-
公开(公告)号：CN117402616B
公开(公告)日：2025-05-23
申请号：CN202311182947.4
申请日：2023-09-13
Applicant: 上海应用技术大学
Abstract: 本发明公开了钽酸镁掺杂锑、锡、铋/锂闪烁发光材料及其制备方法与应用。所述闪烁发光材料的化学组成式为Mg4Ta2O9:x at％Sb5+(0≤x≤10)；Mg4Ta2O9:y at％Sn4+(0≤y≤1.5)；(Mg(1‑2z)BizLiz)4Ta2O9(0≤z≤0.02)。制备方法为：按化学通式称取原料，将所有原料混合均匀；然后将混合物在空气气氛中依次预烧、煅烧，再自然冷却到室温，研磨即可。本发明通过对Mg4Ta2O9分别不同比例掺杂Sb2O5、SnO2和Bi2O3/Li2CO3，大幅缩短了闪烁体材料的衰减时间，可以应用在X射线和γ射线辐射探测领域。
-
公开(公告)号：CN117402616A
公开(公告)日：2024-01-16
申请号：CN202311182947.4
申请日：2023-09-13
Applicant: 上海应用技术大学
Abstract: 本发明公开了钽酸镁掺杂锑、锡、铋/锂闪烁发光材料及其制备方法与应用。所述闪烁发光材料的化学组成式为Mg4Ta2O9:x at％Sb5+(0≤Snx4+≤(01≤0)y；≤Mg14Ta.5)2O；9(M:y g(1at‑2％z)BizLiz)4Ta2O9(0≤z≤0.02)。制备方法为：按化学通式称取原料，将所有原料混合均匀；然后将混合物在空气气氛中依次预烧、煅烧，再自然冷却到室温，研磨即可。本发明通过对Mg4Ta2O9分别不同比例掺杂Sb2O5、SnO2和Bi2O3/Li2CO3，大幅缩短了闪烁体材料的衰减时间，可以应用在X射线和γ射线辐射探测领域。
-
公开(公告)号：CN116969682A
公开(公告)日：2023-10-31
申请号：CN202310800113.9
申请日：2023-06-30
Applicant: 上海应用技术大学
Abstract: 本发明公开了一种ZnO:Ga激活的硼酸盐闪烁微晶玻璃及其制备方法和应用。本发明的硼酸盐闪烁微晶玻璃的化学组成表达式为Li2B4O7‑x at％ZnO:Ga，其中，0＜x≤50，微晶相ZnO:Ga(即ZnO‑0.5wt％Ga2O3)掺杂占硼酸盐闪烁微晶玻璃整体的比例为0～50at％。该闪烁微晶玻璃采用高温熔融法合成，在空气中稳定存在，工艺安全简单，容易控制。本发明的闪烁微晶玻璃在X射线激发下，光产额为1543～1694ph./MeV。其中Li2B4O7‑50at％ZnO:Ga的光产额最高，是BGO晶体的21％，解决了ZnO:Ga晶体存在的严重自吸收问题，光产额高于ZnO:Ga晶体。
-
公开(公告)号：CN113861976B
公开(公告)日：2023-03-21
申请号：CN202111293157.4
申请日：2021-11-03
Applicant: 上海应用技术大学
Abstract: 本发明公开了一种钽酸镁异价掺杂铪、锆、钼、钨闪烁发光材料及其制备方法。所述的闪烁发光材料的化学通式为Mg4Ta2O9:x at％Y(x＝2、4、6、8、10，Y＝Hf4+、Zr4+、Mo6+、W6+)，其制备方法为：按化学通式称取原料并混合均匀；然后将混合物在空气气氛中依次预烧、煅烧，再自然冷却到室温，研磨即可。本发明所制备的闪烁发光材料在X射线激发下的光产额为413～13469ph./MeV，稍低于Mg4Ta2O9材料的光产额，但荧光寿命因掺杂大为缩短，为1186ns～3345ns，其中，掺杂钨时具有最短的衰减时间1186ns，约为Mg4Ta2O9材料衰减时间的1/5。
-
公开(公告)号：CN113462388B
公开(公告)日：2022-12-13
申请号：CN202110746412.X
申请日：2021-07-01
Applicant: 上海应用技术大学
Abstract: 本发明公开了一种稀土掺杂钽酸镁系列闪烁发光材料及其制备方法和应用。本发明的稀土掺杂钽酸镁系列闪烁发光材料的化学组成表达式为：Mg4Ta2O9:RE。本发明中的闪烁发光材料采用高温固相法合成，在空气中稳定存在，工艺安全简单，容易控制。所发明的闪烁发光材料，在X射线激发下，得到的不同稀土掺杂的Mg4Ta2O9:RE样品光产额在13848～43917ph/MeV。其中样品Mg4Ta2O9：0.25at％Gd光产额最高，是CsI(Tl)的81％，是Mg4Ta2O9(简称MTO)和CdWO4的2.4倍。
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN113861976A
公开(公告)日：2021-12-31
申请号：CN202111293157.4
申请日：2021-11-03
Applicant: 上海应用技术大学
Abstract: 本发明公开了一种钽酸镁异价掺杂铪、锆、钼、钨闪烁发光材料及其制备方法。所述的闪烁发光材料的化学通式为Mg4Ta2O9:x at％Y(x＝2、4、6、8、10，Y＝Hf4+、Zr4+、Mo6+、W6+)，其制备方法为：按化学通式称取原料并混合均匀；然后将混合物在空气气氛中依次预烧、煅烧，再自然冷却到室温，研磨即可。本发明所制备的闪烁发光材料在X射线激发下的光产额为413～13469ph./MeV，稍低于Mg4Ta2O9材料的光产额，但荧光寿命因掺杂大为缩短，为1186ns～3345ns，其中，掺杂钨时具有最短的衰减时间1186ns，约为Mg4Ta2O9材料衰减时间的1/5。
-
公开(公告)号：CN108203844B
公开(公告)日：2021-03-19
申请号：CN201810019067.8
申请日：2018-01-09
Applicant: 上海应用技术大学
Abstract: 本发明公开了一种钽酸镁系列晶体，即MgO‑Ta2O5赝二元体系，分别为Mg4Ta2O9、Mg3Ta2O8和MgTa2O6。还提供了制备钽酸镁系列晶体的方法，采用过量MgO或Mg(OH)2组分补偿，通过固相反应合成高纯MgTa2O6和Mg4Ta2O9粉料，并采用微下拉法生长出厘米级棒状MgTa2O6和Mg4Ta2O9单晶体；以Mg4Ta2O9和MgTa2O6作熔融起始物，采用自发成核技术，在MgTa2O6陶瓷籽晶棒上生长出厘米级棒状Mg3Ta2O8单晶体。本发明采用微下拉法，有效利用其生长界面附近的高温度梯度，实现快速、高均匀性结晶，有效利用后加热器避免热应力过大所导致的开裂问题。
-
公开(公告)号：CN108221055B
公开(公告)日：2020-10-09
申请号：CN201810018733.6
申请日：2018-01-09
Applicant: 上海应用技术大学
Abstract: 本发明提供了一种闪烁晶体钽酸镁，其化学式Mg4Ta2O9，属于六方晶系，具有钛铁矿结构，闪烁发光的光产额为16000photons/M eV，衰减时间为5μs，能量分辨率为6.2%，还提供了上述Mg4Ta2O9作为闪烁晶体材料的用途，还提供了其制备方法，即以MgO和Ta2O5为初始粉料，按摩尔比4.04:1混匀，做成原料棒并预烧得纯相、致密、均匀的多晶料棒，采用光学浮区法生长出大小为Φ4mm×L62mm的无色、透明棒状晶体。该方法具有熔区稳定、操作简便等优点，能有效抑制MgO挥发、保持组分均匀和结晶质量稳定。
-
公开(公告)号：CN116925758B
公开(公告)日：2024-10-01
申请号：CN202310897877.4
申请日：2023-07-20
Applicant: 上海应用技术大学
Abstract: 本发明公开了一种真空紫外光激发的钽铌酸镁蓝紫色荧光粉及其应用。本发明的蓝紫色荧光粉钽铌酸镁的化学组成表达式为Mg4(Ta1‑xNbx)2O9，其中，0≤x≤1。该蓝紫色荧光粉采用高温固相反应法合成，在空气中稳定存在，工艺安全简单，容易控制。本发明的真空紫外激发的蓝、紫色荧光粉的发光强度是对比样品BaMgAl10O17:Eu2+(BAM)蓝色荧光粉的0.53～4.06倍。其中Mg4(Ta0.8Nb0.2)2O9的发光强度最高，是BaMgAl10O17:Eu2+(BAM)的4.06倍，抗热损伤、抗辐射损伤、余辉时间短，在3D‑PDP等离子平板显示器以及无汞荧光灯等领域中具有广阔的应用前景。
-
公开(公告)号：CN117229776A
公开(公告)日：2023-12-15
申请号：CN202311185730.9
申请日：2023-09-13
Applicant: 上海应用技术大学
IPC: C09K11/67 , F21K9/64 , F21Y115/10
Abstract: 本发明公开了一种稀土掺杂钽酸镁UVA发光荧光粉。本发明的UVA荧光粉的化学组成表达式为Mg4Ta2O9:0.25at％RE，其中，稀土掺杂离子RE为La3+、Ce3+、Pr3+、Nd3+、Sm3+、Eu3+、Gd3+、Tb3+、Dy3+、Ho3+、Er3+、Tm3+、Yb3+、Lu3+、Y3+和Sc3+中的至少一种。该UVA荧光粉采用高温固相反应法合成，在空气中稳定存在，工艺安全简单，容易控制。本发明的真空紫外激发的UVA荧光粉发射波长在360～392nm范围内可调，发光峰强度是商用蓝色荧光粉BaMgAl10O17:Eu2+(BAM)的1.275～4.575倍。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
27
records
(took 0.022 seconds)
