公开(公告)号：CN101901754A

公开(公告)日：2010-12-01

申请号：CN201010211448.X

申请日：2010-06-25

Applicant: 上海新傲科技股份有限公司 ,  中国科学院上海微系统与信息技术研究所

Inventor： 魏星 ,  王湘 ,  李显元 ,  张苗 ,  王曦 ,  林成鲁

IPC: H01L21/20 ,  H01L21/762

Abstract: 本发明提供了一种在绝缘层中嵌入纳米晶的半导体材料制备方法，包括如下步骤：提供支撑衬底与器件衬底；在支撑衬底或器件衬底的表面生长绝缘层；在绝缘层中注入纳米晶改性离子；通过绝缘层将支撑衬底与器件衬底键合在一起；实施键合后的退火加固。本发明的优点在于，通过对工艺顺序的巧妙调整，在不影响其他工艺的前提下，将形成纳米晶所采用的离子注入的步骤调整在键合之前实施的，从而不会影响到器件层的晶格完整性，提高了所制备的SOI材料的晶体质量。

公开(公告)号：CN101692440B

公开(公告)日：2012-05-23

申请号：CN200910197074.8

申请日：2009-10-13

Applicant: 上海新傲科技股份有限公司 ,  中国科学院上海微系统与信息技术研究所

Inventor： 魏星 ,  王湘 ,  李显元 ,  张苗 ,  王曦 ,  林成鲁

IPC: H01L23/00 ,  H01L29/04 ,  H01L21/02 ,  H01L21/20

CPC classification number: H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 一种混合晶向应变硅衬底，包括：支撑衬底；直接设置于支撑衬底表面的锗硅层；以及直接设置于锗硅层表面的应变硅层。本发明进一步提供了所述混合晶向应变硅衬底的制备方法。本发明的优点在于，所提供的混合晶向应变硅衬底中，能够降低第一锗硅层的位错密度，并且保证第一应变硅区域的应变状态。并且由于具有锗硅层作为支撑衬底和应变硅层之间的缓冲层，能够提高应变硅层的晶格质量和应变程度。进一步提供的混合晶向应变硅衬底制备方法中，应变硅层生长完毕后无需再进行抛光、外延以及键合等工艺，能够保持应变硅的应变程度。

公开(公告)号：CN101692440A

公开(公告)日：2010-04-07

申请号：CN200910197074.8

申请日：2009-10-13

Applicant: 上海新傲科技股份有限公司 ,  中国科学院上海微系统与信息技术研究所

Inventor： 魏星 ,  王湘 ,  李显元 ,  张苗 ,  王曦 ,  林成鲁

IPC: H01L23/00 ,  H01L29/04 ,  H01L21/02 ,  H01L21/20

CPC classification number: H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 一种混合晶向应变硅衬底，包括：支撑衬底；直接设置于支撑衬底表面的锗硅层；以及直接设置于锗硅层表面的应变硅层。本发明进一步提供了所述混合晶向应变硅衬底的制备方法。本发明的优点在于，所提供的混合晶向应变硅衬底中，能够降低第一锗硅层的位错密度，并且保证第一应变硅区域的应变状态。并且由于具有锗硅层作为支撑衬底和应变硅层之间的缓冲层，能够提高应变硅层的晶格质量和应变程度。进一步提供的混合晶向应变硅衬底制备方法中，应变硅层生长完毕后无需再进行抛光、外延以及键合等工艺，能够保持应变硅的应变程度。

公开(公告)号：CN101604657A

公开(公告)日：2009-12-16

申请号：CN200910053503.4

申请日：2009-06-19

Applicant: 上海新傲科技股份有限公司 ,  中国科学院上海微系统与信息技术研究所

Inventor： 魏星 ,  王湘 ,  李显元 ,  张苗 ,  王曦 ,  林成鲁

IPC: H01L21/762 ,  H01L21/265 ,  H01L21/20 ,  H01L21/78

Abstract: 一种制备双埋层绝缘体上硅衬底的方法，包括如下步骤：提供单晶硅支撑衬底；将第一离子注入单晶硅支撑衬底中；退火，从而在单晶硅支撑衬底中形成第一绝缘层以及第一单晶硅层；提供第一键合衬底；在第一键合衬底表的表面形成第二单晶硅层；在第二单晶硅层表面形成第二绝缘层；以第二绝缘层远离第一键合衬底的表面以及第一单晶硅层远离单晶硅支撑衬底的表面为键合面，进行键合操作；移除第一键合衬底。本发明的优点在于，采用注入工艺形成第一单晶硅层，从而能够避免边缘碎裂的问题，并且注入工艺可以减少机械抛光和键合的次数，从而提高了材料厚度的均匀性和晶向的对准精度。

公开(公告)号：CN101707187B

公开(公告)日：2012-02-01

申请号：CN200910199623.5

申请日：2009-11-27

Applicant: 上海新傲科技股份有限公司

Inventor： 陈杰 ,  叶斐 ,  李显元 ,  陈国兴

IPC: H01L21/762 ,  H01L21/306

Abstract: 一种带有绝缘埋层的晶圆的表面处理方法，包括如下步骤：提供一晶圆，所述晶圆包括支撑衬底、顶层半导体层以及设置于两者之间的绝缘埋层，所述顶层半导体层的材料为单晶硅；对顶层半导体层实施化学机械抛光，所述抛光工艺的抛光压力是20至35kPa；清洗抛光后的表面，所述清洗采用将双氧水和氨水与纯净水相互混合的方法制备而成，混合前双氧水和氨水任意一种的体积都低于纯净水体积的1/150。本发明的优点在于，调整的抛光和清洗步骤中的工艺参数，尤其是调整抛光的压力和清洗液的配方，可以保证即能够实现抛光和清洗的目的，又不至于消耗太多的顶层半导体层。

公开(公告)号：CN101707187A

公开(公告)日：2010-05-12

申请号：CN200910199623.5

申请日：2009-11-27

Applicant: 上海新傲科技股份有限公司

Inventor： 陈杰 ,  叶斐 ,  李显元 ,  陈国兴

IPC: H01L21/762 ,  H01L21/306

Abstract: 一种带有绝缘埋层的晶圆的表面处理方法，包括如下步骤：提供一晶圆，所述晶圆包括支撑衬底、顶层半导体层以及设置于两者之间的绝缘埋层，所述顶层半导体层的材料为单晶硅；对顶层半导体层实施化学机械抛光，所述抛光工艺的抛光压力是20至35kPa；清洗抛光后的表面，所述清洗采用将双氧水和氨水与纯净水相互混合的方法制备而成，混合前双氧水和氨水任意一种的体积都低于纯净水体积的1/150。本发明的优点在于，调整的抛光和清洗步骤中的工艺参数，尤其是调整抛光的压力和清洗液的配方，可以保证既能够实现抛光和清洗的目的，又不至于消耗太多的顶层半导体层。

公开(公告)号：CN101354236B

公开(公告)日：2010-06-02

申请号：CN200810041407.3

申请日：2008-08-05

Applicant: 上海新傲科技股份有限公司

Inventor： 叶斐 ,  陈杰 ,  肖型奎 ,  李显元

IPC: G01B11/00

Abstract: 一种对衬底的多层膜表面的颗粒尺寸进行无损检测的方法，提供表面具有多层膜结构的待测衬底，检测附着于衬底的多层膜表面的颗粒的几何尺寸。采用标准测试颗粒对应分布于与待测衬底具有相同多层膜结构的测试衬底的多层膜表面，建立标准颗粒的散射光强的高斯峰宽度与相应的实际几何尺寸之间的转换关系，作为测定表面颗粒尺寸的依据。本发明的优点在于，由于高斯峰宽度与几何尺寸之间的转换关系是基于多层膜表面建立的，再用于测定先通的多层膜表面颗粒尺寸，因此可以排除多层膜表面由于多次反射对散射光造成的干扰，提高测试的可靠性。