公开(公告)号：CN101005110A

公开(公告)日：2007-07-25

申请号：CN200710036455.9

申请日：2007-01-12

Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所

Inventor： 欧欣 ,  王曦 ,  陈静 ,  孙佳胤 ,  武爱民

IPC: H01L33/00

Abstract: 本发明涉及一种采用金属键合工艺实现氮化镓发光二极管垂直结构的方法。本发明采用扩散键合形式的金属键合工艺使在蓝宝石上生长制作的氮化镓发光二极管键合到低阻硅片上并实现欧姆接触。本发明通过采用扩散键合形式的金属键合工艺实现硅基氮化镓发光二极管的制作，具有键合工艺稳定、器件良率高、面积小且充分利用发光层的材料、衬底导电且导热性好的优点。

公开(公告)号：CN1779989A

公开(公告)日：2006-05-31

申请号：CN200510029987.0

申请日：2005-09-23

Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所

Inventor： 张恩霞 ,  张正选 ,  王曦 ,  陈静 ,  孙佳胤

IPC: H01L29/786 ,  H01L21/336

Abstract: 本发明涉及抗辐射加固的特殊体接触的SOIMOSFET及源漏极的注入方法。其特征在于在绝缘体上硅场效应晶体管结构中，源和漏的结深不同，漏极深度与顶层硅膜厚度一致，源极的结深小于顶层硅膜的厚度，体从源极下面与器件末端的体接触相连；对于n型金属氧化物半导体场效应晶体管与源极相邻的是重掺杂p型区域，用作体接触；且源、漏极分步注入形成。在浅源极下面引入重掺杂的体接触，这种体接触结构能够大幅度地减少辐射引起的背沟漏电流，因此具有抗总剂量辐射的优越性能，而且不用特殊制备氧化埋层，适用于商业化生产。

公开(公告)号：CN1687800A

公开(公告)日：2005-10-26

申请号：CN200510025136.9

申请日：2005-04-15

Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所

Inventor： 孙佳胤 ,  张正选 ,  王曦 ,  林成鲁 ,  陈静 ,  张恩霞

IPC: G01R31/26 ,  G01R31/27

Abstract: 本发明提供一种绝缘体上硅(SOI)的电学参数的表征方法，属于微电子与固体电子学、硅基集成光电子器件材料的一种表征方法。其特征在于所述的方法以四探针测试平台为基础，附加导电样品台，搭建起一套赝MOS(Metal－Oxide－Semiconductor：金属－氧化物－半导体)系统，采用类似于MOSFET的分析手段表征绝缘体上的硅材料的埋层氧化物电荷密度，界面态密度等电学参数。具有简便易行、成本低、测试过程迅速等优点，可以作为SOI材料规模化生产的在线表征方法。