公开(公告)号：CN102931272A

公开(公告)日：2013-02-13

申请号：CN201210483359.X

申请日：2012-11-23

Applicant: 中国科学院微电子研究所

Inventor： 白云 ,  申华军 ,  汤益丹 ,  王弋宇 ,  韩林超 ,  刘新宇

IPC: H01L31/112 ,  H01L31/18

CPC classification number: Y02P70/521

Abstract: 本发明公开了一种基于SiC的具有增益的紫外探测器及其制备方法，该紫外探测器包括：半绝缘SiC衬底；在该半绝缘SiC衬底上外延生长的p型缓冲SiC外延层；在该p型缓冲SiC外延层上外延生长的n型SiC外延层；在该n型SiC外延层上外延生长的n+型SiC外延层；部分刻蚀该n+型SiC外延层至露出该n型SiC外延层从而在该n型SiC外延层表面形成的条状凹栅区；在该条状凹栅区两侧未被刻蚀的该n+型SiC外延层上形成的源漏区欧姆接触源极和漏极；在该条状凹栅区上形成的透明肖特基势垒栅极；以及在欧姆接触源极、漏极与透明肖特基势垒栅极之间形成的钝化介质层。本发明提出的SiC紫外探测器结构，不需加高的偏置电压就可以获得较高的增益，并能够避免由于雪崩引起的额外噪声。

公开(公告)号：CN103000698B

公开(公告)日：2015-12-09

申请号：CN201210483461.X

申请日：2012-11-23

Applicant: 中国科学院微电子研究所 ,  株洲南车时代电气股份有限公司

Inventor： 白云 ,  刘可安 ,  申华军 ,  汤益丹 ,  王弋宇 ,  韩林超 ,  刘新宇 ,  李诚瞻 ,  史晶晶

IPC: H01L29/872 ,  H01L29/06 ,  H01L21/04

CPC classification number: H01L29/872

Abstract: 本发明公开了一种SiC结势垒肖特基二极管及其制作方法，该SiC结势垒肖特基二极管包括：N+-SiC衬底；形成于该N+-SiC衬底之上的同型N--SiC外延层；形成于该N--SiC外延层上的肖特基金属接触；形成于该肖特基金属接触之下N-区域中的P型区；形成于该肖特基金属接触边缘处的一个P-型环，该P-型环作为结终端延伸区域；形成于该P-型环上的n个P+型环，n≥2；形成于该n个P+型环间的SiO2钝化层；以及形成于该N+-SiC衬底背面的N型欧姆接触。本发明提出的SiC结势垒肖特基二极管，能够降低器件表面的峰值电场，有利于提高器件的击穿电压，且通过一次Al离子注入结合刻蚀的方法，避免了多次Al离子注入，器件制备工艺相对简单。

公开(公告)号：CN102944588A

公开(公告)日：2013-02-27

申请号：CN201210482757.X

申请日：2012-11-23

Applicant: 中国科学院微电子研究所

Inventor： 白云 ,  申华军 ,  汤益丹 ,  王弋宇 ,  韩林超 ,  刘新宇

IPC: G01N27/22

Abstract: 本发明公开了一种测量高Al组分AlGaN材料的刻蚀诱生界面态参数的方法，该方法包括：在蓝宝石衬底上外延高Al组分AlGaN材料；利用ICP刻蚀技术对AlGaN材料表面进行处理；制备基于AlGaN材料的无刻蚀处理及经过刻蚀处理的不同条件的肖特基二极管；利用肖特基电容谱法获得AlGaN材料刻蚀诱生界面态密度及能级分布状况。本发明根据肖特基电容谱法测量界面态的原理，提出利用电容谱技术来测量AlGaN材料刻蚀诱生界面态，避免了利用深能级瞬态谱(DLTS)及PL谱的等其他测量诱生缺陷方法的局限性。

公开(公告)号：CN103578960B

公开(公告)日：2016-08-17

申请号：CN201310589191.5

申请日：2013-11-20

Applicant: 中国科学院微电子研究所

Inventor： 韩林超 ,  申华军 ,  白云 ,  汤益丹 ,  许恒宇 ,  王弋宇 ,  杨谦 ,  刘新宇

IPC: H01L21/28

Abstract: 本发明公开了一种在SiC衬底背面制备欧姆接触的方法，该方法是在SiC衬底背面上依次蒸发金属Ni、Ti和Ni，并对衬底-金属层进行高温退火处理。金属Ni、Ti和Ni的厚度分别为20nm、20nm和100nm。本发明可应用于SiC JBS肖特基二极管的背面欧姆接触与SiC MOSFET的背面欧姆接触的制备，以及其它类似SiC器件的背面欧姆接触。本发明采用Ni/Ti/Ni混合金属组分，采用高温退火的方式得到致密而且接触面比较平滑的欧姆接触，减小界面处空洞的存在，并且提高与加厚金属的粘附性，欧姆接触电阻率达到与采用纯Ni金属制备欧姆接触相当的水平。

公开(公告)号：CN103000697A

公开(公告)日：2013-03-27

申请号：CN201210483401.8

申请日：2012-11-23

Applicant: 中国科学院微电子研究所 ,  株洲南车时代电气股份有限公司

Inventor： 白云 ,  刘可安 ,  申华军 ,  汤益丹 ,  王弋宇 ,  韩林超 ,  刘新宇 ,  李诚瞻 ,  史晶晶

IPC: H01L29/872 ,  H01L29/40 ,  H01L21/04

Abstract: 本发明公开了一种SiC肖特基二极管及其制作方法，该SiC肖特基二极管包括：N+-SiC衬底；形成于该N+-SiC衬底之上的N--SiC外延层；形成于该N--SiC外延层之上的肖特基接触；形成于该肖特基接触边缘处的P--SiC区域环，该P--SiC区域环作为该SiC肖特基二极管的结终端延伸(JTE)区域；形成于该P--SiC区域环上的n个肖特基金属环，n≥2；形成于该肖特基金属环之间的钝化层SiO2；形成于该钝化层SiO2上的场板；以及形成于该N+-SiC衬底背面的N型欧姆接触。本发明在使单区JTE的有效浓度低于优值浓度时，降低了器件的击穿电压对JTE浓度的敏感程度，同时避免了界面电荷对器件击穿电压的影响，有利于提高器件的性能。

公开(公告)号：CN103578960A

公开(公告)日：2014-02-12

申请号：CN201310589191.5

申请日：2013-11-20

Applicant: 中国科学院微电子研究所

Inventor： 韩林超 ,  申华军 ,  白云 ,  汤益丹 ,  许恒宇 ,  王弋宇 ,  杨谦 ,  刘新宇

IPC: H01L21/28

CPC classification number: H01L21/0485

Abstract: 本发明公开了一种在SiC衬底背面制备欧姆接触的方法，该方法是在SiC衬底背面上依次蒸发金属Ni、Ti和Ni，并对衬底-金属层进行高温退火处理。金属Ni、Ti和Ni的厚度分别为20nm、20nm和100nm。本发明可应用于SiC JBS肖特基二极管的背面欧姆接触与SiC MOSFET的背面欧姆接触的制备，以及其它类似SiC器件的背面欧姆接触。本发明采用Ni/Ti/Ni混合金属组分，采用高温退火的方式得到致密而且接触面比较平滑的欧姆接触，减小界面处空洞的存在，并且提高与加厚金属的粘附性，欧姆接触电阻率达到与采用纯Ni金属制备欧姆接触相当的水平。

公开(公告)号：CN103000698A

公开(公告)日：2013-03-27

申请号：CN201210483461.X

申请日：2012-11-23

Applicant: 中国科学院微电子研究所 ,  株洲南车时代电气股份有限公司

Inventor： 白云 ,  刘可安 ,  申华军 ,  汤益丹 ,  王弋宇 ,  韩林超 ,  刘新宇 ,  李诚瞻 ,  史晶晶

IPC: H01L29/872 ,  H01L29/06 ,  H01L21/04

CPC classification number: H01L29/872

Abstract: 本发明公开了一种SiC结势垒肖特基二极管及其制作方法，该SiC结势垒肖特基二极管包括：N+-SiC衬底；形成于该N+-SiC衬底之上的同型N--SiC外延层；形成于该N--SiC外延层上的肖特基金属接触；形成于该肖特基金属接触之下N-区域中的P型区；形成于该肖特基金属接触边缘处的一个P-型环，该P-型环作为结终端延伸区域；形成于该P-型环上的n个P+型环，n≥2；形成于该n个P+型环间的SiO2钝化层；以及形成于该N+-SiC衬底背面的N型欧姆接触。本发明提出的SiC结势垒肖特基二极管，能够降低器件表面的峰值电场，有利于提高器件的击穿电压，且通过一次Al离子注入结合刻蚀的方法，避免了多次Al离子注入，器件制备工艺相对简单。