公开(公告)号：CN111201591A

公开(公告)日：2020-05-26

申请号：CN201880063096.2

申请日：2018-09-20

Applicant: 东芝三菱电机产业系统株式会社

Inventor： 山田义人 ,  一濑明大

IPC: H01L21/607 ,  B23K20/10 ,  H05K3/20

Abstract: 本发明的目的在于提供能够相对较简单地进行超声波焊接用头部中的下降动作以及加压动作的控制的超声波振动焊接装置的构造。而且，本发明的超声波振动焊接装置具有气缸(4)和升降用伺服电动机2作为相互分离的部件，该气缸(4)连结于超声波焊接用头部(6)，执行对超声波焊接用头部(6)加压的加压动作，该升降用伺服电动机2执行包含使超声波焊接用头部(6)以及气缸(4)共同下降的下降动作在内的升降动作。

公开(公告)号：CN110352474A

公开(公告)日：2019-10-18

申请号：CN201780086342.1

申请日：2017-02-14

Applicant: 东芝三菱电机产业系统株式会社 ,  国立大学法人 ,  东北大学

Inventor： 西村真一 ,  渡边谦资 ,  山田义人 ,  寺本章伸 ,  诹访智之 ,  志波良信

IPC: H01L21/318

Abstract: 本发明的目的是提供能够在不对基板给予损害的情况下在基板上形成优质的氮化膜的氮化膜成膜方法。并且，本发明的氮化膜成膜方法包括：介由气体供给口(11)将硅烷系气体供给至处理室(10)内的步骤(a)；从自由基产生器(20)介由自由基气体通过口(25)将氮自由基气体(7)供给至处理室(10)内的步骤(b)；和在不使处理室(10)内产生等离子体现象的情况下，使上述步骤(a)中供给的硅烷系气体与上述步骤(b)中供给的氮自由基气体反应，在晶片(1)上形成氮化膜的步骤(c)。

公开(公告)号：CN103249982A

公开(公告)日：2013-08-14

申请号：CN201080070525.2

申请日：2010-12-09

Applicant: 东芝三菱电机产业系统株式会社

Inventor： 宇野淳一 ,  山荫久明 ,  船引猛 ,  山田义人

IPC: F16L53/00

CPC classification number: F16L53/008 ,  F16L53/32 ,  F16L53/38

Abstract: 本发明提供一种向被加热物均等地传递热的加热装置。加热装置具备：环绕配管(9)的块体(5)及底板(6)；覆盖块体(5)及底板(6)的外周而形成第一绝热层(11)的第一绝热罩(1)；覆盖第一绝热罩(1)的外周而形成第二绝热层(12)的第二绝热罩(2)。第一绝热罩(1)包括：固定于块体(5)的块体(5)侧的第一绝热罩(1a)；固定于底板(6)的底板(6)侧的第一绝热罩(1b)。第二绝热罩(2)包括：固定于第一绝热罩(1a)的块体(5)侧的第二绝热罩(2a)；固定于第一绝热罩(1b)的底板(6)侧的第二绝热罩(2b)。加热装置还具备将第二绝热罩(2a、2b)固定成能够装卸的弹键锁(8)。

公开(公告)号：CN110832633B

公开(公告)日：2023-06-02

申请号：CN201780092666.6

申请日：2017-06-30

Applicant: 东芝三菱电机产业系统株式会社

Inventor： 山田义人

IPC: H01L21/68

Abstract: 本发明的目的在于，提供能够以比较简单的结构实现基板的中心位置的定位的基板定位装置。在本发明中，基准定位机构(10)及推压用定位机构(20)相对于载置在载置台(2)上的基板(1)，沿着Y方向(位置调整方向)相互对置而夹着基板(1)配置。控制部(5)一边识别伸缩部(12)及(22)的第一及第二伸缩状态，一边使伸缩部(12)及(22)执行第一及第二伸缩动作，在Y方向上执行定位控制动作，使得基板中心线(CL1)与载置台中心线(CL2)一致。

公开(公告)号：CN109196959B

公开(公告)日：2020-12-08

申请号：CN201680086092.7

申请日：2016-05-27

Applicant: 东芝三菱电机产业系统株式会社

Inventor： 渡边谦资 ,  西村真一 ,  山田义人

IPC: H05H1/30

Abstract: 本发明的目的是提供一种能够均匀性良好、比较高速地生成高密度的活性气体的活性气体生成装置。并且，本发明在活性气体生成用电极群及喷嘴构成部的下方设置气体喷流用整流器(70)而构成活性气体生成装置。气体喷流用整流器(70)将活性气体穿过多个喷嘴后的气体用气体整流通路(71)的入口部(711)一起接受。气体整流通路(71)形成为，出口部(710)的出口开口面积被设定为比入口部(711)的入口开口面积窄，并且通过由气体整流通路(71)进行的整流动作，多个喷嘴穿过后活性气体各自的圆柱状的气体喷流被变换为线状的整流后活性气体。

公开(公告)号：CN110832633A

公开(公告)日：2020-02-21

申请号：CN201780092666.6

申请日：2017-06-30

Applicant: 东芝三菱电机产业系统株式会社

Inventor： 山田义人

IPC: H01L21/68

Abstract: 本发明的目的在于，提供能够以比较简单的结构实现基板的中心位置的定位的基板定位装置。在本发明中，基准定位机构(10)及推压用定位机构(20)相对于载置在载置台(2)上的基板(1)，沿着Y方向(位置调整方向)相互对置而夹着基板(1)配置。控制部(5)一边识别伸缩部(12)及(22)的第一及第二伸缩状态，一边使伸缩部(12)及(22)执行第一及第二伸缩动作，在Y方向上执行定位控制动作，使得基板中心线(CL1)与载置台中心线(CL2)一致。

公开(公告)号：CN102597596B

公开(公告)日：2015-04-01

申请号：CN200980162360.9

申请日：2009-11-04

Applicant: 东芝三菱电机产业系统株式会社

Inventor： 山荫久明 ,  山田义人 ,  花田雅人

IPC: F16L53/00 ,  F28D15/02

CPC classification number: F28D15/0233 ,  F16L53/32 ,  F16L53/35 ,  F28D15/0275

Abstract: 一种传热装置(20)，能高精度地管理配管系统(10)整体的温度。将热传递至内部流动有流体的配管系统(10)的传热装置(20)包括：高导热性的传热块(30)，该传热块(30)围绕配管系统(10)；热管(40)，该热管(40)沿着配管系统(10)的延伸方向形成在传热块(30)中；以及加热器(52)，该加热部(52)对热管(40)进行加热。传热块(30)包括能沿所述配管系统(10)的延伸方向分割的多个分割块(32、34)。

公开(公告)号：CN103249982B

公开(公告)日：2014-12-17

申请号：CN201080070525.2

申请日：2010-12-09

Applicant: 东芝三菱电机产业系统株式会社

Inventor： 宇野淳一 ,  山荫久明 ,  船引猛 ,  山田义人

IPC: F16L53/00

CPC classification number: F16L53/008 ,  F16L53/32 ,  F16L53/38

Abstract: 本发明提供一种向被加热物均等地传递热的加热装置。加热装置具备：环绕配管(9)的块体(5)及底板(6)；覆盖块体(5)及底板(6)的外周而形成第一绝热层(11)的第一绝热罩(1)；覆盖第一绝热罩(1)的外周而形成第二绝热层(12)的第二绝热罩(2)。第一绝热罩(1)包括：固定于块体(5)的块体(5)侧的第一绝热罩(1a)；固定于底板(6)的底板(6)侧的第一绝热罩(1b)。第二绝热罩(2)包括：固定于第一绝热罩(1a)的块体(5)侧的第二绝热罩(2a)；固定于第一绝热罩(1b)的底板(6)侧的第二绝热罩(2b)。加热装置还具备将第二绝热罩(2a、2b)固定成能够装卸的弹键锁(8)。

公开(公告)号：CN102597596A

公开(公告)日：2012-07-18

申请号：CN200980162360.9

申请日：2009-11-04

Applicant: 东芝三菱电机产业系统株式会社

Inventor： 山荫久明 ,  山田义人 ,  花田雅人

IPC: F16L53/00 ,  F28D15/02

CPC classification number: F28D15/0233 ,  F16L53/32 ,  F16L53/35 ,  F28D15/0275

Abstract: 一种传热装置(20)，能高精度地管理配管系统(10)整体的温度。将热传递至内部流动有流体的配管系统(10)的传热装置(20)包括：高导热性的传热块(30)，该传热块(30)围绕配管系统(10)；热管(40)，该热管(40)沿着配管系统(10)的延伸方向形成在传热块(30)中；以及加热器(52)，该加热部(52)对热管(40)进行加热。传热块(30)包括能沿所述配管系统(10)的延伸方向分割的多个分割块(32、34)。

公开(公告)号：CN102067291A

公开(公告)日：2011-05-18

申请号：CN200880130098.5

申请日：2008-06-24

Applicant: 东芝三菱电机产业系统株式会社

Inventor： 渡边谦资 ,  山田义人

IPC: H01L21/31 ,  H01L21/318

CPC classification number: H01L21/3143 ,  H01L21/02332 ,  H01L21/67207

Abstract: 本氮游离基产生器(100)包括：多晶硅层(103)，该多晶硅层(103)包含具有一个主面(104m)的纳米硅层(104)；硅基板电极(102)，该硅基板电极(102)形成于多晶硅层(103)的另一个主面(103n)上；表面电极(105)，该表面电极(105)形成于纳米硅层(104)的一个主面(104m)上；第一腔室(101)，该第一腔室(101)对上述这些元器件进行容纳；第一电源(109)，该第一电源(109)对表面电极(105)施加正的电压V1；气体流入口(107)，该气体流入口(107)使氮气流入第一腔室(101)内；氮游离基产生空间(140)，该氮游离基产生空间(140)使施加上述正电压V1时从纳米硅层(104)的一个主面(104m)所发射的电子与氮气相接触而产生氮游离基；以及游离基流出口(108)，该游离基流出口(108)使氮游离基从第一腔室(101)流出。据此，提供一种能产生氮游离基而不产生等离子体、并能因结构简单而小型化的氮游离基产生器。