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公开(公告)号：CN109638151A
公开(公告)日：2019-04-16
申请号：CN201811473848.0
申请日：2018-12-04
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明提供一种存储单元、低温存储器及其读写方法，包括：并联设置于超导上电极与超导下电极之间的磁性存储器件、第一及第二超导器件，磁性存储器件位于第一、第二超导器件之间；磁性存储器件的自旋流产生层在厚度及宽度方向上贯穿超导下电极(或超导上电极)，且该自旋流产生层上表面(或下表面)近邻自由层。多个存储单元排列形成阵列，相邻两个存储单元的超导上电极或超导下电极相连，以实现各行或各列存储单元的串联，超导上电极与超导下电极作为超导位线；各超导器件的上方或下方对应设置一超导字线。本发明将SOT‑MRAM存储单元完全嵌入超导集成逻辑电路组成低温磁存储器，以实现信息在极限低温、高速、低功耗存储，适用于超导计算机的缓存和主存。
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公开(公告)号：CN118868895A
公开(公告)日：2024-10-29
申请号：CN202410875520.0
申请日：2024-07-02
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: H03K17/687 , H03K17/14
Abstract: 本发明涉及一种时钟自举的参考电压传输开关电路，包括：第一电流源、第二电流源和开关管MSW；参考电压产生电路，与所述第一电流源相连，用于产生固定的输入参考电压；自举电压产生电路，与所述第二电流源相连，用于产生时钟信号的自举电压；在所述时钟信号为第一电平时，所述自举电压与所述输入参考电压相等；在所述时钟信号为第二电平时，所述自举电压与所述输入参考电压的差值为所述时钟信号的幅值，所述时钟信号的幅值大于所述开关管MSW的阈值开启电压；所述开关管MSW的栅端与所述自举电压产生电路的输出端相连，源端与所述参考电压产生电路的输出端相连，漏端作为整个电路的输出端。本发明能够保证开关电路线性度和精度，且不需要电容的充放电过程。
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公开(公告)号：CN118130518A
公开(公告)日：2024-06-04
申请号：CN202410160578.7
申请日：2024-02-05
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: G01N23/2202 , G01N23/04 , G01N1/28
Abstract: 本发明涉及一种薄膜材料的平面TEM样品制备方法，本发明利用信息标记定位方法，实现界面精准定位，进而能够在原子级分辨率下，从薄膜平面方向有效地区分出单层薄区(≤5nm)和双层薄区，从大面积观测角度获取原子排列、元素分布、晶粒粒径等信息。同时，制样机时平均节约1小时以上，制样效率提升一倍，平面样品的制样成功率提升75％。
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公开(公告)号：CN117969574A
公开(公告)日：2024-05-03
申请号：CN202410160579.1
申请日：2024-02-05
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: G01N23/2202 , G01N23/04 , G01N1/28
Abstract: 本发明涉及一种二维材料的平面制样方法，本发明通过对机械手/样品/铜网三者进行一定的角度变换，就可以避免现有技术中需要更换样品底座或破真空手动垂直铜网两种方法来实现薄膜材料的平面制样，同时也可以按照正常步骤实现样品截面TEM的制备。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN117014009A
公开(公告)日：2023-11-07
申请号：CN202310905362.4
申请日：2023-07-21
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明涉及一种SAR ADC单粒子翻转检测系统，包括：电荷再分配型逐次逼近式模数转换器和检测电路，所述检测电路包括不少于一个检测单元，用来在所述逐次逼近式模数转换器完成对输入信号的采样量化后再进行一次电荷分配和电压比较，来检测所述逐次逼近式模数转换器的残差电压是否正常收敛，进而判断是否发生单粒子翻转；所述检测电路的第一端口与所述比较器的输入端口连接，所述检测电路的第二端口与所述逻辑控制电路的输出端口连接。本发明以简单的电路逻辑、较小的面积损失对系统是否发生单粒子翻转进行检测。
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公开(公告)号：CN115020582A
公开(公告)日：2022-09-06
申请号：CN202210604281.6
申请日：2022-05-31
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明涉及一种多阻型磁性器件及其制备方法和应用，对磁性器件的自由层进行特殊化处理：(1)拼接式生长自由层，拼接部分由不同的铁磁材料构成，在拼接处设置上述磁性器件；(2)自由层由单一铁磁材料构成，但在自由层表面且远离势垒层或空间层一侧均匀增添杂质，利用杂质使自由层磁畴自主分畴。两种处理方式可实现器件的多阻态特性，代表一个该器件可以存储超过一比特的信息，多个该器件可实现更多的随机数组合。本发明可通过全电学操控，具有多阻值、随机性、强拓展性、低能耗、与CMOS制程兼容等优点，只需在现有器件制备工艺基础上稍作改进，有效降低器件、阵列及其组成的芯片制造成本。
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公开(公告)号：CN109860192B
公开(公告)日：2020-10-20
申请号：CN201910150968.5
申请日：2019-02-28
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: H01L27/11521 , H01L27/18 , H01L27/22
Abstract: 本发明提供一种存储阵列结构及制备方法、存储器及写入方法和读出方法，阵列结构包括：至少一个存储单元，包括叠置串联的超导器件及磁性存储器件；至少一个超导上电极，设置于存储单元上方，至少一个超导下电极，设置于存储单元下方，至少一个超导字线，设置于存储单元上方，或者设置于存储单元下方，超导字线靠近存储单元中的超导器件设置。本发明将磁性存储器件与超导集成电路有机结合，利用超导器件实现电路的开关效果，从而替代CMOS逻辑电路，可以实现存储器在低温下的工作，保证MRAM在低的工作电压下实现高速、高密度存储，基于不同的写入方式实现上述工作，形成适用于超导逻辑制程的信息读取方式，结构设计简单，有利于减少刻蚀次数。
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公开(公告)号：CN109638151B
公开(公告)日：2020-07-31
申请号：CN201811473848.0
申请日：2018-12-04
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明提供一种存储单元、低温存储器及其读写方法，包括：并联设置于超导上电极与超导下电极之间的磁性存储器件、第一及第二超导器件，磁性存储器件位于第一、第二超导器件之间；磁性存储器件的自旋流产生层在厚度及宽度方向上贯穿超导下电极(或超导上电极)，且该自旋流产生层上表面(或下表面)近邻自由层。多个存储单元排列形成阵列，相邻两个存储单元的超导上电极或超导下电极相连，以实现各行或各列存储单元的串联，超导上电极与超导下电极作为超导位线；各超导器件的上方或下方对应设置一超导字线。本发明将SOT‑MRAM存储单元完全嵌入超导集成逻辑电路组成低温磁存储器，以实现信息在极限低温、高速、低功耗存储，适用于超导计算机的缓存和主存。
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公开(公告)号：CN109860192A
公开(公告)日：2019-06-07
申请号：CN201910150968.5
申请日：2019-02-28
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: H01L27/11521 , H01L27/18 , H01L27/22
Abstract: 本发明提供一种存储阵列结构及制备方法、存储器及写入方法和读出方法，阵列结构包括：至少一个存储单元，包括叠置串联的超导器件及磁性存储器件；至少一个超导上电极，设置于存储单元上方，至少一个超导下电极，设置于存储单元下方，至少一个超导字线，设置于存储单元上方，或者设置于存储单元下方，超导字线靠近存储单元中的超导器件设置。本发明将磁性存储器件与超导集成电路有机结合，利用超导器件实现电路的开关效果，从而替代CMOS逻辑电路，可以实现存储器在低温下的工作，保证MRAM在低的工作电压下实现高速、高密度存储，基于不同的写入方式实现上述工作，形成适用于超导逻辑制程的信息读取方式，结构设计简单，有利于减少刻蚀次数。
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