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公开(公告)号：CN114964349A
公开(公告)日：2022-08-30
申请号：CN202110188872.5
申请日：2021-02-19
Applicant: 中国科学院微电子研究所 , 真芯(北京)半导体有限责任公司
Abstract: 本发明公开了一种腔室压力测量装置、测量方法及半导体制造设备，属于半导体制造技术领域，解决了现有技术中腔室内部压力测量不精确的问题。本发明腔室压力测量装置，包括压力计和温度调节单元；所述温度调节单元设置在所述压力计上，用于将所述压力计内的温度调节至与所述腔室内的温度一致；所述压力计设置在腔室壁上，且与腔室连通，用于测量腔室内部压力。本发明实现了腔室压力的精准测量。
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公开(公告)号：CN114824082A
公开(公告)日：2022-07-29
申请号：CN202110120159.7
申请日：2021-01-28
Applicant: 中国科学院微电子研究所 , 真芯(北京)半导体有限责任公司
IPC: H01L49/02 , H01L27/108
Abstract: 本发明提供了一种半导体结构，包括：衬底；位于衬底上的多个筒状电容；所述筒状电容包括下电极，其中，所述下电极包括第一下电极、第二下电极和第三下电极；所述第一下电极与第三下电极围成具有一端开口的第一筒状结构；所述第二下电极与第三下电极围成具有一端开口的第二筒状结构；所述第一筒状结构与第二筒状结构构成为横向截面为“8”字形结构；覆盖所述下电极的介质层，以及覆盖所述介质层的上电极，本发明了提高了电容结构的电容量。
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公开(公告)号：CN114824076A
公开(公告)日：2022-07-29
申请号：CN202110111598.1
申请日：2021-01-27
Applicant: 中国科学院微电子研究所 , 真芯(北京)半导体有限责任公司
IPC: H01L49/02 , H01L27/108
Abstract: 本发明提供的一种半导体结构及其制作方法以及使用该半导体结构的DRAM，涉及电子技术领域，包括半导体衬底；设置在所述半导体衬底上的多个下电极，多个所述下电极分布为多排结构，且相邻排的所述下电极相互交错排布；至少一层支撑件，所述支撑件具有椭圆形开口。在上述技术方案中，将支撑图案的具体结构设置为椭圆形以后，支撑图案与相邻的多个下电极连接并形成支撑固定时，便能够增加下电极之间的当前路径，有效的提高漏电路径的长度，解决因漏电路径短而发生的漏电问题。
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公开(公告)号：CN111577913B
公开(公告)日：2022-07-12
申请号：CN202010419419.6
申请日：2020-05-18
Applicant: 中国科学院微电子研究所 , 真芯(北京)半导体有限责任公司
Abstract: 本发明公开了一种半导体工艺设备、隔离阀及控制方法，设备包括：第一舱室和第二舱室；所述第一舱室和所述第二舱室之间设置有隔离阀；所述隔离阀包括：阀板、过滤模块、抽气模块和控制模块；所述控制模块与所述阀板连接，以带动所述阀板往返移动，从而连通或隔断所述第一舱室和所述第二舱室；所述抽气模块与所述过滤模块连接，以将杂质吸附至所述过滤模块。本发明提供的半导体工艺设备、隔离阀及控制方法，用以解决现有技术中的半导体工艺设备存在舱室易被杂质粒子污染的技术问题。实现了减少腔室、内部设备和晶圆污染，提高良率和减少设备损坏几率的技术效果。
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公开(公告)号：CN114678363A
公开(公告)日：2022-06-28
申请号：CN202011552300.2
申请日：2020-12-24
Applicant: 中国科学院微电子研究所 , 真芯(北京)半导体有限责任公司
IPC: H01L27/11521
Abstract: 本申请公开了一种半导体结构及制作方法。该半导体结构包括：有源区；两个隔离结构，分别位于所述有源区的两侧；第一栅氧化层，位于所述有源区上；浮置栅极层，位于所述第一栅氧化层上；第二栅氧化层，覆盖所述隔离结构和所述浮置栅极层；控制栅极层，覆盖所述第二栅氧化层。本申请实施例提供的半导体结构，其浮动栅极的结构相较于现有技术并无变化，其第二栅氧化层的面积较大，因此在使用时耦合率较高，电量损失小，提高了存储装置的可靠性。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN114653706A
公开(公告)日：2022-06-24
申请号：CN202011555124.8
申请日：2020-12-24
Applicant: 中国科学院微电子研究所 , 真芯(北京)半导体有限责任公司
Abstract: 本发明提供一种半导体单片式清洗装置，包括：清洗腔体，用于形成清洗液对硅片进行清洗的空间；排放管道，与所述清洗腔体的出口连通，所述排放管道上设置有阀门；溢流管道，连通在所述清洗腔体的出口与所述阀门之间的排放管道上的第一位置；浓度计，设置在所述阀门与所述第一位置之间的排放管道上；所述浓度计用于测量所述排放管道中的液体浓度；液位计，设置在所述第一位置与所述阀门之间的排放管道上，用于测量液位并依据所述液位控制浓度计打开或关闭。本发明通过测量排放管道中的清洗液浓度，能够快速的确定半导体器件的清洗效果。
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公开(公告)号：CN114623862A
公开(公告)日：2022-06-14
申请号：CN202011453148.2
申请日：2020-12-11
Applicant: 中国科学院微电子研究所 , 真芯(北京)半导体有限责任公司
Abstract: 本申请属于半导体量测技术领域，具体涉及一种半导体量测设备及其清洁方法，所述半导体量测设备包括：晶圆装载端口，所述晶圆装载端口用于存放晶圆；晶圆量测装置，所述晶圆量测装置用于测量所述晶圆的参数；EFEM模块，所述晶圆转送装置用于将晶圆在所述量测设备各个模块之间传送；清洁模块，所述清洁模块用于在所述半导体量测设备运行时清洁所述晶圆装载端口、EFEM模块和晶圆量测装置。根据本申请的半导体量测设备，通过在半导体量测设备中设置清洁模块，使半导体量测设备在不停机的状态下，即可对晶圆装载端口、EFEM模块和晶圆量测装置等进行周期性清洁，从而提高半导体量测设备的生产效率。
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公开(公告)号：CN114613655A
公开(公告)日：2022-06-10
申请号：CN202011395576.4
申请日：2020-12-03
Applicant: 中国科学院微电子研究所 , 真芯(北京)半导体有限责任公司
Abstract: 本发明涉及一种旋转喷洒装置、半导体反应腔室及蚀刻机，涉及半导体制造技术领域，用于解决晶圆中各区域刻蚀一致性差的问题。旋转喷洒装置包括：喷注器及与喷注器驱动连接的喷注器旋转驱动装置；所述喷注器的工作侧用于喷注等离子气体；所述喷注器旋转驱动装置驱动所述喷注器旋转，所述喷注器旋转过程中喷注等离子气体。本发明提供的技术方案能够提高晶圆良率。
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公开(公告)号：CN114520186A
公开(公告)日：2022-05-20
申请号：CN202011300831.2
申请日：2020-11-18
Applicant: 中国科学院微电子研究所 , 真芯(北京)半导体有限责任公司
IPC: H01L21/768 , H01L23/528
Abstract: 本发明公开一种半导体器件及其制造方法，涉及半导体制造技术领域，以解决铜互连线之间产生铜桥的问题。所述半导体器件的制造方法，包括：提供一基底，基底上具有多个第一沟槽。在多个第一沟槽中形成铜互连线。形成覆盖铜互连线以及基底的第一介质层。对第一介质层和部分基底进行图案化处理，得到多个第二沟槽，每个第二沟槽位于相邻两个第一沟槽之间。至少在第二沟槽中形成第二介质层。所述半导体器件采用上述技术方案所提的半导体器件的制造方法制造。
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公开(公告)号：CN114520161A
公开(公告)日：2022-05-20
申请号：CN202011293683.6
申请日：2020-11-18
Applicant: 中国科学院微电子研究所 , 真芯(北京)半导体有限责任公司
Abstract: 本发明涉及一种晶圆处理装置及方法，属于半导体制造技术领域，解决了现有技术中在进行完所有的晶圆工艺之后才进行清洗，导致无法将半导体制造过程中产生的烟气完全去除，晶圆良率损失的问题。该晶圆处理装置包括工艺腔室、转运腔室和清洗系统。清洗系统设于晶圆处理装置内，以使经过工艺腔室的晶圆能够直接进入清洗系统进行清洗。转运腔室内设有转运机械手，转运机械手完成晶圆在工艺腔室与转运腔室间以及转运腔室与清洗系统间的传送。晶圆处理方法包括在进行完每一个会产生烟气的工艺之后均将晶圆送入清洗系统清洗并进行干燥处理。本发明实现了对烟气的有效去除，改善了因烟气造成的良率损失。
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