公开(公告)号：CN109052988A

公开(公告)日：2018-12-21

申请号：CN201811222709.0

申请日：2018-10-19

Applicant: 上海纳米技术及应用国家工程研究中心有限公司

Inventor： 何丹农 ,  卢静 ,  涂兴龙 ,  白仕亨 ,  李砚瑞 ,  金彩虹

IPC: C03C17/34

CPC classification number: C03C17/347 ,  C03C17/006 ,  C03C2217/40 ,  C03C2217/71 ,  C03C2217/94 ,  C03C2218/111

Abstract: 本发明公开了一种ZnIn2S4纳米片阵列薄膜的制备方法，先用化学法在FTO导电玻璃上沉积一层In2S3纳米薄膜，然后在其表面溅射一层锌，最后以铟源、硫源为前驱体，通过控制溶剂热反应的温度和时间，从而制备出ZnIn2S4纳米片阵列。本发明制备ZnIn2S4纳米片是一种超薄结构，厚度在5~6 nm，具有结晶性高，陷光性能好且能够反复使用等优异特性。此外，本方法制备简单，过程易控，成本低廉，无毒环保，在光催化制氢，光催化降解有机污染物和人工光合作用等领域具有巨大的应用前景。