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公开(公告)号：CN102701146A
公开(公告)日：2012-10-03
申请号：CN201210177975.2
申请日：2012-05-31
Applicant: 东南大学
IPC: B81C99/00
Abstract: 本发明公开了一种磷硅玻璃和多晶硅厚度的在线同步测试装置，包括绝缘衬底和三个测试单元，每个测试单元包括磷硅玻璃层和四探针多晶硅电阻测试桥，磷硅玻璃层固定于绝缘衬底顶面；磷硅玻璃层被刻蚀成相互平行的凹槽，在凹槽间形成台阶；多晶硅电阻条爬越磷硅玻璃层上的台阶；第一测试单元中，多晶硅电阻条与笛卡尔坐标系的X轴方向平行；第二测试单元和第三测试单元中，四探针多晶硅电阻测试桥的数量均为两个，多晶硅电阻条与笛卡尔坐标系的X轴之间分别形成β1夹角和β2夹角。该在线同步测试装置利用多晶硅爬越由磷硅玻璃制造的多个台阶，通过对三组五个多晶硅电阻的测试，进而实现磷硅玻璃和多晶硅厚度的测试。
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公开(公告)号：CN102589965A
公开(公告)日：2012-07-18
申请号：CN201210005078.3
申请日：2012-01-10
Applicant: 东南大学
IPC: G01N3/00
Abstract: 本发明公开了一种多晶硅泊松比在线测试结构，包括绝缘衬底、非对称的多晶硅十字梁、第一多晶硅下极板和第二多晶硅下极板，并通过静电力驱动的方式使非对称的多晶硅十字梁发生偏转，从而根据几何关系和材料力学原理获得多晶硅材料的泊松比参数。本发明通过激励电压所产生的静电力使测试结构发生转动，通过结构设计使最大扭转角成为已知量，并根据测试结构达到最大扭转角时的激励电压测量值，以及已知的结构几何参数和物理参数计算得到多晶硅材料的泊松比，因而测试设备要求低，且测试方法简单，测试过程及测试参数值稳定。多晶硅加工制备过程与后续微机电器件（MEMS）的制造同步进行时，没有特殊加工要求，完全符合在线测试的要求。
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公开(公告)号：CN102589965B
公开(公告)日：2014-01-01
申请号：CN201210005078.3
申请日：2012-01-10
Applicant: 东南大学
IPC: G01N3/00
Abstract: 本发明公开了一种多晶硅泊松比在线测试结构，包括绝缘衬底、非对称的多晶硅十字梁、第一多晶硅下极板和第二多晶硅下极板，并通过静电力驱动的方式使非对称的多晶硅十字梁发生偏转，从而根据几何关系和材料力学原理获得多晶硅材料的泊松比参数。本发明通过激励电压所产生的静电力使测试结构发生转动，通过结构设计使最大扭转角成为已知量，并根据测试结构达到最大扭转角时的激励电压测量值，以及已知的结构几何参数和物理参数计算得到多晶硅材料的泊松比，因而测试设备要求低，且测试方法简单，测试过程及测试参数值稳定。多晶硅加工制备过程与后续微机电器件（MEMS）的制造同步进行时，没有特殊加工要求，完全符合在线测试的要求。
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公开(公告)号：CN103439031A
公开(公告)日：2013-12-11
申请号：CN201310401239.5
申请日：2013-09-05
Applicant: 东南大学
IPC: G01L1/06
Abstract: 本发明提出了一种双层薄膜材料残余应力的测试结构，其中测量单元为圆柱支撑的第一层薄膜圆盘结构，在第一层薄膜圆盘平面上覆盖有另一层薄膜材料形成双层薄膜圆盘结构，在第一层薄膜圆盘边缘直径方向上延伸出一个直梁，直梁末端有一投影游标。利用简单双层薄膜圆盘结构并配合投影游标，可以获得MEMS常用薄膜材料的残余应力，并且可以推广到更多层薄膜材料情况下的各层薄膜残余应力测试，测量方法和参数提取的计算方法极其简单。
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公开(公告)号：CN102701146B
公开(公告)日：2014-11-12
申请号：CN201210177975.2
申请日：2012-05-31
Applicant: 东南大学
IPC: B81C99/00
Abstract: 本发明公开了一种磷硅玻璃和多晶硅厚度的在线同步测试装置，包括绝缘衬底和三个测试单元，每个测试单元包括磷硅玻璃层和四探针多晶硅电阻测试桥，磷硅玻璃层固定于绝缘衬底顶面；磷硅玻璃层被刻蚀成相互平行的凹槽，在凹槽间形成台阶；多晶硅电阻条爬越磷硅玻璃层上的台阶；第一测试单元中，多晶硅电阻条与笛卡尔坐标系的X轴方向平行；第二测试单元和第三测试单元中，四探针多晶硅电阻测试桥的数量均为两个，多晶硅电阻条与笛卡尔坐标系的X轴之间分别形成β1夹角和β2夹角。该在线同步测试装置利用多晶硅爬越由磷硅玻璃制造的多个台阶，通过对三组五个多晶硅电阻的测试，进而实现磷硅玻璃和多晶硅厚度的测试。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN102590282B
公开(公告)日：2014-03-12
申请号：CN201210007367.7
申请日：2012-01-11
Applicant: 东南大学
IPC: G01N27/04
Abstract: 本发明公开了一种多晶硅断裂强度的在线测试结构及其测试方法，对测试结构进行简单的电流激励并测量相关电阻，将测量得到的相关电阻值代入计算公式，利用多个计算方程消去热膨胀系数，最终得到多晶硅的断裂强度。本发明的测试方法简单，测试设备要求低，测试结构的加工过程与微机电器件MEMS同步，没有特殊加工要求，符合在线测试的要求，计算方法仅限于简单数学方程，测试与计算过程稳定，输出结果可靠。
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公开(公告)号：CN102565143B
公开(公告)日：2014-01-29
申请号：CN201210003497.3
申请日：2012-01-06
Applicant: 东南大学
CPC classification number: H01L22/34 , G01L5/0047
Abstract: 本发明公开了一种多晶硅材料残余应力在线测试结构，该测试结构包括三个基本结构相同的多晶硅偏转指针，三个多晶硅偏转指针以“品”字型放置，所有指针都指向中心，通过指针在残余应力作用下初始偏转方向的控制使得间距保持和间距变化能够有效地反应残余应力的大小和性质；该测试结构的制作工艺简单，没有特殊加工要求；测试时，采用热驱动，测量参数为热驱动前后驱动梁的电阻。本发明在使用过程中，虽然采用热膨胀原理，但测量计算并不需要热膨胀系数，避免了在线测试热膨胀系数时的误差对测量结果的影响。本发明具有测试结构简单、电信号加载和测量简便、计算方法稳定等优点。
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公开(公告)号：CN102565143A
公开(公告)日：2012-07-11
申请号：CN201210003497.3
申请日：2012-01-06
Applicant: 东南大学
CPC classification number: H01L22/34 , G01L5/0047
Abstract: 本发明公开了一种多晶硅材料残余应力在线测试结构，该测试结构包括三个基本结构相同的多晶硅偏转指针，三个多晶硅偏转指针以“品”字型放置，所有指针都指向中心，通过指针在残余应力作用下初始偏转方向的控制使得间距保持和间距变化能够有效地反应残余应力的大小和性质；该测试结构的制作工艺简单，没有特殊加工要求；测试时，采用热驱动，测量参数为热驱动前后驱动梁的电阻。本发明在使用过程中，虽然采用热膨胀原理，但测量计算并不需要热膨胀系数，避免了在线测试热膨胀系数时的误差对测量结果的影响。本发明具有测试结构简单、电信号加载和测量简便、计算方法稳定等优点。
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公开(公告)号：CN202609923U
公开(公告)日：2012-12-19
申请号：CN201220255769.4
申请日：2012-05-31
Applicant: 东南大学
IPC: B81C99/00
Abstract: 本实用新型公开了一种磷硅玻璃和多晶硅厚度的在线同步测试装置，包括绝缘衬底和三个测试单元，每个测试单元包括磷硅玻璃层和四探针多晶硅电阻测试桥，磷硅玻璃层固定于绝缘衬底顶面；磷硅玻璃层被刻蚀成相互平行的凹槽，在凹槽间形成台阶；多晶硅电阻条爬越磷硅玻璃层上的台阶；第一测试单元中，多晶硅电阻条与笛卡尔坐标系的X轴方向平行；第二测试单元和第三测试单元中，四探针多晶硅电阻测试桥的数量均为两个，多晶硅电阻条与笛卡尔坐标系的X轴之间分别形成β1夹角和β2夹角。该在线同步测试装置利用多晶硅爬越由磷硅玻璃制造的多个台阶，通过对三组五个多晶硅电阻的测试，进而实现磷硅玻璃和多晶硅厚度的测试。
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公开(公告)号：CN202403836U
公开(公告)日：2012-08-29
申请号：CN201220008090.5
申请日：2012-01-10
Applicant: 东南大学
Abstract: 本实用新型公开了一种多晶硅-金属热电偶塞贝克系数的在线测试结构，该技术利用两个测温电阻分别测量热稳态时热电偶冷、热端的实际温差，测量热电偶堆的开路电压，并通过简单计算得到多晶硅-金属热电偶的塞贝克系数。本实用新型的测试结构的结构简单，制作方便，采用普通的MEMS表面加工工艺即可得到，避免了复杂的悬空结构和体加工工艺，测量温度为热稳定时热电偶堆的热端与冷端的实际温度值，不需要考虑辐射、对流等因素的影响，测试要求低，测试方法及测试参数值稳定，计算简单可靠。
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