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公开(公告)号：CN104392939B
公开(公告)日：2017-09-01
申请号：CN201410581802.6
申请日：2014-10-27
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: H01L21/60 , H01L23/485
Abstract: 本发明提供一种纳米孪晶铜再布线的制备方法，包括步骤：1）于基片上制备钝化层，并光刻出用于与芯片极板互联的窗口；2）于钝化层表面及所述互联窗口中形成种子层；3）于种子层表面形成纳米孪晶铜再布线的光刻胶图形，采用脉冲电镀法于裸露的种子层表面制备一层纳米孪晶铜再布线层；4）去除光刻胶图形，并腐蚀掉多余的种子层。本发明采用脉冲电镀辅以快速退火处理，依靠脉冲电镀形成的大内应力驱使铜再结晶，形成高密度纳米孪晶再布线。本发明采用的电流密度低，采用当前设备即可，和现有的IC工艺完全兼容，属于圆片级封装工艺，效率高，成本低。制备的纳米孪晶铜综合力学性能优良，可以大幅缩减再布线尺寸到10um左右，且具有较高的热机械可靠性。
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公开(公告)号：CN104392939A
公开(公告)日：2015-03-04
申请号：CN201410581802.6
申请日：2014-10-27
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: H01L21/60 , H01L23/485
CPC classification number: H01L21/76879 , H01L21/76873 , H01L21/76883
Abstract: 本发明提供一种纳米孪晶铜再布线的制备方法，包括步骤：1）于基片上制备钝化层，并光刻出用于与芯片极板互联的窗口；2）于钝化层表面及所述互联窗口中形成种子层；3）于种子层表面形成纳米孪晶铜再布线的光刻胶图形，采用脉冲电镀法于裸露的种子层表面制备一层纳米孪晶铜再布线层；4）去除光刻胶图形，并腐蚀掉多余的种子层。本发明采用脉冲电镀辅以快速退火处理，依靠脉冲电镀形成的大内应力驱使铜再结晶，形成高密度纳米孪晶再布线。本发明采用的电流密度低，采用当前设备即可，和现有的IC工艺完全兼容，属于圆片级封装工艺，效率高，成本低。制备的纳米孪晶铜综合力学性能优良，可以大幅缩减再布线尺寸到10um左右，且具有较高的热机械可靠性。
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公开(公告)号：CN103824787A
公开(公告)日：2014-05-28
申请号：CN201210465809.2
申请日：2012-11-16
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: H01L21/603
CPC classification number: H01L24/83 , H01L2224/83005
Abstract: 本发明提供一种基于粘接剂的晶圆键合方法。首先，由依次放置着键合陪片、涂敷有粘结剂的第一晶圆片、夹具隔片、第二晶圆片的键合夹具将各晶圆片送入键合设备腔体；随后控制所述键合设备腔体的温度及压力，使第一晶圆片与第二晶圆片键合。本发明使用键合陪片，可有效改善异质晶圆材料键合因热膨胀系数差异所引起的翘曲问题，并能有效提高器件的可靠性，降低后续工艺难度。
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公开(公告)号：CN103241707A
公开(公告)日：2013-08-14
申请号：CN201210026566.2
申请日：2012-02-07
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明提供一种砷化镓图像传感器圆片级芯片尺寸封装方法及其结构，该方法包括以下步骤：提供一预设若干焊盘(22)的基于砷化镓衬底材料的图像传感器晶圆(20)，与一透明载片(10)利用干膜(12)进行键合；直接在砷化镓图像传感器晶圆(20)的背面与焊盘对应的位置制作垂直互连通孔(21)至接触该焊盘；在步骤2)获得的结构上除焊盘以外的部分制作形成绝缘薄膜层(28)；通孔金属化工艺；依次制作RDL层(25)、钝化层(26)和电镀凸点(32)；最后划片形成独立的封装器件。该封装方法采用干膜键合技术和激光通孔制作技术，避免了对砷化镓图像传感器晶片的减薄，降低了工艺难度并提高成品率，为图像传感器提供可靠的保护。
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