公开(公告)号：CN112786441A

公开(公告)日：2021-05-11

申请号：CN202011216388.0

申请日：2020-11-04

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 横山乔大 ,  户村幕树 ,  木原嘉英 ,  大内田聪

IPC: H01L21/3065 ,  H01J37/32

Abstract: 本发明的蚀刻方法包括工序(a)，所述工序(a)在等离子体处理装置的腔室内准备基板。基板包含含硅膜及掩模。掩模含有碳。蚀刻方法还包括工序(b)，所述工序(b)通过来自在腔室内由处理气体生成的等离子体的化学物种来对含硅膜进行蚀刻。处理气体包含卤素元素及磷。在工序(b)中，在掩模的表面上形成碳与磷的键合。

公开(公告)号：CN110004431A

公开(公告)日：2019-07-12

申请号：CN201811580087.9

申请日：2018-12-24

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 木原嘉英 ,  横山乔大

IPC: C23C16/44 ,  C23C16/04 ,  C23C16/455 ,  C23C16/458

Abstract: 为了在被处理基片上形成图案时实现随高度集成化带来的精细化，提供一种用于抑制颗粒产生的技术。一实施方式的方法是一种在形成于被处理基片上的图案上成膜的成膜方法，被处理基片被配置在载置台上，载置台被设置在能够在减压环境下进行等离子体处理的空间内，在该空间配置有与载置台相对的能够供给高频电力的上部电极。该方法反复执行下述流程，其中该流程包括：在被处理基片的图案上形成沉积膜的第一步骤；和仅对上部电极供给电力来在空间中产生等离子体，从而对空间进行清扫的第二步骤。