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公开(公告)号：CN213814025U
公开(公告)日：2021-07-27
申请号：CN202022882904.5
申请日：2020-12-04
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: G02B6/12
Abstract: 本实用新型提供一种硅基集成量子芯片，将超导纳米线集成在硅波导的上方，使得超导纳米线与硅波导通过氧化硅覆盖层形成倏逝波耦合，可实现波导耦合的片上单光子探测；通过位于超导纳米线与硅波导之间的氧化硅覆盖层，可实现较高的倏逝波吸收率，且氧化硅覆盖层在生长超导纳米线时可充当掩膜，避免损伤硅波导，以降低硅波导的损耗；具有较小的表面粗糙度的氧化硅覆盖层可确保超导纳米线的平整性，以减小暗计数，提高量子性能；多通道的硅基集成量子芯片可提集成度。本实用新型的硅基集成量子芯片可实现集成化、规模化，并可靠保持高保真度的单光子信号的处理能力。
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