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公开(公告)号：CN100411158C
公开(公告)日：2008-08-13
申请号：CN200610031907.X
申请日：2006-06-30
Applicant: 中南大学
Abstract: 本发明公开了一种制备高硅铝合金电子封装材料的工艺，A)粉末制取：将工业纯铝及高纯硅按质量比6～8.8∶4～1.2制备成硅铝合金粉末；B)热挤压工艺：将硅铝合金粉末初装、振实装入纯铝包套内，在300～500吨液压机上进行挤压，挤压前对硅铝合金粉末采用400～520℃保温0.5～2小时，挤压比为10～21，挤压前各种挤压模具在200～400℃充分预热保温；C)高压氧化：将热挤压材料进行高温高压氧化，保温温度为300～500℃，时间为48～96小时，氧压为0.6～0.8MPa，高压氧化后即为成品。本发明是一种能显著提高材料的热导率、气密性和抗拉强度，保持材料较低的热膨胀系数，大幅度改善材料加工成形性能，减化材料的制备工艺。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN100435321C
公开(公告)日：2008-11-19
申请号：CN200610031908.4
申请日：2006-06-30
Applicant: 中南大学
Abstract: 本发明公开了一种高硅铝合金电子封装材料的制备工艺，A)、粉末制取：将工业纯铝及高纯硅按质量比值6～8.8∶4～1.2制备成Al-Si合金粉末；B)、粉末的空气氧化处理工艺：将Al-Si合金粉末置于电阻炉内，升温至250～450℃，保温氧化8～32小时，取出后在空气中自然冷却；C)、热挤压工艺：将氧化后的合金粉末装入纯铝包套内，在300～500吨液压机上进行挤压，挤压前对Al-Si合金粉末采用400～520℃保温0.5～2小时，挤压比为10～21，挤压前各种挤压模具在200～400℃充分预热保温，挤压完后即为成品。本发明能显著提高材料的热导率、气密性和抗拉强度，保持材料较低的热膨胀系数，大幅度改善材料加工成形性能的高硅铝合金电子封装材料的制备工艺。
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公开(公告)号：CN1877823A
公开(公告)日：2006-12-13
申请号：CN200610031908.4
申请日：2006-06-30
Applicant: 中南大学
Abstract: 本发明公开了一种高硅铝合金电子封装材料的制备工艺，A)粉末制取：将工业纯铝及高纯硅按质量百分比6～8.8∶4～1.2制备成Al－Si合金粉末；B)粉末的空气氧化处理工艺：将Al－Si合金粉末置于电阻炉内，升温至250～450℃，保温氧化8～32小时，取出后在空气中自然冷却；C)热挤压工艺：将氧化后的合金粉末装入纯铝包套内，在300～500吨液压机上进行挤压，挤压前对Al－Si合金粉末采用400～520℃保温0.5～2小时，挤压比为10～21，挤压前各种挤压模具在200～400℃充分预热保温，挤压完后即为成品。本发明能显著提高材料的热导率、气密性和抗拉强度，保持材料较低的热膨胀系数，大幅度改善材料加工成形性能的高硅铝合金电子封装材料的制备工艺。
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公开(公告)号：CN101525760B
公开(公告)日：2011-03-23
申请号：CN200910043146.3
申请日：2009-04-17
Applicant: 中南大学
CPC classification number: Y02E60/13
Abstract: 一种用于制备超级电容器RuO2电极材料的直流-示差脉冲组合电沉积技术，采用纯度大于99.95％的金属钽箔作为基片，配置RuCl3·3H2O、SnCl2和NaNO3的混合溶液，浓度分别为1～5mmol/L、0.2～1mmol/L和10～200mmol/L，经充分搅拌、静置。以石墨做阳极，金属钽片为阴极，先用1～3mA/cm2直流电流沉积0.5～1h，再采用示差脉冲电流沉积沉积2～3h，电压脉冲宽度为1～10sec，脉冲周期为2～20sec，振幅为0.01～0.02mA/cm2，每点电压增益为0.005～0.01mA/cm2，其终止电流密度为5～8mA/cm2。制备RuCl3·3H2O薄膜前驱体，薄膜自然凉干后经过200～500℃处理，升温速率为10℃/s，保温时间为2-3h。本发明首次提出采用直流-示差脉冲组合电沉积技术制备RuO2薄膜，工艺简单，操作简便，具有一定的工业价值。用CHI660C电化学测试仪对薄膜材料的电化学性能进行测试，附着力的测试采用GB5210-82拉开法，测定比电容达720F/g，附着力达11.3MPa。
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公开(公告)号：CN101567269A
公开(公告)日：2009-10-28
申请号：CN200910043613.2
申请日：2009-06-05
Applicant: 中南大学
CPC classification number: Y02E60/13
Abstract: 一种用于制备超级电容器RuO2电极材料的涂敷热分解工艺。采用纯度大于99.0％金属钽(或钛、不锈钢、镍)箔作为基片，经过打磨抛光，丙酮除油，碱液加热浸泡，混合酸洗，去离子水超声波清洗。将RuCl3和SnCl2溶于有机溶剂，配制成稠状混合溶液。将稠状混合溶液在基片上多次涂敷均匀，然后经过200～500℃热处理，使RuCl3转变成RuO2，完成成分和结构转变，提高附着力，增强薄膜的电容稳定性。用CHI660C电化学测试仪对薄膜材料的电化学性能进行测试，测定比电容达612～634F/g。附着力达15.4MPa。
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公开(公告)号：CN100411157C
公开(公告)日：2008-08-13
申请号：CN200610031906.5
申请日：2006-06-30
Applicant: 中南大学
Abstract: 本发明公开了一种高硅铝合金电子封装材料的制备工艺，A)粉末制取：将工业纯铝及高纯硅按质量比6～8.8∶4～1.2制备成Al-Si合金粉末；B)粉末的球磨处理工艺：将Al-Si合金粉末进行球磨，球料质量比为5～15∶1，球磨时间为8～32小时；C)热挤压工艺：将氧化后的合金粉末装入纯铝包套内，在300～500吨液压机上采用正向挤压方式进行挤压，挤压前对Al-Si合金粉末采用400～520℃保温0.5～2小时，挤压比为10～21，挤压前各种挤压模具首先置入加热炉中，在200～400℃充分预热保温，挤压完后即为成品。本发明是一种能显著提高材料的热导率、气密性和抗拉强度，保持材料较低的热膨胀系数，大幅度改善材料加工成形性能的高硅铝合金电子封装材料的制备工艺。
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