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公开(公告)号：CN116960186A
公开(公告)日：2023-10-27
申请号：CN202311161002.4
申请日：2023-09-08
Applicant: 中国科学院微电子研究所
Abstract: 本发明公开了一种环栅晶体管，涉及半导体技术领域，用于增强栅堆叠结构对每层纳米结构沿长度方向两侧边缘部分的控制能力，利于提升环栅晶体管的驱动性能。所述环栅晶体管包括：半导体基底、源区、漏区、至少一层纳米结构、栅堆叠结构和内侧墙。上述源区、漏区和至少一层纳米结构形成在半导体基底上。至少一层纳米结构位于源区和漏区之间。栅堆叠结构环绕在每层纳米结构的外周。内侧墙位于栅堆叠结构与源区之间、以及栅堆叠结构与漏区之间。内侧墙具有靠近栅堆叠结构的内侧壁，内侧壁沿栅堆叠结构宽度方向的中部区域的表面相对于边缘区域的表面向内凹入或向外凸出。
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