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公开(公告)号：CN115613123A
公开(公告)日：2023-01-17
申请号：CN202211186438.4
申请日：2022-09-28
Applicant: 中国电子科技集团公司第十三研究所
Abstract: 一种添加化合物半导体材料的装置和方法，属于半导体晶体制备领域。所述装置包括炉体和坩埚，在炉体内设置可升降的环形投料架，在投料架上放置环形多晶胶囊架，在多晶胶囊架上设置上下开口的多晶胶囊；籽晶杆连接驱动电机，籽晶杆上设置凸台；籽晶杆的外形及环形多晶胶囊架中心孔的形状为匹配的多边形；在坩埚上沿的材料释放装置，所述材料释放装置连接材料释放装置的驱动机构。所述方法包括：准备材料、加热坩埚、依次打开多晶胶囊的封堵进行添料。本发明方法采取多步骤填料，装料前，坩埚中放置覆盖剂，当覆盖剂熔化后，再分多次添加多晶材料，确保添入的多晶料被熔化的覆盖剂淹没，在液面下熔化，不会造成多晶料中元素的损失。
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公开(公告)号：CN219297705U
公开(公告)日：2023-07-04
申请号：CN202223271542.1
申请日：2022-12-07
Applicant: 中国电子科技集团公司第十三研究所
Abstract: 一种磷化铟多晶合成设备，属于半导体技术领域，包括框架、石英磷容器、磷加热器、冷凝器、与冷凝器相对设置的液磷通道、液磷输送管、液磷输送管底部开口处设置的封堵、多晶生长部分的装配空间，液磷输送管连接液磷通道和石英磷容器；多晶生长部分包括坩埚、加热器，坩埚底部设置微米级孔洞；多晶生长部分装配到多晶生长部分的装配空间，在框架内形成密闭空间。本实用新型采用冷凝技术将逃逸的磷蒸汽回收后继续参与反应，大大提高原材料的利用率；提高单次多晶的合成量，大幅提高合成效率；逃逸的磷蒸汽回收利用，省去了了繁琐的炉子清洗过程；可以实现装填一次磷，多次合成磷化铟。
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公开(公告)号：CN220724412U
公开(公告)日：2024-04-05
申请号：CN202322428787.9
申请日：2023-09-07
Applicant: 中国电子科技集团公司第十三研究所
Abstract: 本实用新型提出了一种磷气体回收装置，涉及化合物半导体制造领域，回收装置设置在晶体制造设备的炉体中，包括回收主体、回收主体下面的承接盘和设置在承接盘中心并且连通承接盘的磷通道；所述回收主体由相互连通的冷凝通道组成，所述磷通道连接退火装置。本实用新型不用密封退火装置，退火装置内外无压差，降低了设备复杂性；退火过程中，外溢的磷气体经回收装置冷却，使其转化为液态白磷，重新流入/滴入石英容器中，再次作为组分气源，减少气源材料的消耗。
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公开(公告)号：CN218404502U
公开(公告)日：2023-01-31
申请号：CN202222566734.9
申请日：2022-09-28
Applicant: 中国电子科技集团公司第十三研究所
Abstract: 一种添加化合物半导体材料的装置，属于半导体晶体制备领域。所述装置包括炉体和坩埚，在炉体内设置可升降的环形投料架，在投料架上放置环形多晶胶囊架，在多晶胶囊架上设置上下开口的多晶胶囊；籽晶杆连接驱动电机，籽晶杆上设置凸台；籽晶杆的外形及环形多晶胶囊架中心孔的形状为匹配的多边形；在坩埚上沿的材料释放装置，所述材料释放装置连接材料释放装置的驱动机构。采用本实用新型提出的装置，采取多步骤填料，装料前，坩埚中放置覆盖剂，当覆盖剂熔化后，再分多次添加多晶材料，确保添入的多晶料被熔化的覆盖剂淹没，在液面下熔化，不会造成多晶料中元素的损失。
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