公开(公告)号：CN103500788A

公开(公告)日：2014-01-08

申请号：CN201310500968.6

申请日：2013-10-23

Applicant: 中北大学

Inventor： 谭秋林 ,  陈媛靖 ,  熊继军 ,  薛晨阳 ,  张文栋 ,  刘俊 ,  毛海央 ,  明安杰 ,  欧文 ,  陈大鹏

IPC: H01L33/48 ,  H01L33/56 ,  B81B7/02

CPC classification number: H01L33/0058 ,  H01L33/20

Abstract: 本发明公开了一种可集成的纳米结构红外光源，利用MEMS/CMOS工艺，对非晶硅表面进行纳米修饰加工，形成锥状纳米结构，再对锥状纳米结构进行TiN镀层加工；最后采用正面XeF2释放技术，对硅衬底进行深硅刻蚀，分离窄带红外光源与硅衬底的接触，减小热量在硅丝欧姆发热过程中的损耗，提高光源的工作功率。本发明采用MEMS/CMOS光源制造技术，利用金属诱导晶化技术实现红外光源的表面修饰，得到锥状纳米结构，并对其进行表面TiN镀层加工，实现Si-TiN，TiN-Air之间的表面等离子体共振技术。采用正面释放技术形成微悬臂梁对红外光源进行支撑来降低热损耗，并通过在加热层下预埋介质层氮化硅，来降低结构应力。

公开(公告)号：CN102757011A

公开(公告)日：2012-10-31

申请号：CN201110104209.9

申请日：2011-04-25

Applicant: 中北大学 ,  中国科学院微电子研究所

Inventor： 薛晨阳 ,  张文栋 ,  刘俊 ,  熊继军 ,  夏燕 ,  欧文 ,  陈大鹏 ,  明安杰 ,  刘战峰 ,  袁锋 ,  赵利俊

IPC: B81C1/00 ,  B81B3/00 ,  G01J5/12

Abstract: 一种微机械热电堆红外探测器及其制作方法，在衬底表面形成具有自停止腐蚀作用的封闭凹槽；淀积形成介质支撑膜；淀积多晶硅，然后通过2次离子注入加光刻腐蚀分别形成P型和N型多晶硅热偶条，两热偶条之间淀积隔离层；光刻腐蚀隔离层，将热电堆之间的区域暴露出介质支撑膜形成吸收区；溅射一层金属形成金属连接；在吸收区表面淀积一层多晶硅或非晶硅层，然后经过Cl2、HBr干法不完全刻蚀形成表面为锥状森林结构的吸收层；光刻出腐蚀孔，通入XeF2气体进行干法刻蚀释放正面结构。本发明使用多晶硅作为吸收层材料，提高了传统SiNx吸收层的吸收率，且工艺简便。使用P/N型多晶硅作为热电偶，避免金属热偶与CMOS兼容性差的问题，有效提高了热电堆的塞贝克系数。