公开(公告)号：CN102254906A

公开(公告)日：2011-11-23

申请号：CN201110220956.9

申请日：2008-09-25

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 河西繁 ,  铃木智博 ,  田中澄 ,  米田昌刚 ,  宫下大幸

IPC: H01L25/075

CPC classification number: H01L21/67115 ,  H01L25/0753 ,  H01L33/54 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/3025 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/00012

Abstract: 本发明的退火装置具有：处理室(1)，其容纳晶片(W)；加热源(17a、17b)，其被设置成面向晶片(W)的面，并具有对晶片(W)照射光的多个LED(33)；透光部件(18a、18b)，其对应于上述加热源(17a、17b)地设置，并使来自发光元件(33)的光透射，其中，加热源(17a、17b)构成为在支撑体(32)上朝向晶片(W)侧安装有多个发光元件(33)，发光元件分别单独地被由透明树脂构成的透镜层(20)覆盖。

公开(公告)号：CN101483138B

公开(公告)日：2011-06-22

申请号：CN200910003005.9

申请日：2006-09-30

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 舆水地盐 ,  铃木智博

IPC: H01L21/3065 ,  H01L21/683 ,  G05D23/00

Abstract: 本发明提供可提高半导体器件的成品率的基板处理装置。作为基板处理装置的等离子体处理装置(10)具有静电吸附载置的晶片(W)的载置台(35)。等离子体处理装置(10)与测定晶片(W)的温度的温度测定装置(200)、和直接或间接地进行晶片(W)的温度调节使根据预先设定的参数与目标温度实质上相等的控制装置(400)连接。控制装置(400)根据所测定的温度，自动地控制晶片(W)的温度。

公开(公告)号：CN101983416A

公开(公告)日：2011-03-02

申请号：CN200980112004.6

申请日：2009-04-03

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 河西繁 ,  铃木智博

IPC: H01L21/26 ,  H01L21/31

CPC classification number: H01L21/2686 ,  H01L21/324 ,  H01L21/67098 ,  H01L21/67115

Abstract: 本发明提供一种退火装置，其具有：收容晶片W的腔室(2)，对腔室(2)内的晶片W进行光照射的具有多个LED(33)的加热源(17a、17b)，对加热源(17a、17b)的LED(33)进行供电的电源部(60)，对从电源部(60)向发光元件的供电进行控制的供电控制部(42a、42b)，使来自LED(33)的光透过的光透过部件(18a、18b)和将腔室(2)内气体排除的排气机构，其中，供电控制部(42a、42b)对LED(33)进行直流驱动。

公开(公告)号：CN101925981A

公开(公告)日：2010-12-22

申请号：CN200980103125.4

申请日：2009-01-19

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 河西繁 ,  宫下大幸 ,  铃木智博 ,  米田昌刚 ,  大矢和广

IPC: H01L21/26

CPC classification number: H01L21/67109 ,  H01L21/268 ,  H01L21/324 ,  H01L21/67115

Abstract: 本发明的退火装置具备：面向晶片W的面设置、具有向晶片W照射光的多个LED(33)的加热源(17a，17b)；透过来自发光元件(33)的光的光透射部件(18a，18b)；和与加热源(17a，17b)直接接触设置的由Al构成的冷却部件(4a，4b)。加热源(17a，17b)具备多个发光元件阵列(34)，该发光元件阵列包括利用银膏(56)安装了LED(33)的由AlN构成的支撑体(32)和利用焊料(57)粘合到支撑体(32)的背面侧的由Cu构成的热扩散部件(50)，发光元件阵列(34)通过硅润滑油(58)旋紧在冷却部件(4a，4b)上。

公开(公告)号：CN1804567B

公开(公告)日：2010-12-08

申请号：CN200610001281.8

申请日：2006-01-12

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 铃木智博 ,  舆水地盐

IPC: G01B11/06 ,  G01K11/00 ,  H01L21/324

Abstract: 本发明提供一种温度/厚度测量装置，减轻装置安装的麻烦程度，不在各测量对象物上形成用于通过测量光的孔就可一次测量多个测量对象物的温度或厚度。包括：照射具有透过各测量对象物并反射的波长的光的光源、将来自光源的光分离为测量光和参照光的分离器、用于反射来自分离器的参照光的参照光反射单元(例如参照镜)、用于改变从参照光反射单元反射的参照光的光路长度的光路长度改变单元(例如驱动参照镜的驱动单元)、用于测量将来自分离器的参照光向参照光反射单元照射时从参照光反射单元反射的参照光与将来自分离器的测量光向多个测量对象物按照透过各测量对象物的方式加以照射时从各测量对象物反射的各测量光的光的干涉的光接收单元。

公开(公告)号：CN101828251A

公开(公告)日：2010-09-08

申请号：CN200880102499.X

申请日：2008-09-25

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 河西繁 ,  铃木智博 ,  田中澄 ,  米田昌刚 ,  宫下大幸

IPC: H01L21/26 ,  H01L33/00

CPC classification number: H01L21/67115 ,  H01L25/0753 ,  H01L33/54 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/3025 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/00012

Abstract: 本发明的退火装置具有：处理室(1)，其容纳晶片(W)；加热源(17a、17b)，其被设置成面向晶片(W)的面，并具有对晶片(W)照射光的多个LED(33)；透光部件(18a、18b)，其对应于上述加热源(17a、17b)地设置，并使来自发光元件(33)的光透射，其中，加热源(17a、17b)构成为在支撑体(32)上朝向晶片(W)侧安装有多个发光元件(33)，发光元件分别单独地被由透明树脂构成的透镜层(20)覆盖。

公开(公告)号：CN101091236A

公开(公告)日：2007-12-19

申请号：CN200680001627.2

申请日：2006-10-31

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 河西繁 ,  铃木智博

IPC: H01L21/26 ,  H01L21/265

CPC classification number: H01L21/324 ,  H01L21/2686 ,  H01L21/67115

Abstract: 本发明涉及一种加热装置，该用于加热被处理体(W)的加热装置(62)，包括多个加热光源，该加热光源具有向所述被处理体射出波长360～520nm范围内的加热用光的LED元件(74)。由此，能够在与膜种没有关系的温度分布均一的状态下，只使半导体晶片等被处理体的表面的浅层高速升温及高速降温。