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实用新型
单光子源器件及量子存储器有权

公开(公告)号：CN209434220U

公开(公告)日：2019-09-24

申请号：CN201920243715.8

申请日：2019-02-26

Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所

Inventor： 李杨 , 陶略 , 张加祥 , 甘甫烷

IPC: H01L33/02 , H01L33/06 , H01L33/00 , G11C13/04

Abstract: 本实用新型提供一种单光子源器件及量子存储器，单光子源器件包括：量子点发光层，量子点发光层包括阻挡层及位于阻挡层中的量子点层；压电陶瓷基底，通过压电陶瓷基底以调节量子点发光层的发光光谱中心波长；键合层，键合层位于量子点发光层与压电陶瓷基底之间，通过键合层连接量子点发光层及压电陶瓷基底。本实用新型通过压电陶瓷基底，使得单光子源器件具有较大的波长调节范围、波长可进行双向调节、可满足紧凑型的片上集成化趋势及测试装置简单的优点。(ESM)同样的发明创造已同日申请发明专利

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