一种调控石墨烯电化学剥离的方法

    公开(公告)号:CN109824042B

    公开(公告)日:2022-04-05

    申请号:CN201711183132.2

    申请日:2017-11-23

    Abstract: 本发明涉及石墨烯领域,具体为一种调控石墨烯电化学剥离的方法。采用CVD法在生长基底上生长石墨烯层,通过结合层使石墨烯与目标基底结合,形成目标基底/结合层/石墨烯/生长基底的复合结构;将此复合结构作负极,电解鼓泡剥离石墨烯薄膜,通过调节生长过程参数,增加石墨烯晶界密度和褶皱密度,进而提高电化学剥离石墨烯过程中气泡的形核位点数量和扩散速度,从而实现石墨烯电化学剥离法的可控进行,以及高导电性石墨烯薄膜的高效、大面积、低成本制备。本发明解决工业上大规模转移石墨烯薄膜上的一系列技术问题,推动其大规模应用于透明导电膜和电子器件等领域。

    一种石墨烯导电微球的制备方法及其应用

    公开(公告)号:CN109205594B

    公开(公告)日:2022-04-05

    申请号:CN201710516037.3

    申请日:2017-06-29

    Abstract: 本发明涉及石墨烯导电球的制备与应用领域,具体为一种利用氧化石墨烯包覆微球再经还原制备石墨烯导电微球的方法及其应用。该石墨烯导电微球主要由无机、有机或无机/有机复合微球作为支撑结构,其外包覆石墨烯导电层组成,其制备方法主要包括:(1)在氧化石墨烯水溶液中加入表面活性剂,超声至混合均匀;(2)将微球加入到上述溶液中,超声混合的同时加入还原剂;(3)加热、搅拌将包覆在微球表面的氧化石墨烯还原;(4)离心分离、清洗、干燥得到均匀包覆的石墨烯导电球。本发明工艺简单、操作快捷、产率高、适于工业化生产,所制备的石墨烯导电球可替代传统的包覆了金、镍等导电球作为导电、导热填料应用于压敏、热敏、导电元件中。

    一种石墨烯膜做为耐高温热界面材料或散热膜材料的应用

    公开(公告)号:CN114214042A

    公开(公告)日:2022-03-22

    申请号:CN202111537991.3

    申请日:2021-12-15

    Abstract: 本发明涉及新材料及其应用技术领域,具体涉及一种石墨烯膜做为耐高温热界面材料或散热膜材料的应用。该石墨烯膜在面内和垂直平面方向上均具有优异的导热性能:面内导热率为400~1500W/mK,垂直平面方向导热率为10~180W/mK;石墨烯膜具有良好的柔韧性,导热性能优异,作为一种全炭耐高温的在面内和垂直平面均具有优异导热性能的耐高温热界面材料或散热膜材料应用。所制备的石墨烯膜具有很高的结晶质量和柔韧性,在面内和垂直平面方向上均具有优异的导热性能。由于所述石墨烯膜为高结晶质量的全炭结构,可在800℃以下空气环境下稳定使用,在热管理领域具有巨大的应用潜力。

    一类二维层状三元化合物及其制备方法

    公开(公告)号:CN113718227A

    公开(公告)日:2021-11-30

    申请号:CN202010446362.9

    申请日:2020-05-25

    Abstract: 本发明涉及二维层状三元化合物材料及其化学气相沉积(CVD)制备领域,具体为一类二维层状三元化合物及其制备方法。二维层状三元化合物中,每层由Y‑X‑Y‑M‑Y‑X‑Y这7个原子层构成,层间为范德华力结合。采用铜/过渡族金属双金属层基底,引入第四主族元素和第五主族元素,在不高于铜熔点的高温下通过CVD生长出单层或少层MX2Y4三元化合物,后续刻蚀铜基底将其转移到任意基体上。本发明具有制备工艺简单,产物成分、厚度和尺寸易于调控,以及适于大面积高质量薄膜制备等特点,为二维MX2Y4在电子器件、光电子器件、谷电子学器件、高强度薄膜、高透光薄膜、质子/离子交换膜、分离膜等领域的研究和应用奠定了基础。

    一种利用纳米碳材料包覆微球制备异方性导电胶膜的方法及其应用

    公开(公告)号:CN113621331A

    公开(公告)日:2021-11-09

    申请号:CN202110844643.4

    申请日:2021-07-26

    Abstract: 本发明涉及异方性导电胶膜的制备与应用领域,具体为一种利用纳米碳材料包覆微球制备异方性导电胶膜的方法及其应用。首先,制备以碳纳米管和/或石墨烯等纳米碳材料作为导电层的核壳结构导电粒子,制备过程中引入表面活性剂分散纳米碳材料,并且通过控制清洗条件使部分表面活性剂残留,在不影响微球导电性的同时可促进其在框胶中的均匀分散;然后,采用少量多次的方式向框胶体系中添加纳米碳材料包覆的导电球,可精确控制导电球的均匀度及密度,从而调控导电胶膜的性能;脱泡成膜后再经热压固化即可获得异方性导电胶膜。该异方性导电胶膜具有厚度可控、导电球分散均匀、密度可调、粘结性好的特点,在微电子封装等领域应用前景广阔。

    一种基于纳米晶石墨烯的拉曼增强衬底及制备方法

    公开(公告)号:CN111257298B

    公开(公告)日:2021-05-28

    申请号:CN201811451154.7

    申请日:2018-11-30

    Abstract: 本发明涉及石墨烯及拉曼增强衬底领域,具体为一种基于纳米晶石墨烯的拉曼增强衬底及制备方法,适于染料分子快速拉曼检测。衬底为纳米晶石墨烯置于基底表面形成的复合衬底,纳米晶石墨烯层数为1~10层,晶畴尺寸为1nm~100nm。将纳米晶石墨烯薄膜与基底复合,得到一种拉曼增强衬底,将所制备的拉曼增强衬底浸泡于需要检测分子的溶液中一段时间,取出并用温和保护性气体吹干,通过激光拉曼仪器,可以测得被检测分子的拉曼增强信号。本发明的拉曼增强衬底制作工艺简单,容易实现,灵敏度高,成本低,制备过程环境友好,可批量化生产,在小分子探测、表面科学研究、生物分子检测,食品安全等领域具有重要应用。

    一种高效掺杂石墨烯的超强酸掺杂剂和掺杂方法

    公开(公告)号:CN107867682B

    公开(公告)日:2021-03-26

    申请号:CN201610854519.5

    申请日:2016-09-27

    Abstract: 本发明涉及石墨烯领域,具体为一种高效掺杂石墨烯的超强酸掺杂剂和掺杂方法,该掺杂剂适用于不同基体上不同层数石墨烯的p型掺杂。掺杂剂采用超强酸或者含有超强酸的混合物,将掺杂剂与未转移的石墨烯本征表面接触后,对石墨烯进行掺杂。本发明采用超强酸掺杂具有高效、稳定的特点,为实现掺杂态石墨烯在电子、光电子器件中的应用奠定了基础。

    一种同步提高二维材料的电导率和透光率的方法

    公开(公告)号:CN112489878A

    公开(公告)日:2021-03-12

    申请号:CN201910857331.X

    申请日:2019-09-11

    Abstract: 本发明涉及二维材料的制备领域,具体为一种通过光学增透型掺杂剂薄膜同步提高二维材料的电导率和透光率的方法,适用于制备不同基体上不同类型的二维材料透明导电薄膜。该方法通过光学增透型掺杂剂薄膜对透明基底上的二维材料进行光电共调制,实现二维材料电导率和透光率的同步提高;在二维材料的上表面形成掺杂剂的光学增透薄膜,对二维材料进行掺杂提高其电导率,同时利用薄膜的减反增透效应提高二维材料的透光率。其中,光学增透型掺杂剂包括无机物或者有机物,掺杂类型为p型或n型。该方法为发展高性能二维材料导电薄膜,实现其在电子和光电子器件中的应用奠定了基础。

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