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公开(公告)号：CN110687064A
公开(公告)日：2020-01-14
申请号：CN201910875339.9
申请日：2019-09-17
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: G01N21/3504 , G01N21/03
Abstract: 本发明涉及红外探测领域，特别涉及一种红外探测器及红外气体传感器。红外探测器包括：所述红外探测器包括：n个检测单元和m个补偿单元，其中n≥1，m≥1；每个所述检测单元包括1个探测芯片和1种第一类超材料滤波结构；每个补偿单元包括1个探测芯片和1种第二类超材料结构。本申请实施例所述的红外探测器，把多个超材料滤波结构集成设置在一个红外探测器上，超材料滤波结构替代传统滤光片的功能，一种超材料滤波结构通过一种待测气体对应的红外光，多种气体对应多种超材料滤波结构与多个探测芯片，实现了红外探测器芯片级的集成，提高了传感器的集成度。
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公开(公告)号：CN115236021A
公开(公告)日：2022-10-25
申请号：CN202210760500.X
申请日：2022-06-30
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: G01N21/3504 , G01N21/01
Abstract: 本发明涉及一种并列式双通道红外气体传感器，包括从上至下依次层叠的反光罩、支撑板、基座和ASIC芯片；反光罩上设有反射腔和若干透气孔；支撑板上设置有第一通孔和第二通孔，其内分别嵌设有第一滤光片和两第二滤光片；基座的顶面设有红外光源和两红外探测器，红外光源位于第一滤光片的正下方，两红外探测器分别位于两第二滤光片的正下方，两红外探测器相对于红外光源并列排布；红外光源和两红外探测器与ASIC芯片电连接。本发明的并列式双通道红外气体传感器，反光罩、支撑板、基座和ASIC芯片层叠设置，从而缩小体积；反射腔为折叠式反射结构，使光程增长；红外光源和两红外探测器分布在基座两端，可隔绝红外光源对热敏元件的影响。
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公开(公告)号：CN110687068B
公开(公告)日：2022-03-22
申请号：CN201910875694.6
申请日：2019-09-17
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: G01N21/3504 , G01N21/03
Abstract: 本发明涉及红外探测领域，特别涉及一种红外探测器及红外气体传感器，包括：滤波结构，用于红外光滤波，使至少一个预设波长的红外光通过所述滤波结构；探测芯片，用于将所述至少一个预设波长的红外光转化为电信号；其中，所述滤波结构为超材料滤波结构。本申请实施例所述的红外探测器，采用超材料作为滤波结构，通过设计超材料的结构和参数，使经过超材料滤波后的红外光，对应待测气体的多个红外特征吸收峰，探测器芯片将多个待测气体的红外特征吸收峰所对应波长的光信号转化为电信号，增强了信号的强度，提高了红外气体传感器的精度和气体识别能力。
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公开(公告)号：CN111982323B
公开(公告)日：2021-12-14
申请号：CN201910440473.6
申请日：2019-05-24
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明提供一种热电堆型高温热流传感器及其制备方法，热电堆型高温热流传感器包括：衬底，衬底内形成有隔热腔体；复合介质膜，位于衬底的上表面且覆盖隔热腔体的上表面；电阻块，位于复合介质膜的上表面，且位于衬底的正上方及隔热腔体的正上方；绝缘介质层，覆盖电阻块的表面；金属图层，包括电极及引线，电极位于绝缘介质层的上表面，引线位于绝缘介质层内，电极经由引线与所述电阻块电连接。本发明的热电堆型高温热流传感器的结构简单，热偶对数降低至1至2对，可以承受高温热流冲击，实现高温恶劣环境中热流密度的快速、准确测量，在高温环境中工作稳定，可靠性强。
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公开(公告)号：CN110687067B
公开(公告)日：2021-08-17
申请号：CN201910875684.2
申请日：2019-09-17
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: G01N21/3504 , G01N21/03
Abstract: 本申请提供一种红外气体传感器，包括探测器，探测器包括一个探测器芯片和多种超材料，多种超材料设置在探测器芯片上方，每种超材料的中心波长对应待测气体的一个特征吸收峰，通过调整超材料结构进行待测气体某一特征吸收峰对应红外光透射强度的调整，从而改变待测气体某一特征吸收峰对应波长转化电信号占探测器芯片输出信号的权重；探测器芯片的输出信号为所述多种超材料对应的中心波长红外光转化电信号的总和。本申请提供的红外气体传感器的探测器包括一个芯片和多种超材料，使得探测器体积减小，从而减小红外气体传感器的体积，并且能够提高红外气体传感器的精度和识别能力。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN110687068A
公开(公告)日：2020-01-14
申请号：CN201910875694.6
申请日：2019-09-17
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: G01N21/3504 , G01N21/03
Abstract: 本发明涉及红外探测领域，特别涉及一种红外探测器及红外气体传感器，包括：滤波结构，用于红外光滤波，使至少一个预设波长的红外光通过所述滤波结构；探测芯片，用于将所述至少一个预设波长的红外光转化为电信号；其中，所述滤波结构为超材料滤波结构。本申请实施例所述的红外探测器，采用超材料作为滤波结构，通过设计超材料的结构和参数，使经过超材料滤波后的红外光，对应待测气体的多个红外特征吸收峰，探测器芯片将多个待测气体的红外特征吸收峰所对应波长的光信号转化为电信号，增强了信号的强度，提高了红外气体传感器的精度和气体识别能力。
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公开(公告)号：CN110687067A
公开(公告)日：2020-01-14
申请号：CN201910875684.2
申请日：2019-09-17
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: G01N21/3504 , G01N21/03
Abstract: 本申请提供一种红外气体传感器，包括探测器，探测器包括一个探测器芯片和多种超材料，多种超材料设置在探测器芯片上方，每种超材料的中心波长对应待测气体的一个特征吸收峰，通过调整超材料结构进行待测气体某一特征吸收峰对应红外光透射强度的调整，从而改变待测气体某一特征吸收峰对应波长转化电信号占探测器芯片输出信号的权重；探测器芯片的输出信号为所述多种超材料对应的中心波长红外光转化电信号的总和。本申请提供的红外气体传感器的探测器包括一个芯片和多种超材料，使得探测器体积减小，从而减小红外气体传感器的体积，并且能够提高红外气体传感器的精度和识别能力。
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公开(公告)号：CN104122223A
公开(公告)日：2014-10-29
申请号：CN201410386280.4
申请日：2014-08-07
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: G01N21/3504
Abstract: 本发明涉及一种双光程多气体红外气体传感器，主要包括双光程多气体检测腔、红外光源10、多元探测器2、防水透气膜3、信号放大模块15、模数转换模块16、信号处理模块17、通讯显示模块18。所述双光程多气体检测腔包括环形腔14和盖板4。红外光源10发出红外光的下半部分经平面反光镜8反射后到达多元探测器2下半部分，构成第1短光程；红外光源10发出红外光的上半部分经环形腔14内表面多次反射后到达多元探测器2上半部分，构成第2长光程，在单腔室内实现了长、短两种光程。本发明可以满足红外吸收率不同气体同时检测的要求，同时还可以满足同种气体不同检测精度的需求，方便实现多气体检测及识别，可广泛应用于多种场合下气体的实时监测。
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公开(公告)号：CN103922274A
公开(公告)日：2014-07-16
申请号：CN201410182370.1
申请日：2014-04-30
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明提供一种三维红外光源及其制作方法，提供一硅片；在该硅片的正反面形成氧化硅薄膜；在正面定义阵列窗口并沿阵列窗口刻蚀氧化硅至暴露出硅表面为止；沿阵列窗口刻蚀硅表面形成硅凹槽阵列；去除硅片正面非刻蚀区域的氧化硅并形成复合膜；形成覆盖硅凹槽阵列的电阻丝，在电阻丝表面形成钝化层；在该硅片背面定义包围硅凹槽阵列的窗口；沿窗口刻蚀硅片背面的氧化硅至暴露出硅表面为止；沿窗口继续腐蚀硅表面直到硅被完全腐蚀为止从而制备出三维红外光源结构。本发明采用电阻丝位于凹槽阵列中，减少了发热丝通过衬底的热传导，减少空气热对流引起的热耗散，实现了能量聚集的作用，降低功耗的同时，提高了能量转换效率。
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公开(公告)号：CN116593532A
公开(公告)日：2023-08-15
申请号：CN202310602055.9
申请日：2023-05-25
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: G01N27/00 , C12Q1/6806
Abstract: 本发明提供一种硅纳米线传感器的饱和电流响应标定测试方法，利用硅纳米线传感器的电流响应饱和值对标准溶液的电流响应值进行归一化处理，建立硅纳米线传感器对含有目标物溶液的响应标准曲线，利用测试获取所需要的待测样品和标定溶液的电流响应值，基于标定后的响应标准曲线确定对应的待测样品浓度，标定测试结果稳定，具有良好的重复性且标定测试过程方便。相比利用其他的标定手段，利用电流响应饱和值标定不用依赖昂贵的设备，标定过程简洁且标定成本低。此外，在标定过程中，不会对硅纳米线传感器的本身造成损害，不影响硅纳米线传感器的使用性能。
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