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公开(公告)号：CN109913771A
公开(公告)日：2019-06-21
申请号：CN201910260434.8
申请日：2019-04-02
Applicant: 中国科学院宁波材料技术与工程研究所
Abstract: 本发明提供一种VAlTiCrSi高熵合金薄膜。该薄膜中含有14～15％的V、12～13％的Al、12～13％的Ti、29～30％的Cr、30～31％的Si，是利用磁控溅射技术在基体表面沉积而获得，呈非晶结构。该薄膜具有高硬度与优异的耐腐蚀性能，可用于海水等环境下的基体防护。
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