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公开(公告)号:CN1710635A
公开(公告)日:2005-12-21
申请号:CN200510082363.5
申请日:2005-06-17
Applicant: 三菱电机株式会社
CPC classification number: G09G3/3241 , G09G3/3266 , G09G3/3283 , G09G3/3291 , G09G2300/0842 , G09G2300/0861 , G09G2310/0248 , G09G2310/0251
Abstract: 对于排成1列的像素(PX1-PX3)设置多根数据线(DL1Q、DL1E),将一边预充电至预定电压(VP),并经由另一边对选择像素供给与写入电流或黑数据对应的电压。这些数据线与不同行的像素以预定的顺序连接。从而,提供不影响写入时间之容限的情况下可进行完全的黑数据信号的写入的显示装置。
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公开(公告)号:CN1573901A
公开(公告)日:2005-02-02
申请号:CN200410059777.1
申请日:2004-06-17
Applicant: 三菱电机株式会社
Inventor: 飞田洋一
CPC classification number: G09G3/3648 , G09G3/3208 , G09G2310/027
Abstract: 在该彩色液晶显示装置中,分别准备形成容易发生不合格的模拟放大器(14)的绝缘衬底(31)和形成模拟放大器(14)以外的电路部分的绝缘衬底(30),分别检测它们是否合格,只将合格的绝缘衬底(31)安装在合格的绝缘衬底(30)上。因此,与将彩色液晶显示装置整体形成在1个绝缘衬底上的现有技术相比,可以提高彩色液晶显示装置的合格率。
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公开(公告)号:CN1538617A
公开(公告)日:2004-10-20
申请号:CN200410031747.X
申请日:2004-03-25
Applicant: 三菱电机株式会社
Inventor: 飞田洋一
CPC classification number: H03K5/249 , G09G3/3611 , G09G3/3688 , H03K5/003 , H03K5/2481
Abstract: 在该带偏置补偿功能的驱动电路(25)中,使第1、第2、第3开关(S1,S2.1,S2.2)导通,从而使第1电容器(27.1)充电至驱动电路(26)的偏置电压(VOF)后,使第1及第2开关(S1,S2.1)截止的同时,使第4开关(S3.1)导通,从而使第2电容器(27.2)充电至驱动电路(26)的输入节点(N21)的寄生电容(28)所引发的第1损失电压(ΔV1)。继而,使第3和第4开关(S3.1,S2.2)截止的同时,使第5和的6开关(S3.2,S4)导通。此时也将产生由寄生电容(28)所引发的第2损失电压(ΔV2),输出电压(V0)变成输入电压(VI)与第2损失电压(ΔV2)之差(VI-ΔV2)。如果寄生电容(28)、第1电容器(27.1)、第2电容器(27.2)的电容值相同,则第2损失电压(ΔV2)变为第1损失电压(ΔV1)的1/6。
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公开(公告)号:CN1488193A
公开(公告)日:2004-04-07
申请号:CN02803843.6
申请日:2002-02-26
Applicant: 三菱电机株式会社
Inventor: 飞田洋一
CPC classification number: H03K3/356113 , G09G2310/0289 , H03K17/063
Abstract: 本电平移动装置(3)具备:用于锁存第1和第2输出结点(N5、N6)的第1和第2的P型TFT(5、6)与第1和第2的N型TFT(7、8);用于设定第1和第2输出结点(N5、N6)电平的第3和第4的N型TFT(9、10);响应输入信号(VI)的下降边和上升边,把高于输入信号(VI)的振幅电压(3V)的电压(约6V)分别加到第3和第4的N型TFT(9、10)的栅极-源极间的第1和第2电阻元件(11、12)与第1和第2电容(13、14)。
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公开(公告)号:CN1110899C
公开(公告)日:2003-06-04
申请号:CN98108467.2
申请日:1998-05-15
Applicant: 三菱电机株式会社
Inventor: 飞田洋一
IPC: H03K19/017 , H03K17/14
Abstract: 一种半导体集成电路。根据来自在高阻抗的输入部接收基准电压的第一及第二电压发生电路(2、3)的内部电压(VCa、VSa),在输出电路(10)的电源节点(4、7)上生成规定的电压电平的内部电源电压。将稳定电容(15、18)连接在该输出电路的内部电源节点上。由以源跟随器方式工作的MOS晶体管(5、8)决定电源电压,输出电路工作时,通过稳定电容驱动充放电电流,能将被限幅的输出信号可靠地输出到输出节点(9)。
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公开(公告)号:CN1161490A
公开(公告)日:1997-10-08
申请号:CN96111252.2
申请日:1996-08-30
Applicant: 三菱电机株式会社
Inventor: 飞田洋一
IPC: G05F3/24
CPC classification number: G05F3/242
Abstract: 一种电压发生电路包括:连接在第一电源节点(4a)与输出节点(3)之间并按源输出器模式工作的第一MOS晶体管(Q5);连接在该输出节点与第二电源节点(4b)之间并按源输出器模式工作的第二MOS晶体管(Q6);以及电压发生部分(VGA),该电压发生部分利用具有大于来自输出节点(3)的电压(VO)的两倍的电平的第三电源节点(5)上的电压,和接收一个比输出节点(3)的电压的测量基准电压更低的电压的第四电源节点(6)上的电压(VBB)。
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公开(公告)号:CN1159656A
公开(公告)日:1997-09-17
申请号:CN96123112.2
申请日:1996-12-11
Applicant: 三菱电机株式会社
Inventor: 飞田洋一
IPC: H01L27/04
CPC classification number: G05F1/465 , G05F3/247 , G11C5/145 , G11C5/146 , H03H11/245 , H03K17/063
Abstract: 一种半导体集成电路包含一电源电位反应电路以及一电容器(212c);该电路包含一连接成二极管的放电的MOS晶体管,以便在从连接节点至电源电位节点间配置成正向偏压的方向,该晶体管的背栅极和栅极本身相连接;以及,该电路包含一保持电路(216),藉此以保持其输出的电源启动复位信号。
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公开(公告)号:CN101242178B
公开(公告)日:2011-07-06
申请号:CN200810074219.0
申请日:2008-02-13
Applicant: 三菱电机株式会社
IPC: H03K19/003 , H03K19/0185 , G09G3/20 , G09G3/36 , G11C19/28
CPC classification number: G11C19/28
Abstract: 提供一种可抑制阈值电压的负方向移位(负移位)的晶体管,防止以移位寄存器为首的半导体装置的误动作。作为对使单位移位寄存器的输出端子OUT上拉的晶体管Q1的栅极节点(节点N1)进行充电的充电电路,使用由在第一电源端子S1和节点N1之间串联地连接的两个晶体管构成的双栅极晶体管Q3D。双栅极晶体管Q3D以如下方式构成,即,在构成此双栅极晶体管的两个晶体管间的连接节点(节点N3)由于该栅极和节点N3之间的电容耦合,根据栅极从H电平变为L电平,下降到L电平。
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公开(公告)号:CN100414644C
公开(公告)日:2008-08-27
申请号:CN200410044650.2
申请日:2004-05-19
Applicant: 三菱电机株式会社
Inventor: 飞田洋一
IPC: G11C11/4074
CPC classification number: G11C11/4074 , G11C5/14 , H01L27/0214
Abstract: 本发明的电压发生电路在基准电压节点(GG)和第1节点(ND1)之间配置第1晶体管(PQ1),使其栅极与第2节点(ND2)连接。在第2节点和基准电压节点之间配置第2晶体管(PQ2),使其栅极与第1节点连接。分别经由接收第1以及第2控制信号(φP、φCP)的电容元件(C1、C2)向第1以及第2节点提供电荷。进而,在第2节点和输出节点之间配置第3晶体管(NQ1),使其栅极节点(ND3)经由第3电容元件(C3)与第3控制信号(φCT)联结。另外,在该输出节点和第3晶体管的栅极节点之间连接第4晶体管(NQ2),使其栅极与第2节点连接。从而不产生无效电流地高效率使用电荷,以低消耗电力发生所希望电平的内部电压。
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公开(公告)号:CN100399397C
公开(公告)日:2008-07-02
申请号:CN200510078520.5
申请日:2005-06-09
Applicant: 三菱电机株式会社
Inventor: 飞田洋一
CPC classification number: G09G3/3283 , G09G2300/0819 , G09G2300/0852 , G09G2300/0861 , G09G2300/0866 , G09G2310/0256 , G09G2320/043
Abstract: 像素驱动电路(12A)中设有由在成为电流源的TFT元件(Q1A)的漏极与节点(N1B)之间配置的TFT元件(Q1B)、电容(CHB)和开关(S2B)构成的漏极电压上升限制电路(14A)。数据写入模式时开关(S2A、S2B、S1)导通,驱动电流(IEL)从数据线(DL)流过TFT元件(Q1B、Q1A)时,各TFT元件的栅极电压分别保持在电容(CHB、CHA)上。显示模式时仅开关(S3)导通,经由发光二极管(OLED)形成从电源电压(VH)到TFT元件(Q1B、Q1A)的电流通路。由于节点(N1A)的电压不依赖沟道调制而保持一定,使得在发光二极管(OLED)上流过预定的电流(IEL)。
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