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公开(公告)号：CN114944335B
公开(公告)日：2025-02-07
申请号：CN202210398920.8
申请日：2022-04-15
Applicant: 中国空间技术研究院
Abstract: 一种硅PNP晶体管抗电离总剂量辐射加固工艺，包括：选择合适掺杂浓度的硅外延片，通过四次氧化工艺，基区、发射区的光刻和杂质注入，重金属掺杂，合金化，钝化，刻蚀等工艺流程，可以制作出一种硅基PNP晶体管。本发明能大幅度降低电离辐照诱导的氧化物俘获正电荷和界面态影响，可以大大增强双极器件的抗总剂量辐照性能，能有效提高硅PNP晶体管抗电离总剂量辐射能力。
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公开(公告)号：CN107677898B
公开(公告)日：2020-02-14
申请号：CN201710694510.7
申请日：2017-08-15
Applicant: 中国空间技术研究院
IPC: G01R31/00
Abstract: 一种地面与在轨环境相结合的器件抗总剂量能力确定方法，该方法包括：对器件在轨电离辐射总剂量环境参数的确定，根据在轨电离辐射总剂量参数确定器件地面辐照试验的性能测试剂量点和辐照试验的剂量率，通过地面辐照试验确定器件电离辐射总剂量敏感参数，对器件进行在轨试验并实时检测器件的敏感参数的变化及器件所承受的电离辐射总剂量值，进而确定器件的抗辐射电离总剂量能力。本发明将地面辐照试验与轨道环境结合来确定器件的抗电离辐射总剂量能力，具有更准确的特点。
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公开(公告)号：CN109557442A
公开(公告)日：2019-04-02
申请号：CN201811404082.0
申请日：2018-11-23
Applicant: 哈尔滨工业大学 , 中国空间技术研究院 , 锦州七七七微电子有限责任公司
IPC: G01R31/26
Abstract: 本发明提供了一种线性电路辐射缺陷提取方法，其包括：步骤100，对线性电路进行分析，确定待分离的分立器件；步骤200，对待分离的所述分立器件进行切割分离；步骤300，测试分离后的所述分立器件电性能，进行筛选；步骤400，从筛选后的所述分立器件中引出电极；步骤500，通过引出的所述电极对所述分立器件进行缺陷测试。本发明所述的线性电路辐射缺陷提取方法，通过切割筛选的方式，对线性电路中的分立器件进行分离，并引出电极，从而可以对线性电路中的分立器件独立地进行缺陷测试，从而丰富现有的低剂量率增强效应的研究，达到更好的研究效果。
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公开(公告)号：CN109521295A
公开(公告)日：2019-03-26
申请号：CN201811347645.7
申请日：2018-11-13
Applicant: 中国空间技术研究院
Abstract: 一种低剂量率辐照损伤增强效应判定方法，包括步骤：1)获得所述待测试对象辐照前的电参数测试结果；2)制作成多个辐照试验线路板，分别进行不同剂量率、不同偏置的电离辐照试验，获得多个辐照剂量点的电参数测试结果；3)确定所述待测试对象的电参数退化量的比值和待测试对象的电参数退化可靠性影响因子；4)根据电参数退化量的比值和电参数退化可靠性影响因子，判定所述待测试对象是否具有低剂量率辐照损伤增强效应。本发明通过分别进行高低剂量率辐照试验，获得高低剂量率的对比数据，考虑元器件参数退化因子及低剂量率辐射损伤增强因子的大小，获得宇航用元器件是否具有低剂量率辐照损伤增强效应的评判结果。
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公开(公告)号：CN103869199B
公开(公告)日：2016-05-25
申请号：CN201410136726.8
申请日：2014-04-04
Applicant: 中国空间技术研究院 , 哈尔滨工业大学 , 石家庄天林石无二电子有限公司
IPC: G01R31/00
Abstract: 一种基于高温氢气浸泡技术的双极型器件低剂量率增强效应加速试验方法，涉及电子技术领域。本发明是为了解决现有的地面实验采用实际空间环境的低剂量率评估电子元器件进行抗辐射能力，导致辐照时间长的问题。本发明所述的采用TCAD软件模拟氢气气氛下的双极型器件电性能及电离辐射缺陷的变化规律，根据氢气气氛中双极型器件内的氧化物电荷与界面态密度，获得氢气浸泡的时间与氢气浓度，通过氢气浸泡、加热，加速双极型器件内部的电离辐射缺陷产生，从而起到加速低剂量率增强效应评价的作用，达到用高温氢气浸泡条件下高剂量率辐照双极型器件与低剂量率条件下辐照双极型器件的辐照时间相比所用的时间短的目的。它可用于航天电子系统中。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN103105548B
公开(公告)日：2015-08-19
申请号：CN201210576317.0
申请日：2012-12-27
Applicant: 中国空间技术研究院
IPC: G01R31/00
Abstract: 本发明公开了一种可移动的单粒子试验板调试平台，该调试平台包括样品架、样品架的两侧为左侧支板和右侧支板，样品架下方设有台钳卡头，台钳卡头上设有台钳锁紧把手以及顶帽。在进行器件单粒子试验前先将被试器件的试验板安装在该调试平台上进行调试，从而节省传统试验中需在试验预约时段内将被试器件的试验板安装在加速器上的试验支架上的时间，进而节省大量的试验经费，且该调试平台设有台钳卡头，结构简单，便于安装。
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公开(公告)号：CN102937698A
公开(公告)日：2013-02-20
申请号：CN201210390638.1
申请日：2012-10-15
Applicant: 中国空间技术研究院
IPC: G01R31/3167
Abstract: 一种DC/DC转换器单粒子效应检测系统及检测方法，系统包括输出电压调整电路、输入保护电路、电源及其监测电路、多路采集电路以及控制与数据处理系统；检测时，控制与数据处理系统给电源及其监测电路发出控制信号令电源及其监测电路给被测DC/DC器件提供工作电压，输入保护电路对被测DC/DC的输入端进行保护；被测DC/DC转换器的输出端连接有负载电阻，输出端的输出电压通过输出电压调整电路后由多路采集电路进行采集，再送入控制与数据处理系统，通过对开冒后的被测DC/DC转换器的辐照敏感区域进行高能粒子照射，对比照射前后控制与数据处理系统接收到的电压信号，从而得出是否发生单粒子效应的结论。
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公开(公告)号：CN116223940A
公开(公告)日：2023-06-06
申请号：CN202211689709.8
申请日：2022-12-27
Applicant: 中国空间技术研究院
IPC: G01R31/00
Abstract: 本发明公开一种模拟类器件单粒子瞬态通用检测系统，包括模拟量输入通道、ADC数据采集电路等；模拟量输入通道对所需采集的模拟信号进行放大滤波调理；ADC数据采集电路通过模拟量输入通道采集模拟信号，将模拟信号转为数字信号发送给FPGA控制器；FPGA控制器接收上位机指令，控制ADC数据采集电路工作，将采集数据发送至上位机；SDRAM存储器用于缓存采集数据；PCI通信接口实现FPGA控制器与上位机的通信，实现FPGA控制器与上位机之间的指令的传递和试验数据的传输；触发电路用于实现模拟信号的电平突变触发，当模拟信号满足所设置的触发条件时，触发FPGA控制器控制SDRAM存储器保存数据触发时和触发之后的数据；试验电路通用子板用于加载被测器件。
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公开(公告)号：CN115879352A
公开(公告)日：2023-03-31
申请号：CN202211526763.0
申请日：2022-11-30
Applicant: 中国空间技术研究院
Abstract: 本发明涉及一种基于监测限流单元的减缓SiC二极管单粒子烧毁的方法，步骤如下：步骤1，计算任务轨道环境的空间粒子LET能谱，根据任务需求确定高能粒子LET阈值；步骤2，根据SiC二极管的应用状态，确定最大关态电压；步骤3，TCAD仿真试验，将步骤1和步骤2确定的LET和电压值作为输入条件，开展SiC二极管TCAD单粒子仿真试验，分析确定瞬态电流恢复时长tresume；步骤4，给出快速监测自主限流的最大延迟时长tdelay，要求tdelay＜tresume。该发明可用于指导SiC高压功率二极管宇航应用，属于抗辐射加固技术领域。
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公开(公告)号：CN110879623B
公开(公告)日：2021-04-13
申请号：CN201911077242.X
申请日：2019-11-06
Applicant: 中国空间技术研究院
IPC: G05D23/20 , G01R31/311
Abstract: 一种具有校正功能的单粒子试验温度控制装置及温控方法，装置包括含加热片的一体化表贴工装、含功率热耗校正功能的温度控制模块以及多位置测量校正的探测模块，方法流程包含基于功率热分析的芯片试验温度设定，基于芯片温度探测的装置输出设置以及试验过程控制参数确定。本发明通过设计专用化的表贴加热工装，实现试验器件与加热位置的直接接触，提升效率，通过控制加热面积保证均匀性，温度控制模块具有基于试验器件功率热耗分布仿真数据施加温度校正功能，提升器件温控精度及准确性，同时，探测模块具有双路探测器，通过校正探测，确定试验过程控制参数。本发明装置组成简单，通用性强、准确性高，相应试验方法具有易于工程化特点。
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