 永田贤吾 ,  斋藤义树 ,  片冈惠太 ,  成田哲生 ,  近藤嘉代

IPC: H01L33/40 ,  H01L33/00

Abstract: 本发明提供具有n型接触层的发光元件及其制造方法，该n型接触层通过费米能级与导带的简并有效地降低了电阻，且由将Si作为掺杂剂的AlGaN构成。作为本发明的一个方式，提供发光元件(1)，其具备费米能级与导带简并的由AlGaN构成的n型接触层(12)、和层叠于n型接触层(12)的由AlGaN构成的发光层(13)，n型接触层(12)的Al成分比发光层(13)的Al成分大10％以上且为70％以下，n型接触层(12)含有发生上述简并的浓度且为4.0×1019cm‑3以下的浓度的Si。

公开(公告)号：CN105590998A

公开(公告)日：2016-05-18

申请号：CN201510740871.1

申请日：2015-11-04

Applicant: 丰田合成株式会社

Inventor： 永田贤吾 ,  中村亮

IPC: H01L33/04 ,  H01L33/00

CPC classification number: H01L33/007 ,  H01L21/02458 ,  H01L21/02507 ,  H01L21/0254 ,  H01L21/0262 ,  H01L21/2056 ,  H01L33/04 ,  H01L33/06 ,  H01L33/30 ,  H01L33/0075

Abstract: 为了提供一种III族氮化物半导体发光器件生产方法，该方法旨在不减小发光层的In浓度的情况下生长平坦的发光层。本技术的方法包括n侧超晶格层形成步骤，其中重复形成InGaN层、布置在InGaN层上的GaN层以及布置在GaN层上的n型GaN层。在InGaN层的形成中，供给氮气作为载气。在n形GaN层的形成中，供给由氮气和氢气形成的第一混合气体作为载气。第一混合气体具有大于0％并且小于或等于75％的氢气体积比率。