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公开(公告)号：CN114383740A
公开(公告)日：2022-04-22
申请号：CN202111520589.4
申请日：2021-12-13
Applicant: 中国航空工业集团公司北京长城计量测试技术研究所
IPC: G01J9/02
Abstract: 本发明公开的一种芯片化波长标准获取装置及波长测量装置，属于长度计量测试领域。本发明公开的一种芯片化波长标准获取装置，由于原子能级是量子化的，其基态能级差是确定不变的，将微腔芯片输出的激光波长锁定至原子基态能级差，因此获得的波长标准具有量子化的精度。本发明公开的一种基于芯片化波长标准的波长测量装置，基于所述一种芯片化波长标准获取装置实现，采用波长标准结合劈尖干涉，将波长的测量直接与量子化的波长标准联系起来，显著提高波长测量的准确性。本发明具有体积小、成本低、可集成的优点。本发明能够很方便的用于各种现场环境下波长测量。本发明能够支撑波长测量装置嵌入到测量设备中，实现波长的在线、高精度测量。
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公开(公告)号：CN114370596A
公开(公告)日：2022-04-19
申请号：CN202111490041.X
申请日：2021-12-08
Applicant: 中国航空工业集团公司北京长城计量测试技术研究所
Abstract: 本发明公开的一种提升碱金属纯度的气室及实现方法，属于原子精密光谱测量技术领域。本发明利用玻璃吹制法制作非对称双气室，即碱金属工作气室、缓冲气体气室。利用非对称双气室的压差分离缓冲气体。碱金属工作气室内为碱金属蒸汽与缓冲气体的混合气体。在碱金属工作气室、缓冲气体气室之间的玻璃连接管中有缓冲气体半透膜，所述缓冲气体半透膜只允许缓冲气体通过，而不允许碱金属气体通过。缓冲气体半透膜固定在玻璃连接管的中间位置或固定在靠近碱金属气室一侧。在碱金属工作气室、缓冲气体气室具有压差以及选择性缓冲气体半透膜作用下，通过渗透和扩散方式实现部分缓冲气体分离，进而提升工作气室中碱金属蒸汽纯度，降低碰撞展宽对光谱的影响。
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公开(公告)号：CN117996562A
公开(公告)日：2024-05-07
申请号：CN202410021925.8
申请日：2024-01-05
Applicant: 中国航空工业集团公司北京长城计量测试技术研究所
Abstract: 本发明公开了一种基于铷原子双光子跃迁的高稳定芯片化波长标准装置，所述装置在激光频率稳定度低于设定值的情况下，激光通过第一光阑进入热原子模块，通过第一光电探测器和第一稳频模块，输出误差信号反馈给激光器控制模块，将激光波长锁定至热原子跃迁能级，实现激光频率的初稳频；在激光频率稳定度达到设定值的情况下，激光通过第二光阑进入冷原子模块，通过第二光电探测器和第二稳频模块，输出误差信号反馈给激光器控制模块，将激光波长锁定至冷原子跃迁能级，实现激光频率的再稳频和线宽压缩，并通过第二分束器输出高稳定波长标准。本发明可以提高芯片化波长标准的频率稳定度，压缩激光线宽，并且具有小体积、可集成、低成本的优点。
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公开(公告)号：CN117673898A
公开(公告)日：2024-03-08
申请号：CN202311593521.8
申请日：2023-11-27
Applicant: 中国航空工业集团公司北京长城计量测试技术研究所
IPC: H01S5/20 , G02F1/01 , G02B6/42 , H01S5/183 , H01S5/026 , H01S5/0239 , H01S5/0225 , H01S5/024
Abstract: 本发明公开的一种集成式微腔光梳芯片封装结构及封装方法，属于硅基光器件制备技术领域。本发明采用垂直结构，构成从下到上依次为微腔芯片、焊球、激光器芯片。激光器芯片用于提供光源，焊球用于控制两芯片键合的角度，微腔芯片用于产生光梳，微腔芯片中波导结构由衍射光栅波导、相位调控波导和环形波导构成。微腔芯片中的衍射光栅波导用于接收激光器发出的激光，并且通过光栅的周期设计增加激光器芯片与微腔芯片之间的耦合效率。本发明将VCSEL激光器芯片倒装焊接在微腔芯片上表面，通过氮化硅波导层的光栅耦合机构实现光从激光器到波导层的耦合；通过金属加热电极用于控制激光传输相位，实现微腔光梳需要严格的相位匹配，实现自注入锁定光频梳。
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公开(公告)号：CN114370596B
公开(公告)日：2023-07-14
申请号：CN202111490041.X
申请日：2021-12-08
Applicant: 中国航空工业集团公司北京长城计量测试技术研究所
Abstract: 本发明公开的一种提升碱金属纯度的气室及实现方法，属于原子精密光谱测量技术领域。本发明利用玻璃吹制法制作非对称双气室，即碱金属工作气室、缓冲气体气室。利用非对称双气室的压差分离缓冲气体。碱金属工作气室内为碱金属蒸汽与缓冲气体的混合气体。在碱金属工作气室、缓冲气体气室之间的玻璃连接管中有缓冲气体半透膜，所述缓冲气体半透膜只允许缓冲气体通过，而不允许碱金属气体通过。缓冲气体半透膜固定在玻璃连接管的中间位置或固定在靠近碱金属气室一侧。在碱金属工作气室、缓冲气体气室具有压差以及选择性缓冲气体半透膜作用下，通过渗透和扩散方式实现部分缓冲气体分离，进而提升工作气室中碱金属蒸汽纯度，降低碰撞展宽对光谱的影响。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN120008761A
公开(公告)日：2025-05-16
申请号：CN202411781749.4
申请日：2024-12-05
Applicant: 中国航空工业集团公司北京长城计量测试技术研究所
Abstract: 一种微盘腔光温度传感器的结构设计及工艺制备方法，属于集成光子器件领域。本发明通过推导微盘腔参数与耦合强度的关系设计具体结构参数，将多次光刻和湿法、干法刻蚀工艺相结合，得到基于氮化硅的微盘腔‑波导耦合结构；本发明通过折射率与耦合强度相关将光信号传递至温度，将光功率与温度的变化建立起联系，通过改变光功率与温度变化关系中的参数系数来提高微区温度测试的灵敏度、设计测温范围。本发明通过膜层生长后的退火，提高膜层的致密性，对提高结构的Q值有增益效果，且能够间接提高测试的灵敏度。本发明在反应腔室中通入氮气升温至温度D并退火，通过控制氮化硅膜层的硅氮比，能够提升波导与微盘的耦合效果，扩大微区测温的范围。
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公开(公告)号：CN117467938A
公开(公告)日：2024-01-30
申请号：CN202311568372.X
申请日：2023-11-23
Applicant: 中国航空工业集团公司北京长城计量测试技术研究所
Abstract: 本发明涉及一种高质量大厚度的二氧化硅膜层的制备方法，属于硅基光子器件制备技术领域。本发明的目的是为了解决现有技术存在的大厚度和高质量、高性能膜层无法兼顾的问题，提供一种高质量大厚度的二氧化硅膜层的制备方法；该方法通过干湿氧化过程与高温退火结合，在重整干湿干工艺的同时对部分干氧和退火过程进行设计，可以在保持生长速率的同时提高大厚度二氧化硅膜层的质量、对光的束缚性。
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公开(公告)号：CN116101970A
公开(公告)日：2023-05-12
申请号：CN202211090973.X
申请日：2022-09-07
Applicant: 中国航空工业集团公司北京长城计量测试技术研究所
Abstract: 本发明公开的一种微型原子气室的制备方法，属于原子气室制备技术领域。本发明主要基于CMOS平台兼容的MEMS深硅刻蚀方法实现微型原子气室腔体，采用键合的方式实现微型原子气室的封闭，采用微通道连通的非对称双气室结构避免微型原子气室的直接填充，采用加热和紫外光辐照的方式实现碱金属单质的充分释放。最后结合激光退火方法进行微通道局部熔融实现微通道的封闭，通过划片等方式实现较大气室与微型原子气室的分离。本发明能够规避微型原子气室的填充难题以及工艺波动问题；降低微型原子气室的制备难度，提升微型原子气室参数的均匀性，使得基于MEMS工艺的微型原子气室更容易实现量产。
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公开(公告)号：CN112578499B
公开(公告)日：2022-07-22
申请号：CN202011392129.3
申请日：2020-12-01
Applicant: 中国航空工业集团公司北京长城计量测试技术研究所
Abstract: 一种用于光频梳的氮化硅微环谐振腔的制备方法，包括：硅片上生长二氧化硅作为下包层；下包层上生长氮化硅作为缓冲层；缓冲层上生长二氧化硅作为掩膜层，再将其制备成长条形、方形或者圆形的周期性结构；在具有周期性结构的缓冲层上分多步生长氮化硅作为波导层，生长结束后进行高温退火，冷却后再次进行氮化硅生长直到所需的波导层厚度；在波导层上旋涂一层聚合物，然后进行纳米压印，形成图形，压印结束后移去纳米压印模板；利用ICP刻蚀工艺将聚合物图形转移到氮化硅波导层上，并对硅片进行有机清洗，去掉聚合物，完成图形转移，得到微环结构和条形波导结构；在波导层上继续生长一层二氧化硅作为上包层，完成氮化硅微环谐振腔的制备。
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公开(公告)号：CN114400504A
公开(公告)日：2022-04-26
申请号：CN202111485430.3
申请日：2021-12-07
Applicant: 中国航空工业集团公司北京长城计量测试技术研究所
IPC: H01S5/22
Abstract: 本发明公开的一种低损耗氮化硅波导的制备方法，属于硅基光子器件制备技术领域。本发明在硅片上生长厚的二氧化硅膜作为下包层；在下包层上通过光刻刻蚀实现目标波导槽的图形转移；进行高温退火实现二氧化硅回流；使用各向异性的沉积方法沉积氮化硅薄膜；使用化学气相沉积生长芯层保护层氧化硅薄膜；使用化学机械平坦化去除高处的氮化硅薄膜，槽内的氮化硅作为波导芯层；进行高温退火改善氮化硅的形貌和光学损耗；生长厚的二氧化硅薄膜作为上包层；完成低损耗氮化硅波导的制备。本发明使用与CMOS平台兼容的方法，利用各向异性填槽和化学机械研磨方法，避免对波导芯层的刻蚀和直接研磨，从而避免芯层表面粗糙度和损伤带来的损耗。
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