电磁波检测器以及具备该电磁波检测器的电磁波检测器阵列

    公开(公告)号:CN111788700B

    公开(公告)日:2024-06-28

    申请号:CN201880089720.6

    申请日:2018-08-28

    Abstract: 电磁波检测器(1)具备:绝缘膜(22),具有第1面和与第1面对置的第2面;包含第1二维原子层材料的第1层(40),由于被入射的电磁波而进行光电变换,电位发生变化;以及包含第2二维原子层材料的第2层(30),设置于第1面上,经由绝缘膜(22)被提供电位的变化,产生电量的变化。由此,检测入射的电磁波作为电量的变化,能够提供针对入射的电磁波的响应速度快的高灵敏度的电磁波检测器(1)。

    电磁波检测器、电磁波检测器阵列及电磁波检测器的制造方法

    公开(公告)号:CN117063298A

    公开(公告)日:2023-11-14

    申请号:CN202180096342.6

    申请日:2021-03-30

    Abstract: 电磁波检测器(100)具备:半导体层(1);绝缘层(5),所述绝缘层(5)配置在半导体层上,并形成有开口部(6);二维材料层(2),所述二维材料层(2)从开口部上延伸至绝缘层上,并包含与面向开口部的绝缘层的周缘部(5A)相接的连接部,且与半导体层电连接;第一电极部(3),所述第一电极部(3)配置在绝缘层上,且与二维材料层电连接;第二电极部(4),所述第二电极部(4)与半导体层电连接;以及单极阻挡层(7),所述单极阻挡层(7)配置在半导体层与二维材料层的连接部之间,分别与半导体层及二维材料层电连接。

    电磁波检测器以及电磁波检测器组件

    公开(公告)号:CN115803897A

    公开(公告)日:2023-03-14

    申请号:CN202180038946.5

    申请日:2021-03-10

    Abstract: 电磁波检测器(100)具备半导体层(4)、第1绝缘膜(3a)、二维材料层(1)、第1电极(2a)、第2电极(2b)、第2绝缘膜(3b)和控制电极(2c)。第1绝缘膜(3a)配置于半导体层(1)上。在第1绝缘膜(3a)形成有开口部(OP)。二维材料层(1)在开口部(OP)电连接于半导体层(4)。二维材料层(1)从开口部(OP)上延伸直至第1绝缘膜(3a)。第2绝缘膜(3b)与二维材料层(1)相接。控制电极(2c)隔着第2绝缘膜(3b)连接于二维材料层(1)。

    电磁波检测器、电磁波检测器阵列以及电磁波检测方法

    公开(公告)号:CN110392933B

    公开(公告)日:2022-12-06

    申请号:CN201780085842.3

    申请日:2017-10-19

    Abstract: 电磁波检测器包括并排设置于绝缘层之上的p型以及n型的石墨烯、隔着石墨烯而对置配置的第一电极和第二电极、向p型以及n型的石墨烯施加动作电压的栅极电极以及连接于2个第二电极之间的平衡电路和检测电路,p型的石墨烯具有比动作电压高的狄拉克点电压,n型的石墨烯具有比动作电压低的狄拉克点电压,在电磁波未入射于石墨烯的状态下,平衡电路使第一电极和第二电极具有相同电位,在电磁波入射于p型以及n型的石墨烯的状态下,检测电路检测第二电极间的电信号,输出电磁波入射后的状态的电信号。

    电磁波检测器以及电磁波检测器阵列

    公开(公告)号:CN109417106A

    公开(公告)日:2019-03-01

    申请号:CN201780040692.4

    申请日:2017-04-20

    Abstract: 对入射到石墨烯层的电磁波进行光电变换而检测的电磁波检测器包括:基板,具有表面和背面;下部绝缘层,设置于基板的表面上;设置于下部绝缘层上的铁电体层、及隔着铁电体层相向配置的一对电极;上部绝缘层,设置于铁电体层上;以及石墨烯层,在下部绝缘层及上部绝缘层上以连接2个电极的方式设置,或者,包括:石墨烯层,设置于下部绝缘层上;以及在石墨烯层上经由上部绝缘层设置的铁电体层、及隔着该铁电体层相向配置的一对电极,与下部绝缘层相反的一侧的石墨烯层的表面是电磁波入射面,由于电磁波,铁电体层的极化值变化,对石墨烯层施加电压。

    电磁波检测器和电磁波检测器阵列

    公开(公告)号:CN119054088A

    公开(公告)日:2024-11-29

    申请号:CN202380034579.0

    申请日:2023-01-26

    Abstract: 电磁波检测器(100)具备热吸收层(HA)、绝缘膜(3)、二维材料层(1)以及第一电极(2a)。热吸收层(HA)包括热电材料层(5)和相变材料层(6)。绝缘膜(3)配置于热吸收层(HA)上的一部分。二维材料层(1)配置于热吸收层(HA)上和绝缘膜(3)上,与热吸收层(HA)电连接。第一电极部(2a)配置于绝缘膜(3)上,经由二维材料层(1)而与热吸收层(HA)电连接。

    电磁波检测器以及电磁波检测器阵列

    公开(公告)号:CN118355512A

    公开(公告)日:2024-07-16

    申请号:CN202280081347.6

    申请日:2022-12-05

    Abstract: 提供与以往的电磁波检测器相比可提高灵敏度的电磁波检测器以及电磁波检测器阵列。电磁波检测器(100)具备:二维材料层(1),具有在第1方向(X)上排列配置的第1区域(1a)及第2区域(1b);第1电极部(2a)及第2电极部(2b),在第1方向上相互隔开间隔地配置,并且经由二维材料层的第1区域及第2区域相互电连接;第1铁电体层(4a),具有在俯视时与二维材料层的第1区域重叠的部分;及第2铁电体层(4b),具有在俯视时与二维材料层的第2区域重叠的部分。第1铁电体层和第2铁电体层的边界(40)与第1方向交叉。构成第1铁电体层及第2铁电体层的各铁电体层的材料是热释电体。第1铁电体层及第2铁电体层被设置成在被照射电磁波时在第1区域中产生的电压变化与在第2区域中产生的电压变化不同。

    电磁波检测器
    20.
    发明授权

    公开(公告)号:CN114041210B

    公开(公告)日:2024-07-12

    申请号:CN202080047788.5

    申请日:2020-03-26

    Abstract: 检测灵敏度高并且能够进行关断动作的使用二维材料层的电磁波检测器具备受光元件(4)、绝缘膜(3)、二维材料层(1)、第1电极部(2a)以及第2电极部(2b)。受光元件(4)包括第1导电类型的第1半导体部分(4a)和第2半导体部分(4b)。第2半导体部分(4b)与第1半导体部分(4a)接合。第2半导体部分(4b)是第2导电类型。绝缘膜(3)配置于受光元件(4)上。在绝缘膜(3)形成有开口部(3a)。二维材料层(1)在开口部(3a)与第1半导体部分(4a)电连接。二维材料层(1)从开口部(3a)上延伸至绝缘膜(3)上。第1电极部(2a)配置于绝缘膜(3)上。第1电极部(2a)与二维材料层(1)电连接。第2电极部(2b)与第2半导体部分(4b)电连接。

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