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公开(公告)号：CN107251433B
公开(公告)日：2020-10-30
申请号：CN201580076281.1
申请日：2015-02-16
Applicant: 三菱电机株式会社
IPC: H03K17/16 , H03K17/687
Abstract: 半导体器件驱动电路具有第1驱动电路(2a)以及第2驱动电路(5)。第1驱动电路(2a)生成对电压控制型开关元件进行控制的控制信号。第1驱动电路(2a)与输入至第1驱动电路(2a)的电压信号同步地生成控制信号。第1驱动电路(2a)具有与电压信号的大小相应的输出电流能力。第2驱动电路(5)向第1驱动电路(2a)输出电压信号。第2驱动电路(5)包含对电压信号的大小进行调整的输出调整电路(4a)。
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公开(公告)号：CN108337922A
公开(公告)日：2018-07-27
申请号：CN201580083994.0
申请日：2015-10-19
Applicant: 三菱电机株式会社
Abstract: 半导体器件驱动电路对半导体开关元件进行驱动，该半导体开关元件具备第1电极、第2电极、以及对所述第1电极及第2电极的电连接进行控制的控制电极。所述半导体器件驱动电路具备：输入端子，其接收输入信号；电平移位部，其将所述输入信号的电压电平进行移位，输出应向所述控制电极赋予的驱动信号；第1电阻，其根据施加于所述第1电极的第1电压生成第1电流；第2电阻，其根据施加于所述第2电极的第2电压生成第2电流；以及电压差判定部，其在所述第1电流和所述第2电流的差大于或等于预先设定的不饱和判定值时，发出检测信号。所述半导体器件驱动电路构成为，所述电平移位部、所述第1电阻、所述第2电阻及所述电压差判定部设置于1个集成电路芯片。
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公开(公告)号：CN108206685A
公开(公告)日：2018-06-26
申请号：CN201711376938.3
申请日：2017-12-19
Applicant: 三菱电机株式会社
IPC: H03K17/0812 , H03K17/0814
CPC classification number: H03K17/08122 , G01J5/061 , G01J5/12 , G01J5/16 , H03K17/08142 , H03K2017/0806
Abstract: 得到一种具有电绝缘性、小型且低价的电平移位电路及驱动电路。电热变换元件(5)将以第一基准电位为基准的第一电信号变换为热。热电变换元件(6)将来自电热变换元件(5)的热变换为以与第一基准电位不同的第二基准电位为基准的第二电信号。绝缘区域(7)将电热变换元件(5)和热电变换元件(6)电绝缘。
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公开(公告)号：CN107425701A
公开(公告)日：2017-12-01
申请号：CN201710357964.5
申请日：2017-05-19
Applicant: 三菱电机株式会社
Abstract: 在使用简单的结构的同时精密地校正来自半导体开关元件的输出相对于输入信号的信号宽度偏差。延迟时间校正电路(601)使输入信号(IN)延迟而生成向驱动部(500)提供的预驱动信号(VPD)，驱动部生成驱动信号(VG)。暂态变化检测部(2)检测导通动作及截止动作中的一方动作的暂态变化。校正信号生成部(3)基于输入信号和由暂态变化检测部检测出的暂态变化生成校正信号(AS)。延迟输出部(4)使用校正信号而使输入信号延迟，由此生成与预驱动信号对应的输出信号。在延迟输出部中，使得对导通动作以及截止动作中的与一方动作不同的另一方动作进行指示的输出信号，对应于此前最近进行的一方动作的暂态变化的期间的长度而相对于输入信号延迟。
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公开(公告)号：CN111211763B
公开(公告)日：2023-09-26
申请号：CN201911119278.X
申请日：2019-11-15
Applicant: 三菱电机株式会社
IPC: H03K17/0812 , H03K17/687
Abstract: 本发明的目的在于减小高电位侧驱动电路的芯片面积。本发明的高电位侧驱动电路将第1电位作为电源电位，该高电位侧驱动电路具备：恒压电路，其将第2电位作为基准电位而进行动作，根据第1电位生成比第1电位低且比第2电位高的第3电位；逻辑电路，其将第3电位作为基准电位而进行动作；电平移位电路，其接收逻辑电路的输出信号，将输出信号的基准电位从第3电位移位为第2电位；以及驱动电路，其将通过电平移位电路移位后的第2电位作为基准电位，通过逻辑电路的输出信号对开关元件进行驱动。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN108432134B
公开(公告)日：2021-11-12
申请号：CN201580085300.7
申请日：2015-12-18
Applicant: 三菱电机株式会社
Abstract: 半导体器件驱动电路具有：阈值调整电路，其输出阈值；不饱和电压检测电路，其在半导体开关元件的第1电极与第2电极之间的电压是不饱和电压的情况下，取得以预先确定的增加率增加的检测电压，且对上述检测电压是否比上述阈值高进行判定；以及驱动电路，其基于输入信号生成上述半导体开关元件的驱动信号，且在通过上述不饱和电压检测电路判定为上述检测电压比上述阈值高的情况下，将上述驱动信号维持为切断。上述阈值调整电路能够在第1电压与比上述第1电压低的第2电压之间对上述阈值进行切换，在上述半导体开关元件是断开状态的情况下将上述第1电压作为上述阈值输出，在上述半导体开关元件接通，上述第1电极与上述第2电极之间的电压是饱和电压的情况下，将上述第2电压作为上述阈值输出。
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公开(公告)号：CN108370213B
公开(公告)日：2020-05-08
申请号：CN201580085115.8
申请日：2015-12-10
Applicant: 三菱电机株式会社
Abstract: 半导体器件驱动电路具备：信号传送电路，其包含将具有第1电压电平的输入信号进行电平移位的第1电平移位电路，信号传送电路基于所述输入信号生成具有比所述第1电压电平高的第2电压电平的驱动信号；以及不饱和电压检测电路，其在检测出由所述驱动信号驱动的半导体开关元件的不饱和电压的情况下，将具有所述第1电压电平的第1错误信号输出。半导体器件驱动电路通过将所述第1错误信号或变换信号进行电平移位，从而生成具有所述第2电压电平的第2错误信号，该变换信号为将所述第1错误信号变换为脉冲信号后的信号。半导体器件驱动电路还具备软切断电路，该软切断电路如果被输入了所述第2错误信号，则变更所述半导体开关元件的驱动信号，以使得所述半导体开关元件进行软切断。
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公开(公告)号：CN107425701B
公开(公告)日：2019-11-29
申请号：CN201710357964.5
申请日：2017-05-19
Applicant: 三菱电机株式会社
Abstract: 在使用简单的结构的同时精密地校正来自半导体开关元件的输出相对于输入信号的信号宽度偏差。延迟时间校正电路(601)使输入信号(IN)延迟而生成向驱动部(500)提供的预驱动信号(VPD)，驱动部生成驱动信号(VG)。暂态变化检测部(2)检测导通动作及截止动作中的一方动作的暂态变化。校正信号生成部(3)基于输入信号和由暂态变化检测部检测出的暂态变化生成校正信号(AS)。延迟输出部(4)使用校正信号而使输入信号延迟，由此生成与预驱动信号对应的输出信号。在延迟输出部中，使得对导通动作以及截止动作中的与一方动作不同的另一方动作进行指示的输出信号，对应于此前最近进行的一方动作的暂态变化的期间的长度而相对于输入信号延迟。
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公开(公告)号：CN108370213A
公开(公告)日：2018-08-03
申请号：CN201580085115.8
申请日：2015-12-10
Applicant: 三菱电机株式会社
Abstract: 半导体器件驱动电路具备：信号传送电路，其包含将具有第1电压电平的输入信号进行电平移位的第1电平移位电路，信号传送电路基于所述输入信号生成具有比所述第1电压电平高的第2电压电平的驱动信号；以及不饱和电压检测电路，其在检测出由所述驱动信号驱动的半导体开关元件的不饱和电压的情况下，将具有所述第1电压电平的第1错误信号输出。半导体器件驱动电路通过将所述第1错误信号或变换信号进行电平移位，从而生成具有所述第2电压电平的第2错误信号，该变换信号为将所述第1错误信号变换为脉冲信号后的信号。半导体器件驱动电路还具备软切断电路，该软切断电路如果被输入了所述第2错误信号，则变更所述半导体开关元件的驱动信号，以使得所述半导体开关元件进行软切断。
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公开(公告)号：CN107112995A
公开(公告)日：2017-08-29
申请号：CN201480084149.0
申请日：2014-12-17
Applicant: 三菱电机株式会社
IPC: H03K19/0185 , H01L21/822 , H01L27/04
Abstract: 初级侧电路(2a)对应于输入信号(IN)而输出第1基准电位(GND)下的第1信号。电平移位主电路(3)通过将从初级侧电路(2a)接收到的第1信号的基准电位(GND)向第2基准电位(VS)变换，从而输出第2基准电位(VS)下的第2信号。次级侧电路(4a)通过使用第2信号而生成第2基准电位(VS)下的输出信号(OUT)。至少1个整流性元件电路(23)设置在初级侧电路(2a)和次级侧电路(4a)之间。初级侧电路(2a)及次级侧电路(4a)的至少任一者具有至少1个检测电路(24、25)，该至少1个检测电路(24、25)通过对在整流性元件电路(23)流动的电流的变化进行检测，从而对与第2基准电位(VS)相对应的电位(VE2)是否小于或等于与第1基准电位(GND)相对应的电位(VE1)进行检测。
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