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公开(公告)号：CN112812772A
公开(公告)日：2021-05-18
申请号：CN202110036528.4
申请日：2021-01-12
Applicant: 上海电力大学
Abstract: 本发明提供了一种Cs/Pb/I钙钛矿材料的制备方法，将碘化铅与碘化铯以1:5的摩尔比溶解在由DMF和DMSO以4：1的体积比混合后的溶剂中，经过旋涂退火形成Cs/Pb/I钙钛矿材料薄膜。该制备方法在制备过程中，仅需要100℃的退火温度，显著低于现有技术中的退火温度，使得整个制备过程更简单，对试验环境、设备的要求更低。此外，该制备方法制备得到的Cs/Pb/I钙钛矿材料在室温空气下存放较长时间后依然能够保持原本的光致发光光谱，具有较好的稳定性。
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公开(公告)号：CN112812769A
公开(公告)日：2021-05-18
申请号：CN202110035364.3
申请日：2021-01-12
Applicant: 上海电力大学
Abstract: 本发明提供了一种铟基钙钛矿物质及其制备方法，具有这样的特征，铟基钙钛矿物质包括：金属元素A、铟元素In、铜元素Cu以及卤素元素B；制备方法包括以下步骤：步骤1，在氩气环境中制备前驱体粉末，并将前驱体粉末密封至石英管中；步骤2，将密封好的石英管接在双排管上，接通氩气，对石英管进行抽真空、补气以及清洗；步骤3，将抽真空的石英管进行第二次密封；步骤4，将第二次密封的石英管装在Al2O3坩埚中，放到马弗炉中进行升温‑保持‑降温步骤，得到铟基钙钛矿物质。实现了铟基钙钛矿物质的蓝紫光的光致发光以及非常高的量子产率，极具应用价值。
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公开(公告)号：CN119685003A
公开(公告)日：2025-03-25
申请号：CN202411623483.0
申请日：2024-11-14
Applicant: 上海电力大学
Abstract: 本发明涉及一种具有形状记忆性能的钙钛矿荧光复合材料及其制备方法与应用，所述复合材料通过用聚乳酸(PLA)/聚已内酯(PCL)形状记忆高分子封装钙钛矿量子点得到，所述形状记忆高分子碳链上含有C＝O，用于钝化所述PQD中的缺陷。其制备方法如下：将PLA和PCL混合，加入有机溶剂溶解得到凝胶溶液；再加入制备好的PQD溶液均匀混合，室温下挥发即可成型。与现有技术相比，本发明制备的荧光复合材料，制备步骤简单，PQD稳定性大大提高，且复合材料可塑性强，形状记忆性能优良。在紫外灯下，发光性能好。此类复合材料可广泛应用于防伪、3D打印、柔性材料等领域。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN119069047A
公开(公告)日：2024-12-03
申请号：CN202411207278.6
申请日：2024-08-30
Applicant: 上海电力大学
IPC: G16C60/00 , G16C20/70 , G16C20/50 , G16C20/90 , G06F18/211 , G06F18/241 , G06N20/20 , G06N5/045
Abstract: 本发明涉及一种基于集成学习大规模直接带隙双钙钛矿设计方法、系统、介质。其中设计方法包括如下步骤：S1，建立初始数据库；S2，对初始数据进行清洗与预处理；S3，特征工程与模型训练；S4，设计新型直接带隙双钙钛矿材料，完成整个方法流程。与现有技术相比，本发明能提供各组分特征对双钙钛矿直接带隙的影响趋势的同时还可以加快给出能够达到期望的直接带隙双钙钛矿，以减少实验的试错成本。
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公开(公告)号：CN115347124A
公开(公告)日：2022-11-15
申请号：CN202211113734.1
申请日：2022-09-14
Applicant: 上海电力大学
Abstract: 本发明提供了一种钙钛矿薄膜的表面修饰方法，该方法将DDS溶液旋涂于钙钛矿薄膜的表面，退火煅烧得到具有DDS修饰层的钙钛矿薄膜。本发明还提供了一种基于DDS表面修饰的钙钛矿太阳能电池的制备方法，该方法包括：依次制备透明导电基底、电子传输层、钙钛矿吸收层、采用钙钛矿薄膜的DDS表面修饰方法制备DDS表面修饰层、空穴传输层和电极。本发明在钙钛矿薄膜表面引入DDS修饰层，有效钝化了其表面缺陷，减少了非辐射复合中心。本发明制备得到的钙钛矿太阳能电池由于DDS分子的引入，其钙钛矿吸收层和空穴传输层之间能级能更好地匹配，减少了载流子传输损耗，光电转换效率进一步提高。另外，本发明的材料获取容易，价格低廉，成本低。
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公开(公告)号：CN114605988A
公开(公告)日：2022-06-10
申请号：CN202210337838.4
申请日：2022-04-01
Applicant: 上海电力大学
Abstract: 本发明公开了一种零维蓝色发光钙钛矿材料，包括：无机金属离子A+、三价金属离子In3+以及卤素离子B‑。其化学式为A3InB6。本发明还公开了一种零维蓝色发光钙钛矿材料的制备方法，具体为：步骤1，在氩气环境中制备前驱体粉末，并将前驱体粉末利用转接头密封至石英管中。步骤2，将石英管接在双排管上，向双排管中通氩气，进行多次换气、清洗后对石英管抽真空。步骤3，将石英管进行第二次密封。步骤4，将石英管装在避光的坩埚中，并放到马弗炉中进行煅烧，通过升温‑恒温‑降温方法生长得到零维蓝色发光钙钛矿材料。本发明通过调控A位离子，得到几种具有蓝色光致发光性质的零维铟基钙钛矿材料。这对钙钛矿荧光材料的商业化具有深远的意义。
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公开(公告)号：CN119152995A
公开(公告)日：2024-12-17
申请号：CN202411175683.4
申请日：2024-08-26
Applicant: 上海电力大学
IPC: G16C60/00 , G16C20/30 , G16C20/70 , G06F18/2113 , G06F18/2415 , G06F18/27 , G06N5/045
Abstract: 本发明涉及一种基于数据驱动的二维双金属氧族化合物二氧化碳还原光催化剂材料设计方法、系统、介质，其中设计方法包括以下步骤：S1，建立初始数据库；S2，对初始数据进行清洗和预处理，并确定不同目标变量的机器学习问题属性；S3，特征工程与模型训练；S4，设计新型二维光催化剂材料，基于S3的模型预测目标属性；S5，基于S4预测的目标属性预筛选光催化剂候选材料；S6，对候选材料进行DFT验证。与现有技术相比，本发明通过学习已知的二维材料的目标变量数据，在能提供各特征对目标变量的影响趋势的同时，还可以快速给出期望的二维光催化剂材料，以减少在寻找二维光催化剂的实验次数，加速二氧化碳还原光催化剂的制作流程。
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公开(公告)号：CN118589203A
公开(公告)日：2024-09-03
申请号：CN202410834849.2
申请日：2024-06-26
Applicant: 上海电力大学
Abstract: 本发明涉及一种多频高增益非周期人工磁导体太赫兹微带天线，包括非周期人工磁导体结构和太赫兹微带天线，太赫兹微带天线设于非周期人工磁导体结构的正上方；非周期人工磁导体结构包括：第一接地板、第一介质基板、大尺寸“梅花”形人工磁导体单元、小尺寸“梅花”形人工磁导体单元；太赫兹微带天线包括：第二接地板、第二介质基板和辐射贴片。与现有技术相比，本发明通过引入非周期人工磁导体结构提高天线的增益和辐射效率，每增加一个方形槽就会产生一个新的天线谐振点，嵌套三个方形槽使得非周期人工磁导体太赫兹微带天线拥有四个谐振点，且四个频点均具有较高的增益，使得非周期人工磁导体太赫兹微带天线满足多频段工作的需求。
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