公开(公告)号：CN102944588A

公开(公告)日：2013-02-27

申请号：CN201210482757.X

申请日：2012-11-23

Applicant: 中国科学院微电子研究所

Inventor： 白云 ,  申华军 ,  汤益丹 ,  王弋宇 ,  韩林超 ,  刘新宇

IPC: G01N27/22

Abstract: 本发明公开了一种测量高Al组分AlGaN材料的刻蚀诱生界面态参数的方法，该方法包括：在蓝宝石衬底上外延高Al组分AlGaN材料；利用ICP刻蚀技术对AlGaN材料表面进行处理；制备基于AlGaN材料的无刻蚀处理及经过刻蚀处理的不同条件的肖特基二极管；利用肖特基电容谱法获得AlGaN材料刻蚀诱生界面态密度及能级分布状况。本发明根据肖特基电容谱法测量界面态的原理，提出利用电容谱技术来测量AlGaN材料刻蚀诱生界面态，避免了利用深能级瞬态谱(DLTS)及PL谱的等其他测量诱生缺陷方法的局限性。

公开(公告)号：CN102931224A

公开(公告)日：2013-02-13

申请号：CN201210298644.4

申请日：2012-08-21

Applicant: 中国科学院微电子研究所 ,  株洲南车时代电气股份有限公司

Inventor： 汤益丹 ,  刘可安 ,  申华军 ,  白云 ,  李博 ,  王弋宇 ,  刘新宇 ,  李诚瞻 ,  史晶晶

IPC: H01L29/45 ,  H01L21/04

Abstract: 本发明公开了一种用于P-SiC欧姆接触的界面过渡层复合结构，该界面过渡层复合结构处于SiC衬底与金属层之间，包括富Al层和特定化学成分配比的碳化物混合层，其中，富Al层形成于SiC衬底之上，特定化学成分配比的碳化物混合层形成于富Al层之上，金属层形成于特定化学成分配比的碳化物混合层之上。本发明同时公开了一种制作界面过渡层复合结构的方法。利用本发明提出的界面过渡层复合结构，可有效调节接触势垒高度，提高接触层载流子浓度，增加载流子隧穿机率，有效实现P型SiC材料的良好欧姆接触，且本发明公开的界面过渡层复合结构制作方法简单、可重复性高。