公开(公告)号：CN105499602B

公开(公告)日：2018-11-16

申请号：CN201510973724.9

申请日：2015-12-21

Applicant: 上海交通大学 ,  上海纳米技术及应用国家工程研究中心有限公司

Inventor： 何丹农 ,  李争 ,  张彦鹏 ,  尹桂林 ,  卢静 ,  张彬

IPC: B22F9/24 ,  B82Y40/00 ,  G01N21/65

Abstract: 本发明提供了一种基于还原法合成金纳米颗粒的SERS基底制备方法，所述方法通过对硅片表面进行修饰，实现氨基化过程，然后通过还原氯金酸溶液的方法使金纳米颗粒较均匀地吸附在基底上，制成可重复的、有高增强因子的SERS基底。本发明制备的SERS活性基底具有制备工艺简单易行、重复性强、增强因子大等优点，具备小分子和大分子检测的应用潜力。

公开(公告)号：CN105331943B

公开(公告)日：2017-10-27

申请号：CN201510752910.X

申请日：2015-11-09

Applicant: 上海纳米技术及应用国家工程研究中心有限公司

Inventor： 何丹农 ,  卢静 ,  李争 ,  尹桂林 ,  金彩虹

IPC: C23C14/35 ,  C23C14/58 ,  G01N21/65

Abstract: 本发明涉及了一种基于共溅射后腐蚀修饰获得表面拉曼散射信号增强基底的制备方法，具体涉及到将表面清洁后的基底利用磁控溅射方法，采用双靶共溅射的工艺控制溅射功率和时间，获得非完全连续的岛状金属薄膜后，继续用酸溶液进行腐蚀修饰，从而获得具有SERS效应的基底。将腐蚀修饰后的基底用去离子水清洗后在真空干燥箱中干燥，即可制得对甘油探针分子具有明显增强效应的SERS基底。该制备方法所需材料丰富，制备工艺成熟，可重复性好，易于实现批次制备。

公开(公告)号：CN105355715A

公开(公告)日：2016-02-24

申请号：CN201510787568.7

申请日：2015-11-17

Applicant: 上海纳米技术及应用国家工程研究中心有限公司

Inventor： 何丹农 ,  卢静 ,  李争 ,  张彦鹏 ,  尹桂林

IPC: H01L31/18 ,  G01B11/02

CPC classification number: Y02P70/521 ,  H01L31/18 ,  G01B11/02

Abstract: 本发明涉及了一种金属纳米晶改性半导体光电位置传感器件的制备方法；具体涉及到将Si基片用丙酮、去离子水在超声波清洗器中洗净并干燥后，放入磁控溅射腔，装上纯度大于99.99的金属靶；抽真空至10-5 Pa后，通入氩气并调整气体流量计使气压达到1Pa左右，采用直流溅射，设定功率为25W,溅射时间5-18s；结束后将样品取出，放入原子层沉积系腔内，沉积20-30nm厚度的ZnO薄膜；完成后取出样品即可获得相关器件原型。通过嵌入金属纳米晶颗粒层，能有效提高该器件的光电探测灵敏度，且能够维持氧化物半导体的抗辐射老化优势，对提高器件性能及延长使用寿命具有重要意义。

公开(公告)号：CN105277529A

公开(公告)日：2016-01-27

申请号：CN201510753967.1

申请日：2015-11-09

Applicant: 上海纳米技术及应用国家工程研究中心有限公司

Inventor： 何丹农 ,  卢静 ,  李争 ,  张彦鹏 ,  尹桂林 ,  金彩虹

IPC: G01N21/65

Abstract: 本发明涉及了一种氧化石墨烯@Ag纳米颗粒拉曼增强基底的制备方法，具体涉及到将氧化石墨烯超声分散去离子水中，PEI溶于去离子水中并加入氧化石墨烯溶液，超声搅拌后采离心提纯得到氧化石墨烯/PEI复合物；配置一定浓度的硝酸银溶液，加热至沸腾后加入柠檬酸钠溶液5持续搅拌后自然冷却，超声后用去离子水清洗得到Ag溶胶溶液；取氧化石墨烯/PEI溶液加入到步骤Ag溶胶中，静置后洗涤并溶于去离子水中，即获得氧化石墨烯@Ag纳米颗粒拉曼增强基底。

公开(公告)号：CN104561937A

公开(公告)日：2015-04-29

申请号：CN201510005822.3

申请日：2015-01-05

Applicant: 上海纳米技术及应用国家工程研究中心有限公司

Inventor： 何丹农 ,  卢静 ,  李争 ,  尹桂林

IPC: C23C16/455 ,  C23C16/30

CPC classification number: C23C16/45525 ,  C23C16/305

Abstract: 本发明涉及一种原子层沉积制备具有固体润滑作用的WS2薄膜方法，将经严格清洗的基底放入ALD腔内，使用六羰基钨(W(CO)6)固体钨源和H2S气体硫源制备WS2薄膜。原子层沉积系统腔内沉积温度应加热到300-400℃的沉积温度；设置钨前驱体源W(CO)6固体的加热温度为60℃，载气流量为100-200sccm；硫前驱体源10%的H2S气体,载气流量为150-250sccm。设置沉积过程中六羰基钨固体源的脉冲时间为0.1-0.3秒，高纯氮气冲洗15-25秒；H2S气体源的脉冲时间为10-20秒，高纯氮冲洗20-30秒。本发明涉及的制备方法，参数易控，可重复性高，适用于产业化生产环境。

公开(公告)号：CN104451597A

公开(公告)日：2015-03-25

申请号：CN201410662452.6

申请日：2014-11-19

Applicant: 上海纳米技术及应用国家工程研究中心有限公司

Inventor： 何丹农 ,  卢静 ,  李争 ,  尹桂林

IPC: C23C16/30 ,  C23C16/455

Abstract: 本发明涉及了一种固体润滑ZnS薄膜的制备方法，将经严格清洗的基底放入原子层沉积系统（ALD）腔内，使用二乙基锌（Zn(C2H5)2）液体金属源和H2S气体硫源制备ZnS薄膜；将获得的ZnS薄膜采用硫化退火工艺进行处理，得到固体润滑ZnS薄膜。本发明方法采用原子层沉积工艺，可以较好地控制ZnS薄膜的厚度，提高金属源和气体源的利用率。硫化系统工艺参数完善，在少量H2S下即可完成硫化退火步骤；制备的ZnS薄膜颗粒分布均匀，力学性质优异，摩擦系数可稳定在0.1的数量级上。本发明涉及的制备方法，参数易控，可重复性高，适用产业化生产环境。