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公开(公告)号：CN101625558B
公开(公告)日：2011-09-21
申请号：CN200910056429.1
申请日：2009-08-14
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: G05B19/05 , H02J7/00 , H01M8/04 , H01L31/042 , H01L31/072 , H01L31/0304 , H01M8/10 , H01M10/36
CPC classification number: Y02E10/50
Abstract: 本发明涉及一种基于可再生燃料电池的野外应急可再生能源管理系统及其实施方法，由太阳能电池、燃料电池、蓄电池、储氢瓶、水罐、逆变器、负载、可编程逻辑能源控制单元和无线收发模块等单元互相连接组成。通过可编程逻辑能源控制中心的智能化管理，实现太阳能的有效利用，系统电力不足时通过GPRS向指挥中心发送信号；该系统具有智能化、长时间供电、无人值守等特点，使管理系统的总体能量转换效率高于10％。
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公开(公告)号：CN113979429B
公开(公告)日：2023-04-07
申请号：CN202111215650.4
申请日：2021-10-19
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 , 江苏云涌电子科技股份有限公司
IPC: C01B32/186
Abstract: 本发明提供一种六方氮化硼表面扭转双层石墨烯及其制备方法，通过先对六方氮化硼衬底退火处理进行清洁，然后在六方氮化硼衬底表面涂覆辅助材料同时对该辅助材料进行加热及减量处理，使保留在六方氮化硼衬底上的辅助材料含量保持在合适的厚度范围内，通过选择合适的辅助材料种类以及合适的保留厚度，以辅助后续石墨烯的形核成长，然后再结合特定的催化气体材料实现在六方氮化硼衬底表面直接制备形成具有多转角的双层石墨烯。解决了六方氮化硼衬底表面石墨烯形核困难以及难以直接制备多转角的双层石墨烯的问题，为基于石墨烯的转角电子学研究提供基础。
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公开(公告)号：CN102721959B
公开(公告)日：2015-03-18
申请号：CN201210225835.8
申请日：2012-07-03
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明涉及一种毫米波单片集成探测器组件，包括射频压控振荡器、驱动电路、低噪声放大器、混频器和收发天线，所述射频压控振荡器用于根据外部系统通过不同电压波型的调节得到射频信号；所述驱动电路用于对产生的射频信号进行放大；所述收发天线用于发送放大后的射频信号；发送出的射频信号遇到探测物后产生回波信号；所述收发天线还用于接收所述回波信号；所述低噪声放大器用于放大收到的回波信号；所述混频器用于将放大后的回波信号和本振信号进行混频，得到发射时间与当前时间的射频信号的频差。本发明能够对物体尺寸进行探测，并且在目标探测过程中实现对距离、速度和加速度的测量。
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公开(公告)号：CN102468836A
公开(公告)日：2012-05-23
申请号：CN201010532695.X
申请日：2010-11-04
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明公开了一种射频单刀多掷开关及用于毫米波全息成像的开关阵列。该射频单刀多掷开关包括：开关芯片、射频匹配电路和直流偏置匹配电路；其开关芯片由PIN开关二极管串联组成多条开关通路；通过直流偏置控制PIN开关二极管的截止与导通，从而控制各条开关通路的截止与导通。该开关阵列由多个所述射频单刀多掷开关通过两级级联方式组成。本发明利用半导体固态器件实现单刀多掷开关，并采用外匹配方式设计，将其用于毫米波全息成像的开关阵列，与常规的开关阵列相比，具有加工难度小、成本低、性能可靠、体积较小及重量轻的优点。同时，通过灵活选用不同的开关可组成各种规模的开关阵列，满足各种成像系统的应用要求。
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公开(公告)号：CN102354712A
公开(公告)日：2012-02-15
申请号：CN201110180063.6
申请日：2011-06-24
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: H01L31/0376 , H01L31/18 , H01L31/20 , C23C16/40 , C23C16/24
CPC classification number: Y02E10/50 , Y02P70/521
Abstract: 本发明涉及一种宽谱高反射率异形分布式布拉格(IDBR)结构及制作方法，其特征在于所述的IDBR结构通过在n对中心波长为λ2(λ2＝700-1300nm)的常规分布式布拉格(DBR-B)多层膜结构上生长m对中心波长为λ1(λ1＝400-700nm)的常规分布式布拉格(DBR-A)多层膜形成。所述的DBR-A或DBR-B由非晶硅(或非晶锗硅α-GexSi1-x，0＜x≤1)与硅化物或金属(包括SN、SiO2、Ag或Al)薄膜周期性交替组合而成，厚、薄层厚度TH、TL分别由TH＝λ1(2)/(4nH)和TL＝λ1(2)/(4nL)确定，nL、nH分别代表薄、厚层折射系数。本发明所述IDBR结构可在波长为400nm-1270nm的宽谱范围内实现89％以上高平均反射率，适用于超薄(≤50微米)晶硅太阳电池和薄膜太阳电池。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN116110771A
公开(公告)日：2023-05-12
申请号：CN202310162842.6
申请日：2023-02-24
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 , 江苏云涌电子科技股份有限公司
Abstract: 本发明提供一种可提供低能注入离子的石墨烯处理装置，包括放样仓、处理仓，以及隔离阀；放样仓包括第一腔体、样品座和样品输送杆，样品座位于第一腔体内；处理仓包括第二腔体、样品台、等离子体线圈，以及上电极网和下电极网；样品台、上电极网和下电极网位于第二腔体内，上电极网和下电极上下间隔设置且高度可调；样品输送杆可将样品座传送至样品台上，和/或自样品台将样品座传出，通过等离子体线圈放电产生的等离子体可通过上电极网和下电极网，以在处理仓内对位于样品座上的样品进行处理。本发明可以提供较高质量的等离子体发生真空环境，减少大气环境污染，提升等离子体产生的效率，保证等离子体的纯度与可靠性，满足不同的处理需要。
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公开(公告)号：CN102324586A
公开(公告)日：2012-01-18
申请号：CN201110180076.3
申请日：2011-06-24
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: H01M10/46 , H01M10/058
Abstract: 本发明涉及一种高重量比能量密度微能源系统、方法及应用。其特征在于所述的系统组成为：(1)在GaAs电池背表面溅射生长Al薄膜；(2)在Al膜表面溅射沉积氮化镍钴，其通式为ComNi1-mN，式中0＜m＜1；(3)在氮化镍钴薄膜表面溅射沉积Li1.3Ti1.7Al0.3(PO4)3薄膜；(4)在Li1.3Ti1.7Al0.3(PO4)3薄膜上沉积金属Li薄膜；(5)在Li薄膜表面溅射成膜一层Cu薄膜；(6)溅射(2)-(5)时在Al膜表面用不锈钢掩模板紧贴在露出未覆盖多层膜的Al表面，依次要装能源管理电路和RF模块，用金线连接GaAs电池正极、Li电池阳极、能源管理模块输出端和RF收发模块输出端。提供的高重量比能量密度高达438wh/kg，可连续5天在阴天条件下工作，为物联网节点微型化长时间供电及野外应用提供技术手段。
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公开(公告)号：CN102117699A
公开(公告)日：2011-07-06
申请号：CN201010590616.0
申请日：2010-12-15
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明公开了一种硅基Al2O3薄膜芯片电容器，可用于微波和射频电路中，起旁路和滤波作用。该芯片电容器包括低阻(电阻率≤1×10-3Ω·cm)硅衬底、非晶Al2O3绝缘薄膜、上电极、下电极四层结构。采用射频磁控溅射法，以高纯Al2O3陶瓷为靶材，在单晶Si衬底生长Al2O3非晶绝缘薄膜，接着在薄膜表面溅射生长Ti或TiW层和Au层，再经电镀Au加厚后，通过光刻、腐蚀的方法制作上电极图形，根据芯片电容厚度的要求对Si片背面减薄，在背面溅射Ti或TiW层和Au层作为下电极，划片后制作成芯片电容。该电容具用高Q值、损耗小、结构与工艺简单、成本低廉、尺寸小等优点。
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公开(公告)号：CN100555674C
公开(公告)日：2009-10-28
申请号：CN200810200672.1
申请日：2008-09-27
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: H01L31/042 , H01L31/075 , H01L31/20
CPC classification number: Y02E10/50 , Y02P70/521
Abstract: 本发明涉及一种基于玻璃衬底的可调带隙薄膜太阳能电池及其制作方法，其特征在于采用不同带隙结构材料α-SiC、αGexSi1-x、μ-Si作为吸收层，组成三节结构，增加光能捕获；采用调节本征层Ge、Si成分比例的方法，获得不同的带隙，从而增强光能吸收；采用PECVD成膜，工艺加工耗能少；采用激光划片，实现电池片内串连，无需光刻工艺，适合批量生产。
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公开(公告)号：CN113979429A
公开(公告)日：2022-01-28
申请号：CN202111215650.4
申请日：2021-10-19
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 , 江苏云涌电子科技股份有限公司
IPC: C01B32/186
Abstract: 本发明提供一种六方氮化硼表面扭转双层石墨烯及其制备方法，通过先对六方氮化硼衬底退火处理进行清洁，然后在六方氮化硼衬底表面涂覆辅助材料同时对该辅助材料进行加热及减量处理，使保留在六方氮化硼衬底上的辅助材料含量保持在合适的厚度范围内，通过选择合适的辅助材料种类以及合适的保留厚度，以辅助后续石墨烯的形核成长，然后再结合特定的催化气体材料实现在六方氮化硼衬底表面直接制备形成具有多转角的双层石墨烯。解决了六方氮化硼衬底表面石墨烯形核困难以及难以直接制备多转角的双层石墨烯的问题，为基于石墨烯的转角电子学研究提供基础。
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