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公开(公告)号：CN103698021B
公开(公告)日：2019-01-18
申请号：CN201310631237.5
申请日：2013-12-02
Applicant: 中北大学
IPC: G01J5/12
Abstract: 本发明涉及热电堆红外探测器，具体是一种基于TiN反射层的热电堆红外探测器。进一步改进了现有热电堆红外探测器。所述探测器的加工步骤包括：1、在SOI衬底正面加工内、外两个隔离槽，划分出各加工区；2、加工SiO2介质支撑膜；3、加工构成热电偶的P/N型多晶硅条；4、加工下层SiO2隔离层及后续加工用金属连接加工孔；5、完成金属连接；6、加工上层SiO2隔离层；7、加工TiN反射层；8、加工SiN导热层；9、加工热辐射吸收层；10、形成后续加工用释放孔；11、将SiO2介质支撑膜下的热电偶加工区及热辐射吸收区空腔化；12、实现纳米森林结构的热辐射吸收层。本发明结构设计合理，制作工艺易于实现，成品性能提高明显，具有良好的发展前景。
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公开(公告)号：CN103700722A
公开(公告)日：2014-04-02
申请号：CN201310630796.4
申请日：2013-12-02
Applicant: 中北大学
IPC: H01L31/18 , H01L31/101 , G01J5/12
CPC classification number: Y02P70/521 , H01L35/32 , H01L35/34
Abstract: 本发明涉及热电堆红外探测器，具体是一种架空式热电堆红外探测器。进一步改进了热电堆红外探测器。所述探测器的加工步骤包括：1、在SOI衬底正面加工两隔离槽，划分出了两个热电偶加工区；2、加工SiO2介质支撑膜；3、加工构成热电偶的P/N型多晶硅条；4、加工下层SiO2隔离层及后续加工用金属连接加工孔；5、完成金属连接；6、加工上层SiO2隔离层及后续加工用释放孔；7、加工聚酰亚胺牺牲层及露出热电堆热结区的倒梯形凹槽；8、加工用作热辐射吸收层的三层薄膜结构；9、去除聚酰亚胺牺牲层；10、将SiO2介质支撑膜下的热电偶加工区空腔化；11、实现架空式热辐射吸收层。本发明结构设计合理，制作工艺易于实现，成品性能提高明显，具有良好的发展前景。
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公开(公告)号：CN103500788A
公开(公告)日：2014-01-08
申请号：CN201310500968.6
申请日：2013-10-23
Applicant: 中北大学
CPC classification number: H01L33/0058 , H01L33/20
Abstract: 本发明公开了一种可集成的纳米结构红外光源，利用MEMS/CMOS工艺，对非晶硅表面进行纳米修饰加工，形成锥状纳米结构，再对锥状纳米结构进行TiN镀层加工；最后采用正面XeF2释放技术，对硅衬底进行深硅刻蚀，分离窄带红外光源与硅衬底的接触，减小热量在硅丝欧姆发热过程中的损耗，提高光源的工作功率。本发明采用MEMS/CMOS光源制造技术，利用金属诱导晶化技术实现红外光源的表面修饰，得到锥状纳米结构，并对其进行表面TiN镀层加工，实现Si-TiN，TiN-Air之间的表面等离子体共振技术。采用正面释放技术形成微悬臂梁对红外光源进行支撑来降低热损耗，并通过在加热层下预埋介质层氮化硅，来降低结构应力。
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公开(公告)号：CN101017180A
公开(公告)日：2007-08-15
申请号：CN200710061572.0
申请日：2007-03-06
Applicant: 中北大学
Abstract: 本发明涉及一种微加速度计，具体是用于常规弹药制导抗高过载复合式微加速度计，解决了有些物理过程存在相差上百甚至上千倍的多个加速度值需要测量，而现有技术中一个微加速度计无法完成测试的问题。包括四组微加速度计单元，所述四组微加速度计单元按2×2阵列结构设置，上排两组微加速度计单元的压敏电阻沿固支梁的长度方向设置，下排两组微加速度计单元的压敏电阻沿固支梁的宽度方向设置，各微加速度计单元的框架为整体。本发明不但能同时感测4种不同的加速度信号，而且具有很好的抗干扰能力、较高的抗过载能力和自检测功能。
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