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公开(公告)号:CN105140171B
公开(公告)日:2018-06-29
申请号:CN201510532134.2
申请日:2015-08-26
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: H01L21/762
Abstract: 本发明提供一种制备绝缘体上材料的方法,包括以下步骤:S1:提供一衬底;S2:在所述衬底表面依次外延第一材料层、硼掺杂第一材料层及第二材料层;S3:重复步骤S2至少一次;S4:进行离子注入,使离子注入到最远离所述衬底的所述第一材料层中;S5:提供一表面形成有绝缘层的基板,将所述绝缘层与位于顶层的第二材料层键合,形成键合片;S6:对键合片进行退火处理,使位于离子注入层上的所述硼掺杂第一材料层吸附离子形成微裂纹而剥离,得到绝缘体上材料。本发明中,所述衬底可以重复利用,从而降低了生产材料成本,并简化了工艺流程;且离子注入剂量更低,有利于提高晶体质量,减少注入成本;本发明得到的绝缘体上材料表面非常光滑,无需抛光。
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公开(公告)号:CN105983132A
公开(公告)日:2016-10-05
申请号:CN201510064331.6
申请日:2015-02-06
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明提供一种医用钛材料表面改性的方法以及具有表面改性的医用钛材料,所述方法为于医用钛材料的表面制备石墨烯薄膜。本发明在医用钛材料的表面制备一层石墨烯薄膜,相比于未改性医用钛材料,表面生长石墨烯薄膜能够明显提高医用钛材料表面的细胞相容性、生物活性和诱导骨髓间充质干细胞向成骨方向分化的能力(即成骨活性)。本发明方法步骤简单,容易实现产业化。
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公开(公告)号:CN105140171A
公开(公告)日:2015-12-09
申请号:CN201510532134.2
申请日:2015-08-26
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: H01L21/762
CPC classification number: H01L21/76254
Abstract: 本发明提供一种制备绝缘体上材料的方法,包括以下步骤:S1:提供一衬底;S2:在所述衬底表面依次外延第一材料层、硼掺杂第一材料层及第二材料层;S3:重复步骤S2至少一次;S4:进行离子注入,使离子注入到最远离所述衬底的所述第一材料层中;S5:提供一表面形成有绝缘层的基板,将所述绝缘层与位于顶层的第二材料层键合,形成键合片;S6:对键合片进行退火处理,使位于离子注入层上的所述硼掺杂第一材料层吸附离子形成微裂纹而剥离,得到绝缘体上材料。本发明中,所述衬底可以重复利用,从而降低了生产材料成本,并简化了工艺流程;且离子注入剂量更低,有利于提高晶体质量,减少注入成本;本发明得到的绝缘体上材料表面非常光滑,无需抛光。
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