公开(公告)号：CN215266304U

公开(公告)日：2021-12-21

申请号：CN202120710744.8

申请日：2021-04-02

Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所

Inventor： 佘小娟 ,  廖涵 ,  赵瑛璇 ,  仇超 ,  甘甫烷

IPC: H01L27/144 ,  H01L31/0232 ,  H01L31/0352 ,  H01L31/18

Abstract: 本实用新型提供一种基于偏振分束器与光电探测器的8通道结构，本实用新型将光电探测器与偏振分束器进行有效的结合形成8通道结构，降低了系统的偏振灵敏度，同时保持较低的损耗。8通道的设计，有效地提高了系统的带宽，满足大量数据传输的需求。本实用新型还对光电探测器的结构做出改进，将光电探测器的光敏层设计为圆台形，圆台形的光敏层均衡了电流传输与电流扩展这两方面的影响因素，保证光生载流子在极短的时间内扩散以使电路迅速导通。

公开(公告)号：CN219641961U

公开(公告)日：2023-09-05

申请号：CN202320539592.9

申请日：2023-03-20

Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所

Inventor： 佘小娟 ,  赵瑛璇 ,  廖涵 ,  甘甫烷

IPC: G02B6/124

Abstract: 本实用新型涉及一种片外光发射器件，包括：衬底；下包层，位于所述衬底的上表面，且内部埋设有金属镜；波导层，位于所述下包层的上表面，包括波导和M级同心半圆光栅；上包层，位于所述波导层的上表面；所述波导用于引导光进入所述M级同心半圆光栅；所述金属镜用于将泄露到所述衬底的光反射至所述M级同心半圆光栅；所述M级同心半圆光栅用于将接收到的光向垂直方向发射；所述M级同心半圆光栅的前N级的狭缝的刻蚀深度小于后K级的狭缝的刻蚀深度，其中，M＝N+K，且N≤M/2。本实用新型能够提高器件的发射效率。

公开(公告)号：CN214586257U

公开(公告)日：2021-11-02

申请号：CN202120675700.6

申请日：2021-04-02

Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所

Inventor： 佘小娟 ,  廖涵 ,  赵瑛璇 ,  仇超 ,  甘甫烷

IPC: G02B27/28 ,  G02B6/126 ,  G02B6/136

Abstract: 本实用新型提供一种90°光混频器，该90°光混频器包括Si3N4MMI耦合器，该Si3N4MMI耦合器使用氮化硅作为波导的芯层材料，二氧化硅作为波导的包层材料，基于氮化硅材料制成的Si3N4MMI耦合器制作工艺简单，与集成器件、CMOS工艺兼容。该Si3N4MMI耦合器的四个输出波导输出的光功率保持一致，且四个输出波导输出光束的相位误差在‑5°～5°范围内，四个输出波导的总透射率大于0.9时，对应的带宽为68nm，覆盖了波长范围在1530nm‑1565nm之间的C波段，具有较高的实用价值。