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公开(公告)号：CN1205522A
公开(公告)日：1999-01-20
申请号：CN98104093.4
申请日：1998-02-04
Applicant: 三菱电机株式会社
Inventor： 谷田进
IPC: G11C11/34
CPC classification number: G01R31/043 , G01R31/2853 , G01R31/2886 , G06F11/2733
Abstract: 半导体装置(8)的接触检查电路(6)包括串联连接在两端的触点(P0和P6)之间的并且它们的栅极分别与触点群(P1～P5)连接的N沟道MOS晶体管群(1～5)。在进行接触检查时,将高电平供给与触点群(P1～P5)对应的探针群,检查两端的触点(P0和P6)之间的导通状态。1次便可检查触点群(P0～P6)与半导体试验装置的探针群的接触状态。
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