公开(公告)号：CN114955979B

公开(公告)日：2025-03-14

申请号：CN202210525262.4

申请日：2022-05-15

Applicant: 中北大学

Inventor： 王任鑫 ,  张文栋 ,  李照东 ,  张国军 ,  何常德 ,  杨玉华 ,  崔建功

IPC: B81B7/02 ,  B81C1/00 ,  G01H11/06

Abstract: 本发明提供了一种差分电容式纤毛水听器及其制造方法，属于水下声纳传感器制造技术领域。本发明差分电容式纤毛水听器结构包括纤毛体、连接梁、中心连接体、上电极、钝化层、介质层、下电极、基底层等；制备方法，使用COMS‑MEMS单片集成工艺，在COMS工艺的后端层设置器件的结构，电路信号处理电子层在器件结构下方集成，各金属层间通过金属钨塞连接。由COMS‑MEMS单片集成工艺制备的差分电容式纤毛水听器具有一致性好、集成化、频带宽、灵敏度高、易封装、可批量生产等优点。

公开(公告)号：CN119240594A

公开(公告)日：2025-01-03

申请号：CN202410909040.1

申请日：2024-07-08

Applicant: 中北大学

Inventor： 王任鑫 ,  李照东 ,  张文栋 ,  张国军 ,  何常德 ,  贾利成 ,  杨玉华 ,  崔建功 ,  秦丽

IPC: B81B7/02 ,  B81B7/00 ,  B81C1/00 ,  G01D5/24

Abstract: 本发明为一种基于SOI晶圆的MEMS电容式传感器结构及其制备方法，属于MEMS传感器技术领域。该结构包括自上而下设置的上电极层、振膜层、电容空腔层、衬底层和下电极层；电容空腔层上形成有若干个呈矩形阵列排布的电容空腔体，相邻电容空腔体之间形成环状支撑壁，电容空腔体正上方形成振膜体，振膜体周围开设有贯穿振膜层的环状释放通道；上电极层包括若干个位于振膜体顶部的上电极体；下电极层包括设置在衬底层底面上的下电极体。本发明传感器结构制造方法简单，工艺流程少，成本低，可批量生产。本发明传感器结构尺寸小，集成度高，灵敏度高。

公开(公告)号：CN114955979A

公开(公告)日：2022-08-30

申请号：CN202210525262.4

申请日：2022-05-15

Applicant: 中北大学

Inventor： 王任鑫 ,  张文栋 ,  李照东 ,  张国军 ,  何常德 ,  杨玉华 ,  崔建功

IPC: B81B7/02 ,  B81C1/00 ,  G01H11/06

Abstract: 本发明提供了一种差分电容式纤毛水听器及其制造方法，属于水下声纳传感器制造技术领域。本发明差分电容式纤毛水听器结构包括纤毛体、连接梁、中心连接体、上电极、钝化层、介质层、下电极、基底层等；制备方法，使用COMS‑MEMS单片集成工艺，在COMS工艺的后端层设置器件的结构，电路信号处理电子层在器件结构下方集成，各金属层间通过金属钨塞连接。由COMS‑MEMS单片集成工艺制备的差分电容式纤毛水听器具有一致性好、集成化、频带宽、灵敏度高、易封装、可批量生产等优点。

公开(公告)号：CN114890374A

公开(公告)日：2022-08-12

申请号：CN202210525263.9

申请日：2022-05-15

Applicant: 中北大学

Inventor： 王任鑫 ,  张文栋 ,  李照东 ,  张赛 ,  张国军 ,  何常德 ,  杨玉华 ,  崔建功

IPC: B81B7/02 ,  B81C1/00

Abstract: 本发明公开了一种L型连接梁声发射器件及其制备方法。该声发射器件由下而上依次为基底层、交替设置的介质层及金属层、钝化层，第n层介质层上刻蚀有矩形空腔，空腔顶部形成矩形振膜、L型连接梁及上电极，空腔底部形成下电极。制备时，使用COMS工艺的后端（BEOL）层作为MEMS器件的结构层，COMS电子层在MEMS器件层下方集成，各金属层间通过钨塞互连，最后通过刻蚀形成矩形空腔、矩形振膜及L型连接梁。本发明L型连接梁声发射器件具有可靠性好、体积小、灵敏度高、制造成本低、易于批量生产等优点。